[15a-B410-1~9] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[15a-B410-8] ミニマルファブでのP-SOGによるリン拡散の安定化

〇加瀬 雅¹、クンプアン ソマワン^1,2、原 史朗^1,2,3 (1.産総研、2.ミニマル、3.Hundred Semiconductors)

キーワード：ミニマルファブ、拡散

ミニマルファブでP-SOGを用いたP(リン)拡散プロセスはパターンの形状や粗密によってP-SOGをＨＦで除去する際にPがウェハ表面に残る場合があり安定していない。そこで、この残ったPを低温酸化(LTO)で除去しP拡散層間でのリークを抑制させた。しかし、低温酸化を施すとP拡散層表面も酸化してしまい拡散層の電流は減少する。希望の電流を得るには拡散条件、低温酸化条件の最適な組み合わせを見出す必要がある。