[17p-A205-1~18] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

[17p-A205-15] Ultra-fast Etching of Photoresist Induced by Rapidly Heating and Atomic Oxygen Radical Supply by Reactive Atmospheric-pressure Thermal Plasma Jet

〇(M2)Hibiki Kato¹, Hiroaki Hanafusa¹, Seiichirou Higashi¹ (1.Graduate School of Advanced Science and Engineering, Hiroshima Univ.)

Keywords:plasma jet, ashing

半導体製造プロセスにおいて、フォトレジスト(PR)塗布後のウエハエッジ部ではPRが厚くなるため露光工程に進む前にこれを除去する工程(Edge Bead Removal : EBR)が不可欠である。また近年では有機厚膜を塗布するプロセスが多用されるため、これら有機膜の高速エッチングの重要性が高まっている。従来は薬液による除去が用いられているが、低いエッチング速度や取り扱い上の課題が多いことから、ドライプロセスによる高速エッチング技術の導入は極めて有効であると考えられる。我々はArとを用いた反応性大気圧熱プラズマジェット(R-TPJ)照射によってウエハエッジ部を局所的加熱すると同時にエッチングをおこなうことで高速PR除去が可能ではないかと考え実験を行った。