スケジュール 3 コメント (0) [3P26] 放電プラズマ惹起エンドサイトーシスによるゲノム汚染のない革新的な分子・遺伝子導入技術 *神野 雅文1,3、池田 善久1、木戸 祐吾2、佐藤 晋1,3 (1. 愛媛大学工学部、2. パール工業株式会社、3. 株式会社アイジーン) キーワード：エンドサイトーシス、遺伝子導入、分子導入、放電プラズマ、ゲノム汚染 抄録パスワード認証抄録の閲覧にはパスワードが必要です。パスワードを入力して認証してください。 パスワード 認証
