一般セッション(ポスター講演)

[29a-PB7-1~21] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

2013年3月29日(金) 09:30 〜 11:30 PB7 (第二体育館)

ポスター掲示時間9:30〜11:30(PB会場)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

[29a-PB7-1] InAs 供給量増加によるInAs/InP ダブルキャップ量子ドットの長波長発光 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○山元雄太，岩根優人，山内雅之，吉川翔平，下村和彦 (上智大理工)

[29a-PB7-2] 近接二層積層によるGaAs基板上InAs-QDの発光長波長化の検討(II) (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○（M1）中谷擁平¹，尾崎信彦¹，大河内俊介²，池田直樹³，杉本喜正³，Edmund Clark⁴，Richard Hogg⁴ (和歌山大シス工¹，NEC²，物材機構³，シェフィールド大⁴)

[29a-PB7-3] 直接貼付InP/Si基板上へのGa_0.2In_0.8As量子ドット成長 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○（M1）張きんきん，松本恵一，金谷佳則，下村和彦 (上智大理工)

[29a-PB7-4] Biｻｰﾌｧｸﾀﾝﾄを用いたIn(Ga)As量子ﾄﾞｯﾄのDLTS評価 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

鈴木聡一郎¹，^○岡本浩¹，舘野功太²，俵毅彦²，後藤秀樹²，寒川哲臣² (弘前大¹，ＮＴＴ物性基礎研²)

[29a-PB7-5] 高密度InGaAsN/GaP量子ドットの多積層化における中間層厚さの影響 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○浦上法之¹，伊藤宏成¹，関口寛人¹，岡田浩^2,1，若原昭浩¹ (豊橋技科大工¹，EIIRIS²)

[29a-PB7-6] 中性粒子ビームエッチングにより作製したGaAsナノディスクのPL特性のディスク高さ依存性 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○海津利行^1,5，田村洋典^3,5，五十嵐誠^3,5，セドリックトーマス^3,5，胡衛国^3,5，寒川誠二^3,4,5，岡田至崇^2,5 (神戸大工¹，東大先端研²，東北大流体研³，東北大WPI-AIMR⁴，JST-CREST⁵)

[29a-PB7-7] △InAsSb層上への面内超高密度InAs量子ドット（10¹² cm^-2）の自己形成 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○佐野琢哉，山口浩一 (電通大　先進理工)

[29a-PB7-8] 低密度InAs量子ドット頂部に形成されたリム構造のAFM観察 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○熊谷直人^1,2，大河内俊介²，岩本敏^1,2，荒川泰彦^1,2 (東大生研¹，東大ナノ量子²)

[29a-PB7-9] STMBE法によるGaAs(001)面上InAs二次元島成長その場観察 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○東條孝志，寺岡輝記，塚本史郎 (阿南高専)

[29a-PB7-10] Si(111)基板上GaAsナノワイヤのMBE成長と各種成長中断効果 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○安南洙¹，荒木義明¹，日比秀昭¹，石川史太郎¹，山口雅史² (阪大院工¹，名大院工²)

[29a-PB7-11] MOVPEによる低テーパを目指したInAsナノワイヤのVLS成長 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○山内雅之，村上新，松本恵一，船山裕晃，下村和彦，和保孝夫 (上智大理工)

[29a-PB7-12] RF-MBE法によるSi上AlN膜基板を用いたGaNナノコラム規則配列成長 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○尾崎泰一朗^1,2，松山勇^1,2，水野愛^1,2，岸野克己^1,2 (上智大¹，上智ナノテクセンター²)

[29a-PB7-13] グラフェンマスクの簡易パターニングとGaAs選択成長への応用 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○（M1）廣田雄二郎，白井優也，伊覇広夢，岩月剛徳，加藤浩直，山本奈緒，成塚重弥，丸山隆浩 (名城大)

[29a-PB7-14] 直接貼付InP/glass基板上におけるGaInAs/InP層のMOVPE結晶成長 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○（M2）松本恵一，Kinkin Zhang，金谷佳則，下村和彦 (上智大理工)

[29a-PB7-15] ウェハ曲率のその場測定によるレーザ用InGaAs メタモルフィックバッファ層の最適化手法の提案 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○中尾亮，荒井昌和，伊賀龍三，神徳正樹 (NTTフォトニクス研)

[29a-PB7-16] 透過型電子顕微鏡を用いた傾斜組成InGaAs層の欠陥評価 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○佐々木拓生¹，西俊明¹，高橋正光²，小島信晃¹，大下祥雄¹，山口真史¹ (豊田工大¹，原子力機構²)

[29a-PB7-17] 不純物ドープInGaAsN薄膜の電気伝導特性と成長後熱処理の効果 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○上杉謙次郎¹，窪谷茂幸¹，サクンタムサノーピン²，尾鍋研太郎¹ (東大新領域¹，チュラロンコン大²)

[29a-PB7-18] 原子層エピタキシー法を用いたGaAsN薄膜成長における不純物混入過程の検討 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○鈴木秀俊¹，山内俊浩¹，原口智宏²，前田幸治²，尾関雅志²，碇哲雄² (宮大IRO¹，宮大工²)

[29a-PB7-19] 中間バンド型太陽電池へ向けたGaAs中窒素δドープ超格子のE₊バンド光吸収の観測 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○野口駿介¹，八木修平¹，土方泰斗¹，窪谷茂幸²，岡田至崇³，尾鍋研太郎²，矢口裕之¹ (埼玉大院理工¹，東大新領域²，東大先端研³)

[29a-PB7-20] 第一原理計算によるGaPN混晶の電子構造解析 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○齋藤誠¹，坂本圭²，矢口裕之² (埼玉大工¹，埼玉大院理工²)

