[12a-W641-1~14] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

[12a-W641-11] Suppression of film resputtering and damages in MgF₂-Ar-CF₄ non-reactive and Mg-CF₄ reactive sputtering by using a double grid retarding electrodes

〇Eiji Kusano¹ (1.Kanazawa Inst.Technol.)

Keywords:sputtering, magnesium fluoride, electronegative plasma

MgF₂-Ar-CF₄およびMg-Ar-CF₄スパッタリングにおいて，二重グリッドを用いた阻止電極を用いて負イオン入射の抑制を試みた． MgF₂-Ar非反応性スパッタリングにおいては，阻止電位が-75 V以下の大きさである場合には薄膜堆積速度は2 nm/min以下であり，阻止電位を-100 Vより大きくすると10 nm/min より高くなった．Mg-Ar-CF₄反応性スパッタリングにおいては，阻止電極を接地した場合には薄膜堆積速度は8 nm/min以下であり，-28 Vの阻止電位を印加すると10nm/min 程度となった．