[16p-A403-1~20] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

[16p-A403-5] [The 14th Silicon Technology Division Young Researcher Award Speech] Structural and electrical characteristics of ion-induced Si damage during atomic layer etching

〇Akiko Hirata¹, Masanaga Fukasawa¹, Katsuhisa Kugimiya¹, Kazuhiro Karahashi², Satoshi Hamaguchi², Yoshiya Hagimoto¹, Hayato Iwamoto¹ (1.Sony Semiconductor Solutions Corp., 2.Osaka Univ.)

Keywords:Atomic Layer Etching, Damage, Surface Reaction

近年、低ダメージ加工を実現する目的でALE (Atomic Layer Etching) が検討されている。ALEは原子層レベルの超高精度加工を実現できる事から低ダメージであると言われていたが、その詳細について評価した報告例は少なかった。今回、SiN ALEのオーバーエッチング時に下地Siに生成されるダメージ構造や電気的特性に与える影響を詳細に評価したので報告する。受賞論文ではALE特有のダメージ生成メカニズムについて詳細をまとめた。