一般セッション(口頭講演)

[17a-A6-1~9] 6.5 表面物理・真空

2014年9月17日(水) 09:30 〜 12:00 A6 (E205)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:30 〜 09:45

[17a-A6-1] GaAs(001)表面上への平坦金属薄膜の形成

^○加来滋，今宮健太，津久井雅之，吉野淳二 (東工大院理工)

09:45 〜 10:00

[17a-A6-2] RHEED鏡面反射電子に対する表面プラズモンの異常励起

^○堀尾吉已¹，原朋尚¹，高桑雄二²，小川修一² (大同大工¹，東北大多元研²)

10:00 〜 10:15

[17a-A6-3] Ge/Si(111)ヘテロエピタキシャル成長過程におけるSi(111)7×7表面再構成ストレスのその場観察

^○魚住雄輝^1,2，山崎達也³，朝岡秀人¹ (原子力機構¹，日立パワーソリューションズ²，エイコーエンジニアリング³)

10:15 〜 10:30

△ [17a-A6-4] 清浄Ge(001)および金属(Pb, In)吸着Ge(001)における電子状態

^○坂田智裕，武田さくら，北川幸祐，大門寛 (奈良先端大物質創成)

10:30 〜 10:45

[17a-A6-5] Ge(111)-c(2×8)表面の酸化発展のO₂並進エネルギー依存性

^○（D）岡田隆太^1,2，吉越章隆¹，寺岡有殿^1,3，岩井優太郎^1,3，山田洋一²，佐々木正洋² (原子力機構¹，筑波大院数物²，兵県大院物質理学³)

休憩10:45～11:00 （10:45 〜 11:00）

11:00 〜 11:15

[17a-A6-6] Si(100)-2×1表面の分子状吸着状態の放射光リアルタイム光電子分光による時分割観察

^○吉越章隆¹，岡田隆太^1,2，寺岡有殿^1,3，岩井優太郎³，山田洋一²，佐々木正洋² (原子力機構¹，筑波大院数物²，兵県大院物質理³)

11:15 〜 11:30

[17a-A6-7] 不活性Si(001)表面上のα-sexithiophene薄膜の成長と電子状態

^○大野真也¹，田中博也¹，平賀健太¹，田中一馬¹，高橋和敏²，鎌田雅夫²，豊島弘明¹，井上慧¹，向井孝三³，吉信淳³，田中正俊¹ (横国大院工¹，佐賀大シンクロトロン²，東大物性研³)

11:30 〜 11:45

[17a-A6-8] Si表面上における分子柵内へのTMP分子の閉じ込め

^○下村勝，岩辺あい，清瀬史 (静岡大工)

11:45 〜 12:00

△ [17a-A6-9] 走査トンネル顕微鏡を用いたSi基板上への銀ナノ粒子の作製と形状制御

^○寶槻雅樹，片野諭，上原洋一 (東北大通研)

一般セッション(口頭講演)

[17p-A6-1~8] 6.5 表面物理・真空

2014年9月17日(水) 13:30 〜 15:45 A6 (E205)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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昼食12:00～13:30 （12:00 〜 13:30）

13:30 〜 13:45

[17p-A6-1] STMを用いたAu(111)上ヘリセンジオール分子アセンブリのキラル分子認識

^○都築拓朗¹，クルコスキーパウエル¹，チャウンチャイヤクルソンポル¹，皆川佑人¹，大須賀秀次²，田畑博史¹，久保理¹，片山光浩¹，桑原裕司¹ (阪大院工¹，和歌山大システム工²)

13:45 〜 14:00

[17p-A6-2] サファイア上にミストCVD成長させたα-Ga₂O₃薄膜のCAICISSによる表面構造解析

^○丹波大樹¹，尾坂駿¹，岡坂翔太¹，織田真也^2,3，田畑博史¹，久保理¹，藤田静雄²，片山光浩¹ (阪大院工¹，京大院工²，ROCA³)

14:00 〜 14:15

[17p-A6-3] フレキシブル基板上 ITO 薄膜の熱的相転移過程解明に関する研究

^○塩飽義大¹，口山崇²，井上健二²，丸山秀夫³，武藤俊介⁴，関修平¹ (阪大院工¹，カネカ²，カネカテクノリサーチ³，名大エコトピア科学研究所⁴)

14:15 〜 14:30

[17p-A6-4] 電子放出材料としてのMgO粉体の解析

^○辻田卓司^1,2，浅野洋^1,2，坂井全弘^1,2，森田幸弘^1,2，西谷幹彦^1,2，北川雅俊² (パナソニック¹，阪大院工²)

休憩14:30～14:45 （14:30 〜 14:45）

14:45 〜 15:00

[17p-A6-5] 高温環境下における白金ナノギャップ電極の抵抗変化効果

^○菅洋志¹，篠村勇磨¹，塚越一仁²，清水哲夫³，内藤泰久³ (千葉工大¹，物材機構²，産総研³)

15:00 〜 15:15

△ [17p-A6-6] In-situ電気化学プロセスによるイオン液体と水素終端Si(111)界面の評価

^○渡邉光，松本祐司，丸山伸伍 (東北大院工)

15:15 〜 15:30

▲ [17p-A6-7] Improved Terahertz Radiation from Schottky Contact on Porous Silicon

