[17p-A205-1~18] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

[17p-A205-11] Atomic layer etching of AlGaN at high temperature using F₂-added Ar plasma

〇Shohei Nakamura^1,2, Atsushi Tanide^1,2, Soichi Nadahara^1,2, Kenji Ishikawa², Osamu Oda², Masaru Hori² (1.SCREEN Holdings, 2.Nagoya Univ.)

Keywords:Atomic layer etching, Gallium nitride, High temperature etching

GaN-HEMTのゲート部のAlGaNは緻密なエッチング量制御下で結晶欠陥の無い加工が必要である。従来の原子層エッチング(ALE)では形成した塩素吸着層をArイオン衝突で剥離する際の結晶欠陥形成が課題であった。結晶欠陥低減には基板加熱が有効であるが、スパッタ率増加による自己制限の課題がある。本研究ではF₂添加Arプラズマ照射で塩素吸着層の剥離を行うことで低揮発性の金属フッ化物を追加形成し、高温下において自己制限するALEを実証した。