[10p-W922-1~8] イオン注入技術の進展　〜Si、GaAsから最先端WBG半導体まで〜

[10p-W922-2] 新規縦構造を用いた高いダイナミックな耐久性を持つ先進Siパワー半導体

〇中村 勝光¹、鈴木 健司¹、西 康一¹ (1.三菱電機(株)パワーデバイス製作所)

キーワード：Siパワー半導体、縦構造、ダイナミックな耐久性

Si系パワー半導体の持続的な発展には、大口径(≥200mm)ウエハを活用し、半導体の縦方向シュリンクと高いダイナミックな耐久性を両立する縦構造技術がキーとなる。本論文では、大口径FZウエハの製造技術にマッチングし、ダイナミックな耐久性とトータルロス性能を向上させるLPT(Ⅱ)バッファ層とControlling Carrier-Plasma Layer (CPL)領域からなる縦構造が、有効な縦構造技術であることを示す。