一般セッション(口頭講演)

[14a-A202-1~8] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

2020年3月14日(土) 09:00 〜 11:00 A202 (6-202)

原康祐(山梨大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

09:00 〜 09:15

[14a-A202-1] 高分解能X線測定によるMg₂Siの結晶性評価

〇鱒渕稜平¹、布施雄太郎¹、原嘉昭²、鵜殿治彦¹ (1.茨城大、2.茨城高専)

09:15 〜 09:30

[14a-A202-2] OCVD法によるMg₂Si - pn接合ダイオードのライフタイム評価

〇鵜殿治彦¹、岡田理央¹、高橋史也¹ (1.茨城大学)

09:30 〜 09:45

[14a-A202-3] 不活性ガス雰囲気下での熱処理を用いたクラックフリーMg₂Si厚膜の合成

堀場一成¹、後藤和泰¹、〇黒川康良¹、伊藤孝至¹、宇佐美徳隆¹ (1.名大院工)

09:45 〜 10:00

[14a-A202-4] ドープしたMg₂Siにおける不純物サイト

〇今井基晴¹、松下能孝¹、鵜殿治彦² (1.物材機構、2.茨城大)

10:00 〜 10:15

△ [14a-A202-5] Si 基板上 B20 型 CoSi 薄膜の電子状態と熱電特性の関係

〇石部貴史¹、雛川貴弘¹、坂根駿也¹、佐藤和則¹、小林英一²、藤田武志³、中村芳明¹ (1.阪大院基礎工、2.九州シンクロトロン光研究センター、3.高知工科大)

10:15 〜 10:30

[14a-A202-6] 熱電特性評価に向けたCaF₂基板上へのSb-doped n-BaSi₂膜の成長

〇吉田竜一¹、辻美紀江¹、青貫翔¹、山下雄大¹、都甲薫¹、末益崇¹ (1.筑波大)

10:30 〜 10:45

[14a-A202-7] RFスパッタリング法による BaSi₂膜の最適な堆積条件の探索

〇根本泰良¹、佐藤拓磨¹、召田雅美²、倉持豪人²、都甲薫¹、末益崇¹ (1.筑波大、2.東ソー)

10:45 〜 11:00

[14a-A202-8] スパッタ法による導電膜上BaSi₂膜の成長と特性評価

〇小板橋嶺太¹、根本泰良¹、召田雅実²、倉持豪人²、都甲薫¹、末益崇¹ (1.筑波大学、2.東ソー)

一般セッション(口頭講演)

[15a-A202-1~8] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

2020年3月15日(日) 09:00 〜 11:00 A202 (6-202)

中村芳明(阪大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

09:00 〜 09:15

△ [15a-A202-1] CaSi₂粉末のMnCl₂/NH₄Cl雰囲気処理によるMnSi_1.7/Siナノシート束の作製

〇伊藤聖悟¹、西川勇大²、沼澤有信¹、志村洋介^1,2,3、高橋尚久⁴、立岡浩一¹ (1.静大院工、2.静大工、3.静大電研、4.ヤマハ発動機先進材料研)

09:15 〜 09:30

△ [15a-A202-2] CaSi₂粉末のMgCl₂/Mg雰囲気処理によるMg₂Siナノシート束の作製

〇古賀友也¹、沼澤有信²、志村洋介^1,2,3、高橋尚久⁴、立岡浩一² (1.静大工、2.静大院工、3.静大電研、4.ヤマハ発動機先進材料研)

09:30 〜 09:45

[15a-A202-3] 近接蒸着法によるCaSi₂とCaGe₂の成膜

〇原康祐¹、瀧澤周平¹、山中淳二²、黒澤昌志^3,4、有元圭介¹ (1.山梨大クリスタル研、2.山梨大機器分析、3.名大院工、4.名大高等研究院)

09:45 〜 10:00

[15a-A202-4] 新規三元系化合物LiSi_1-xGe_xの合成

〇池本彰吾¹、杉浦優太朗¹、ジャヒマンシュ¹、大橋史隆¹、久米徹二¹ (1.岐大工)

10:00 〜 10:15

[15a-A202-5] 3D光学シミュレーションによるBaSi₂薄膜太陽電池のデバイス設計

〇山下雄大¹、 Rudi Santbergen²、 Olindo Isabella²、都甲薫¹、末益崇¹ (1.筑波大学、2.デルフト工科大学)

10:15 〜 10:30

[15a-A202-6] 第一原理計算を活用したn 型BaSi₂との接合ペア材料の探索

〇原康祐¹ (1.山梨大クリスタル研)

10:30 〜 10:45

[15a-A202-7] BaとSiの堆積レート比がAs-doped n-BaSi₂膜の光学特性に及ぼす影響

〇青貫翔¹、山下雄大¹、都甲薫¹、末益崇¹ (1.筑波大)

10:45 〜 11:00

[15a-A202-8] undoped BaSi₂の光学特性におけるポストアニール条件が及ぼす影響

〇伯ゆりか¹、佐藤拓磨¹、山下雄大¹、都甲薫¹、末益崇¹ (1.筑波大)

一般セッション(ポスター講演)

[14p-PB8-1~8] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

2020年3月14日(土) 16:00 〜 18:00 PB8 (第１体育館)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

16:00 〜 18:00

[14p-PB8-1] 真空蒸着法によるシリコンクラスレート薄膜の作製

〇伊藤駿一郎¹、飯田民夫¹、大橋史隆²、久米徹二² (1.岐阜高専、2.岐阜大学)

16:00 〜 18:00

▲ [14p-PB8-2] Marked photoresponsivity enhancement and minority carrier lifetime increase of boron-doped BaSi2 by atomic H passivation

〇(D)Zhihao Xu¹、 Kazuhiro Gotoh²、 Kaoru Toko¹、 Noritaka Usami²、 Takashi Suemasu¹ (1.Univ. Tsukuba、2.Nagoya Univ.)

