[17p-A205-1~18] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

[17p-A205-10] SiN cycle etch using metastable Ar irradiation for modified layer desorption

〇Takashi Shiota¹, Makoto Satake¹, Taku Iwase¹, Yasushi Sonoda² (1.Hitachi R&D, 2.Hitachi High-Tech)

Keywords:Plasma, Cycle etch, SiN

半導体デバイスの微細化と構造の三次元化に伴い，高精度な等方性SiNエッチングの需要が高まっている。これまで，CHF₃/O₂プラズマによる反応層形成と加熱処理で反応層脱離を繰り返すSelf limitedなサイクルエッチプロセスが報告されてきた。本報告では，新たな脱離法として準安定状態のAr照射を用いた脱離工程を検討した。その結果，準安定状態のAr照射を用いて，Self limitedなSiNのサイクルエッチプロセスを構築できることがわかった。