[13a-A205-1~6] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

△ [13a-A205-3] On-site C₂F₄ generation from CF₄ feedstock gas
using moderate-pressure plasma

〇(M1)Rei Tanaka¹, Tomoyuki Tanaka¹, Daiki Iino², Kazuaki Kurihara², Hiroyuki Fukumizu², Jouta Fukuhara², Hisataka Hayashi², Hiroaki kakiushi¹, Kiyoshi Yasutake¹, Hiromasa Ohmi¹ (1.Osaka Univ., 2.Kioxia Corp.)

Keywords:tetrafluoroethylene, plasma reforming, on-site

テトラフルオロエチレン（C₂F₄）ガスは、フルオロカーボン薄膜の成膜、ならびにSiO₂に対するドライエッチング性能を高度化させる機能性ガスとして期待されている。一方で、C₂F₄は自己分解重合反応が爆発的に進行するため、高圧充填による使用場所への供給、ならびに大量ストックが困難である。そこで本研究では、廉価、安定、無毒なCF₄ガスを中圧域プラズマによって改質し、C₂F₄ガスのオンサイト生成を試みた。