09:00 〜 09:15
〇寶藏 圭祐1、韓 東杓1、眞野 稜也1、高橋 遼1、藤木 領人1、平松 稜也1、澤井 奏人1、上山 智1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1、赤崎 勇2、福田 承生3、藤井 高志3 (1.名城大学、2.名古屋大・赤崎記念研究センター、3.福田結晶技術研究所)
一般セッション(口頭講演)
13 半導体 » 13.3 絶縁膜技術
09:00 〜 09:15
〇寶藏 圭祐1、韓 東杓1、眞野 稜也1、高橋 遼1、藤木 領人1、平松 稜也1、澤井 奏人1、上山 智1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1、赤崎 勇2、福田 承生3、藤井 高志3 (1.名城大学、2.名古屋大・赤崎記念研究センター、3.福田結晶技術研究所)
09:15 〜 09:30
〇(M1)長井 大誠1、田岡 紀之1、大田 晃生1、池田 弥央1、牧原 克典1、宮﨑 誠一1 (1.名大院工)
09:30 〜 09:45
〇(M1)飯野 寛貴1、堀口 遥1、岩崎 好孝1、上野 智雄1 (1.農工大院工)
09:45 〜 10:00
〇(M1)伊藤 圭佑1、高橋 陽輝1、岩崎 好孝1、上野 智雄1 (1.農工大院工)
10:00 〜 10:15
〇Tsung-En Lee1、Kasidit Toprasertpong1、Mitsuru Takenaka1、Shinichi Takagi1 (1.Univ. of Tokyo)
10:15 〜 10:30
〇(D)TsungEn Lee、Kasidit Toprasertpong1、Mitsuru Takenaka1、Shinichi Takagi1 (1.Univ. of Tokyo)
10:45 〜 11:00
〇田村 敦史1、Seungwoo Jang2、Young-Geun Park2、Hanjin Lim2、喜多 浩之1 (1.東大院工、2.Semiconductor R&D Center, Samsung Electronics)
11:00 〜 11:15
〇(B)桐原 芳治1、和田 励虎1、辻口 良太1、保井 晃2、宮田 典幸3、野平 博司1 (1.都市大、2.高輝度光科学研、3.産総研)
11:15 〜 11:30
〇山本 星斗1、田中 有弥1,2、神林 辰洋1、矢嶋 赳彬3、石井 久夫1,2,4 (1.千葉大院融合、2.千葉大先進、3.九大シス情報、4.千葉大MCRC)
11:30 〜 11:45
〇阿久津 敏1、伊藤 和幸1、菊地 拓雄1、牧野 伸顕1、北原 義之1、大黒 達也2、藤 慶彦2、高橋 眞理2、樫浦 由貴子2 (1.東芝、2.東芝デバイス&ストレージ)
11:45 〜 12:00
〇堅田 卓弥1、八ッ橋 拓真1、呉 研1、高橋 芳浩1 (1.日大理工)
12:00 〜 12:15
〇山中 湧司1、滝澤 諄弥1、富田 基裕1、渡邉 孝信1 (1.早大理工)
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