[29a-PB7-21] MBE成長空間反転AlGaAsのCuPt型オーダリング (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○粟田尚紀，雨堤耕史，松下智紀，近藤高志 (東大工)

一般セッション(口頭講演)

[29p-G20-3~20] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

2013年3月29日(金) 13:30 〜 18:30 G20 (B5号館 4F-2404)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

[29p-G20-3] Au触媒GaAsナノワイヤにおける構造多形の成長速度依存性 (1:30 PM ～ 1:45 PM)

^○高橋正光^1,2，神津美和^1,2，Wen Hu¹，仲田侑加² (原子力機構¹，兵庫県立大²)

[29p-G20-4] GaAsナノワイヤ成長中断時の結晶構造変化 (1:45 PM ～ 2:00 PM)

^○神津美和^1,2，Wen Hu²，仲田侑加¹，高橋正光^1,2 (兵庫県立大院物質理¹，原子力機構²)

[29p-G20-5] ウルツ鉱型InPナノワイヤ側壁に成長したZnドープシェルの光学評価 (2:00 PM ～ 2:15 PM)

^○河口研一¹，Jesper Wallentin²，江川満¹，山本剛之¹ (富士通研¹，ルンド大²)

[29p-G20-5.1] 休憩(15分)

[29p-G20-6] Ｓｉドープｐ型ＧａＡｓＳｂのＭＯＣＶＤ成長 (2:30 PM ～ 2:45 PM)

^○横山春喜，星拓也 (NTTフォトニクス研)

[29p-G20-7] MOCVD法によるエチル系有機材料を用いた炭素ドープInGaAs層の成長 (2:45 PM ～ 3:00 PM)

^○横浜秀雄^1,2，塩島謙次¹，荒木賀行² (福井大院工¹，オプトランス²)

[29p-G20-8] フラーレン添加GaAs pinダイオードの電気的特性 (3:00 PM ～ 3:15 PM)

^○西永慈郎^1,2，堀越佳治³ (早大高等研¹，JSTさきがけ²，早大理工³)

[29p-G20-9] GaAs(100)基板上のGaAs/GaAsBi量子井戸のMBE成長 (3:15 PM ～ 3:30 PM)

^○名原優，建部崇政，田中佐武郎，下村哲 (愛媛大)

[29p-G20-10] (411)AGaAs基板上のGaAs/GaAsBi超格子のMBE成長とX線構造評価 (3:30 PM ～ 3:45 PM)

^○建部崇政，名原優，石川智貴，下村哲 (愛媛大院理工)

[29p-G20-11] MBE成長法で作製した放物線ポテンシャルをもつAlGaAs量子井戸の光学的評価 (3:45 PM ～ 4:00 PM)

^○藤木章雄，下村哲 (愛媛大院理工)

[29p-G20-12] Corrugated surface grown on GaAs (631)A- and (631)B-oriented substrates (4:00 PM ～ 4:15 PM)

David Vazquez-Cortez¹，Victor Hugo Menez-Garcia²，Maximo Lopez-Lopez³，^○下村哲¹ (愛媛大・院理工¹，サンルイスポトシ大²，CINVESTAV-IPN³)

[29p-G20-12.1] 休憩(15分)

[29p-G20-13] ▲微傾斜基板上のInGaAs/GaAsP歪み補償多重量子井戸成長 (4:30 PM ～ 4:45 PM)

^○Hassanet Sodabanlu¹，馬少駿²，渡辺健太郎¹，杉山正和²，中野義昭^1,2 (東大先端研¹，東大院工²)

[29p-G20-14] InP基板上に成長した厚いInGaAsN層の特性評価 (4:45 PM ～ 5:00 PM)

堀内誠¹，三浦広平^1,2，猪口康博²，^○河村裕一¹ (大阪府立大¹，住友電気工業²)

[29p-G20-15] 窒素を高濃度デルタドープしたGaAsの磁気光学特性 (5:00 PM ～ 5:15 PM)

^○原田幸弘，山本益輝，馬場健，喜多隆 (神戸大院工)

[29p-G20-16] 分子線エピタキシーによるGaNAs薄膜成長におけるN起因の欠陥と水素照射の効果 (5:15 PM ～ 5:30 PM)

^○（M2）松田涼^1,2，宮下直也¹，ムハマドイスラムイスラム¹，ナズムルアーサン¹，岡田至崇^1,2 (東大先端研¹，東大院工²)

[29p-G20-17] GaAsN 疑似混晶による量子井戸構造の形成 (5:30 PM ～ 5:45 PM)

^○浦上法之¹，伊藤宏成¹，関口寛人¹，岡田浩^2,1，若原昭浩¹ (豊橋技科大工¹，EIIRIS²)

[29p-G20-18] MOCVD 法によるGaP 基板上GaNAsP/GaP 3 重量子井戸の室温発光特性 (5:45 PM ～ 6:00 PM)

^○（M2）古川聖紘，星野文哉，小林由貴，宮本智之 (東工大)

[29p-G20-19] AlGaN/GaGdN多重量子井戸構造の形成とその磁化特性 (6:00 PM ～ 6:15 PM)

^○佐野壮太，長谷川繁彦，東晃太郎 (阪大)

[29p-G20-20] 窒素ラジカル分子線成長によるGaNの選択成長 (6:15 PM ～ 6:30 PM)

^○加藤浩直，岩月剛徳，山本奈緒，白井優也，廣田雄二郎，伊覇広夢，成塚重弥，丸山隆浩 (名城大)

セッション一覧

15．結晶工学 » 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[29a-PB7-1~21] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[29p-G20-3~20] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