2018 International Conference on Solid State Devices and Materials

2018年9月9日〜 2018年9月13日
University of Tokyo

検索条件
検索フィルタ

検索条件

フリーワード
タイトル
発表者、著者・共著者
所属

検索条件

設定なし

検索フィルタ

この条件でさらに絞り込みできます。

発表者、著者・共著者

なし

所属

なし

922件中(141 - 150)

« 前へ
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
76
77
78
79
80
81
82
83
84
85
86
87
88
89
90
91
92
93
次へ »

[D-5-02] Withdrawn

2018 International Conference on Solid State Devices and Materials |2018年9月12日(水) 14:00 〜 14:15

[D-5-03] RF Performance of ALD-Al₂O₃ 2DHG Diamond MOSFETs at High Voltage Operation for High Output Power

^○S. Imanishi¹, N. Oi¹, S. Okubo¹, K. Horikawa¹, T. Kageura¹, A. Hiraiwa¹, H. Kawarada^1,2 (1.Waseda univ. (Japan), 2.The Kagami Memorial Laboratory for Materials Science and Technology (Japan))

2018 International Conference on Solid State Devices and Materials |2018年9月12日(水) 14:15 〜 14:30 |PDF ダウンロード

[D-5-04] Low leakage current and High mobility Ultra-thin-body InGaSb p-FETs

^○R. IlPyo^1,2, Kim SangHyeon², H. JaeHoon², G. Dae-Myeong², K. Seong Kwang², K. Sooseok², K. Hang-Kyu², L. Woo Chul², K. Seong Keun², H. Do Kyung², S. Yun Heub¹, S. Jindong² (1.Univ. of Hanyang (Korea), 2.Korea Institute of Science and Technology (Korea))

2018 International Conference on Solid State Devices and Materials |2018年9月12日(水) 14:30 〜 14:45 |PDF ダウンロード

[D-5-05] Application of TiO2 Layer for Reducing Pd/GaSb Schottky Junction Leakage Current

Y.P. Chang¹, ^○M.L. Tsai¹, C.H. Chien¹ (1.National Chiao Tung Univ. (Taiwan))

2018 International Conference on Solid State Devices and Materials |2018年9月12日(水) 14:45 〜 15:00 |PDF ダウンロード

[D-6-01 (Invited)] State of the art and Future Prospective of Si-IGBT Technologies

^○T. Laska¹ (1.Infineon Technologies AG (Germany))

2018 International Conference on Solid State Devices and Materials |2018年9月12日(水) 15:15 〜 15:45 |PDF ダウンロード

[D-6-02] High Heat Flux Dissipation Via Interposer Active Micro-Cooling

^○F. Buja¹, L. Zhang¹, V. Cherman¹, H. Oprins¹, B. Jones¹, P. Soussan¹ (1.IMEC (Belgium))

2018 International Conference on Solid State Devices and Materials |2018年9月12日(水) 15:45 〜 16:00 |PDF ダウンロード

[D-6-03] Embedded Multiple-Time Programmable Memory by BCD Process for High Voltage CMOS Circuits

Y.H. Yeh¹,^○C.T. Chien¹, C.J. Lin¹, Y.C. King¹ (1.National Tsing Hua University (Taiwan))

2018 International Conference on Solid State Devices and Materials |2018年9月12日(水) 16:00 〜 16:15 |PDF ダウンロード

[D-6-04] Operation of Basic Logic Element in 3D Structure Using BEOL Transistor with In-Zn-O Channel Offset for Power Management Integration Circuit

^○M.S. Kang¹, W.J. Cho¹ (1.Univ. of Kwangwoon (Korea))

2018 International Conference on Solid State Devices and Materials |2018年9月12日(水) 16:15 〜 16:30 |PDF ダウンロード

[D-7-01 (Invited)] Recent Topics of Vertical GaN Power Devices - Trench MOS SBDs and Trench MOSFETs -

^○T. Oka¹, T. Ina¹, Y. Ueno¹, N. Tanaka¹, J. Kurosaki¹, T. Suzuki¹, J. Nishii¹, K. Hasegawa¹, K. Yasunishi¹, G. Nishio¹, S. Murakami¹, N. Murakami¹ (1.TOYODA GOSEI Co., Ltd. (Japan))

2018 International Conference on Solid State Devices and Materials |2018年9月13日(木) 09:00 〜 09:30 |PDF ダウンロード

[D-7-02] Measurement of Avalanche Multiplication Factor in GaN p-n Junction Diode Using Sub-Bandgap Light Absorption Due to Franz-Keldysh Effect

^○T. Maeda¹, T. Narita², H. Ueda², M. Kanechika², T. Uesugi², T. Kachi³, T. Kimoto¹, M. Horita¹, J. Suda^1,3 (1.Kyoto Univ. (Japan), 2.TOYOTA Central R&D Labs., Inc. (Japan), 3.Nagoya Univ. (Japan))

2018 International Conference on Solid State Devices and Materials |2018年9月13日(木) 09:30 〜 09:45 |PDF ダウンロード

922件中(141 - 150)

« 前へ
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
76
77
78
79
80
81
82
83
84
85
86
87
88
89
90
91
92
93
次へ »

▲