16:00 〜 18:00

[14p-PB8-3] ポストアニール処理を用いたアンドープp-BaSi₂/n-Siヘテロ接合太陽電池の
作製

木村裕希¹、〇吉野孝政¹、後藤和泰¹、黒川康良¹、宇佐美徳隆¹ (1.名大院工)

16:00 〜 18:00

[14p-PB8-4] n-Ru₂Si₃/p-Si pn 接合素子における光応答特性の評価

〇西大樹¹、寺井慶和¹ (1.九工大情報工)

16:00 〜 18:00

[14p-PB8-5] テンプレート層を用いたSi基板上への鉄酸化物膜の作製

〇山中健太^1,2、山口憲司^2,1 (1.茨城大院、2.量研機構)

16:00 〜 18:00

[14p-PB8-6] ルチル型二酸化マンガンにおける水素の局所電子状態

〇岡部博孝¹、門野良典^1,2、平石雅俊¹、幸田章宏^1,2、竹下聡史^1,2、小嶋健児³、山内一宏⁴、佐藤博彦⁵ (1.KEK物構研、2.総研大、3.TRIUMF、4.佐賀大院工、5.中大理工)

16:00 〜 18:00

[14p-PB8-7] 陽電子消滅寿命法と電子スピン共鳴による電子線照射ZnO中空孔型欠陥の光応答性観測

〇(DC)中島諒^1,2、木野村淳¹、薮内敦¹、栗山一男³ (1.京大複合研、2.京大院工、3.法政大)

16:00 〜 18:00

[14p-PB8-8] InGaZnO₄単結晶の熱的性質

〇加瀬直樹¹、小林祐樹¹、田中佑典¹、藤井武則²、宮川宣明¹ (1.東理大理、2.東大低温センター)

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13 半導体 » 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[14a-A202-1~8] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[14a-A202-1] 高分解能X線測定によるMg₂Siの結晶性評価

[14a-A202-2] OCVD法によるMg₂Si - pn接合ダイオードのライフタイム評価

[14a-A202-3] 不活性ガス雰囲気下での熱処理を用いたクラックフリーMg₂Si厚膜の合成

[14a-A202-4] ドープしたMg₂Siにおける不純物サイト

△ [14a-A202-5] Si 基板上 B20 型 CoSi 薄膜の電子状態と熱電特性の関係

[14a-A202-6] 熱電特性評価に向けたCaF₂基板上へのSb-doped n-BaSi₂膜の成長

[14a-A202-7] RFスパッタリング法による BaSi₂膜の最適な堆積条件の探索

[14a-A202-8] スパッタ法による導電膜上BaSi₂膜の成長と特性評価

[15a-A202-1~8] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

△ [15a-A202-1] CaSi₂粉末のMnCl₂/NH₄Cl雰囲気処理によるMnSi_1.7/Siナノシート束の作製

△ [15a-A202-2] CaSi₂粉末のMgCl₂/Mg雰囲気処理によるMg₂Siナノシート束の作製

[15a-A202-3] 近接蒸着法によるCaSi₂とCaGe₂の成膜

[15a-A202-4] 新規三元系化合物LiSi_1-xGe_xの合成

[15a-A202-5] 3D光学シミュレーションによるBaSi₂薄膜太陽電池のデバイス設計

[15a-A202-6] 第一原理計算を活用したn 型BaSi₂との接合ペア材料の探索

[15a-A202-7] BaとSiの堆積レート比がAs-doped n-BaSi₂膜の光学特性に及ぼす影響

[15a-A202-8] undoped BaSi₂の光学特性におけるポストアニール条件が及ぼす影響

[14p-PB8-1~8] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[14p-PB8-1] 真空蒸着法によるシリコンクラスレート薄膜の作製

▲ [14p-PB8-2] Marked photoresponsivity enhancement and minority carrier lifetime increase of boron-doped BaSi2 by atomic H passivation

[14p-PB8-3] ポストアニール処理を用いたアンドープp-BaSi₂/n-Siヘテロ接合太陽電池の
作製

[14p-PB8-4] n-Ru₂Si₃/p-Si pn 接合素子における光応答特性の評価

[14p-PB8-5] テンプレート層を用いたSi基板上への鉄酸化物膜の作製

[14p-PB8-6] ルチル型二酸化マンガンにおける水素の局所電子状態

[14p-PB8-7] 陽電子消滅寿命法と電子スピン共鳴による電子線照射ZnO中空孔型欠陥の光応答性観測

[14p-PB8-8] InGaZnO₄単結晶の熱的性質

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[14a-A202-1~8] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

△ [14a-A202-5] Si 基板上 B20 型 CoSi 薄膜の電子状態と熱電特性の関係

[15a-A202-1~8] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

△ [15a-A202-1] CaSi2粉末のMnCl2/NH4Cl雰囲気処理によるMnSi1.7/Siナノシート束の作製

△ [15a-A202-2] CaSi2粉末のMgCl2/Mg雰囲気処理によるMg2Siナノシート束の作製

[14p-PB8-1~8] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

▲ [14p-PB8-2] Marked photoresponsivity enhancement and minority carrier lifetime increase of boron-doped BaSi2 by atomic H passivation

認証

△ [15a-A202-1] CaSi₂粉末のMnCl₂/NH₄Cl雰囲気処理によるMnSi_1.7/Siナノシート束の作製

△ [15a-A202-2] CaSi₂粉末のMgCl₂/Mg雰囲気処理によるMg₂Siナノシート束の作製