一般セッション(口頭講演)
13 半導体 » 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価
09:00 〜 09:15
〇妹川 要1、納富 良一1、宇佐見 康継1 (1.ギガフォトン（株）)
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09:15 〜 09:30
〇妹川 要1、納富 良一1、宇佐見 康継1 (1.ギガフォトン（株）)
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09:30 〜 09:45
〇Jiawen Yu1、Keiya Fujimoto1、Kotaro Matsuguchi1、Takuma Sato1、Hiroaki Hanafusa1、Seiichiro Higashi1 (1.Hiroshima Univ.)
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09:45 〜 10:00
〇藤本 渓也1、花房 宏明1、佐藤 拓磨1、東 清一郎1 (1.広大先進理工)
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10:00 〜 10:15
〇原 征大1、田中 一1,2、金子 光顕1、木本 恒暢1 (1.京大院工、2.阪大院工)
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10:15 〜 10:30
〇土井 拓馬1,2、柴山 茂久1、坂下 満男1、清水 三聡2、中塚 理1,3 (1.名大院工、2.産総研・名大GaN-OIL、3.名大未来研)
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10:45 〜 11:00
〇小林 拓真1,2、Rühl Maximilian1、Lehmeyer Johannes1、Zimmermann Leonard1、Krieger Michael1、Weber Heiko1 (1.エアランゲン大、2.阪大院工)
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11:00 〜 11:15
〇(M1)元木 秀1,2、佐藤 真一郎2、増山 雄太2、山﨑 雄一2、土方 泰斗1、大島 武2 (1.埼玉大工、2.量研)
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11:15 〜 11:30
〇山崎 雄一1、増山 雄太1、佐藤 真一郎1、牧野 高紘1、山田 尚人1、佐藤 隆博1、児島 一聡2、土田 秀一3、星乃 紀博3、大島 武1 (1.量研、2.産総研、3.電中研)
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11:30 〜 11:45
〇塩島 謙次1、川角 優斗1、堀切 文正2、福原 昇2、三島 友義3、四戸 孝4 (1.福井大院工、2.サイオクス、3.法政大、4.FLOSFIA)
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