^〇Xu Lu，Yohei Ishida，Tetesu Yonezawa (Faculty of Engineering, Hokkaido University)

15:30 〜 15:45

[17p-A6-8] 金属ナノ構造中の局在プラズモン励起による光放射の理論-II

^○市川昌和 (東大院工)

一般セッション(ポスター講演)

[19a-PB3-1~6] 6.5 表面物理・真空

2014年9月19日(金) 09:30 〜 11:30 PB3 (第2体育館)

ポスター掲示時間9:30～11:30(PB3会場)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:30 〜 11:30

[19a-PB3-1] Ag(111)表面上のCo薄膜におけるモアレ構造と磁性の第一原理計算

^○南谷英美¹，吉田靖雄²，長谷川幸雄²，渡邉聡¹ (東大工¹，東大物性研²)

09:30 〜 11:30

[19a-PB3-2] 脱濡れ（凝集) 現象を用いた自己組織化(Au, Ag)/Ti 薄膜のナノ構造

^○神子公男¹，野瀬健二¹，光田好孝¹，河在浩²，河在根² (東大生研¹，韓国光云大²)

09:30 〜 11:30

[19a-PB3-3] Ag(110)上に合成したTiO₂超薄膜の電子状態：X線吸収端近傍微細構造

^○（M2）杉崎裕一¹，中村卓也¹，石田周平¹，枝元一之^1,2，掛札洋平¹，小澤健一³，間瀬一彦⁴ (立教大理¹，未来分子研究センター²，東工大理工³，高エネルギー加速器研究機構⁴)

09:30 〜 11:30

[19a-PB3-4] 走査トンネル顕微鏡を用いた単一鎖カーボンナノチューブのナノスケール発光制御

^○片野諭，藤田寛人，魏濤，上原洋一 (東北大通研)

09:30 〜 11:30

[19a-PB3-5] 超音速分子線を用いて酸化されたSi(113)表面の解析

^○田中一馬¹，大野真也¹，小玉開¹，吉越章隆²，寺岡有殿²，田中正俊¹ (横国大院工¹，原子力機構²)

09:30 〜 11:30

[19a-PB3-6] Ga/Si(100)表面再構成構造上GaSb 3次元島の成長形態解析

^○戸田隆介¹，町田龍人¹，緒方悟公¹，藤川紗千恵¹，原紳介²，藤代博記¹ (東理大院基礎工¹，情通機構²)

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[17a-A6-1~9] 6.5 表面物理・真空

[17a-A6-1] GaAs(001)表面上への平坦金属薄膜の形成

[17a-A6-2] RHEED鏡面反射電子に対する表面プラズモンの異常励起

[17a-A6-3] Ge/Si(111)ヘテロエピタキシャル成長過程におけるSi(111)7×7表面再構成ストレスのその場観察

△ [17a-A6-4] 清浄Ge(001)および金属(Pb, In)吸着Ge(001)における電子状態

[17a-A6-5] Ge(111)-c(2×8)表面の酸化発展のO₂並進エネルギー依存性

[17a-A6-6] Si(100)-2×1表面の分子状吸着状態の放射光リアルタイム光電子分光による時分割観察

[17a-A6-7] 不活性Si(001)表面上のα-sexithiophene薄膜の成長と電子状態

[17a-A6-8] Si表面上における分子柵内へのTMP分子の閉じ込め

△ [17a-A6-9] 走査トンネル顕微鏡を用いたSi基板上への銀ナノ粒子の作製と形状制御

[17p-A6-1~8] 6.5 表面物理・真空

[17p-A6-1] STMを用いたAu(111)上ヘリセンジオール分子アセンブリのキラル分子認識

[17p-A6-2] サファイア上にミストCVD成長させたα-Ga₂O₃薄膜のCAICISSによる表面構造解析

[17p-A6-3] フレキシブル基板上 ITO 薄膜の熱的相転移過程解明に関する研究

[17p-A6-4] 電子放出材料としてのMgO粉体の解析

[17p-A6-5] 高温環境下における白金ナノギャップ電極の抵抗変化効果

△ [17p-A6-6] In-situ電気化学プロセスによるイオン液体と水素終端Si(111)界面の評価

▲ [17p-A6-7] Improved Terahertz Radiation from Schottky Contact on Porous Silicon

[17p-A6-8] 金属ナノ構造中の局在プラズモン励起による光放射の理論-II

[19a-PB3-1~6] 6.5 表面物理・真空

[19a-PB3-1] Ag(111)表面上のCo薄膜におけるモアレ構造と磁性の第一原理計算

[19a-PB3-2] 脱濡れ（凝集) 現象を用いた自己組織化(Au, Ag)/Ti 薄膜のナノ構造

[19a-PB3-3] Ag(110)上に合成したTiO₂超薄膜の電子状態：X線吸収端近傍微細構造

[19a-PB3-4] 走査トンネル顕微鏡を用いた単一鎖カーボンナノチューブのナノスケール発光制御

[19a-PB3-5] 超音速分子線を用いて酸化されたSi(113)表面の解析

[19a-PB3-6] Ga/Si(100)表面再構成構造上GaSb 3次元島の成長形態解析