[11p-W641-1~14] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

△ [11p-W641-12] Y-O-F系セラミックスのCHF₃およびO₂プラズマによる腐食挙動

〇宮下 健司¹、津之浦 徹¹、吉田 克己¹、矢野 豊彦¹ (1.東工大工)

キーワード：プラズマエッチング、オキシフッ化イットリウム

半導体製造プロセスでは、プラズマプロセス中に部材の腐食により生じる粒子状汚染が課題となっている。本研究では、新奇耐食材料としてY-O-Fセラミックスに着目し、CHF₃およびO₂プラズマによる照射挙動を評価した。Y-O-Fセラミックスはイットリアと同程度のスパッタリングレートを示し、特にY₅O₄F₇セラミックスはプラズマ照射による表面粗さの増大がイットリアよりも抑制される良好な耐食性を示した