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[16a-B1-1~13] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

2016年9月16日(金) 09:00 〜 12:30 B1 (展示ホール内)

佐藤威友(北大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:00 〜 09:15

▼ [16a-B1-1] AlGaN/GaN HEMTs on Free-standing GaN Substrates with Critical Electric Field of 1.2 MV/cm

〇(M2)JIEHONG NG¹、Joel Asubar¹、Hirokuni Tokuda¹、Masaaki Kuzuhara¹ (1.University of Fukui)

09:15 〜 09:30

△ [16a-B1-2] ドレイン電極形状がAlGaN/GaN HEMTsの耐圧に与える影響

〇山崎泰誠¹、鈴木雄大¹、Asubar Joel¹、徳田博邦¹、葛原正明¹ (1.福井大院工)

09:30 〜 09:45

△ [16a-B1-3] 三次元FP構造AlGaN/GaN HEMTの電流コラプスに与える溝エッチング深さの効果

〇(M2)鈴木敦也¹、Joel Asubar¹、徳田博邦¹、葛原正明¹ (1.福井大院工)

09:45 〜 10:00

[16a-B1-4] オペランド顕微分光法を用いたGaN-HEMTにおける電流コラプス現象の機構解明

〇大美賀圭一¹、舘野泰範²、河内剛志²、駒谷務³、永村直佳⁴、今野隼⁵、高橋良暢⁵、小嗣真人⁵、堀場弘司⁶、尾嶋正治⁷、末光眞希¹、吹留博一¹ (1.東北大通研、2.住友電工、3.住友電工デバイス・イノベーション、4.NIMS、5.東京理科大学、6.KEK/PF、7.東京大学)

10:00 〜 10:15

[16a-B1-5] ドレイン電流DLTS,MCTS測定によるSi基板上AlGaN/GaN HEMT のトラップ評価

〇高林洸太¹、徳田豊¹ (1.愛知工大)

10:15 〜 10:30

[16a-B1-6] ホモエピタキシャル成長低ドープn型GaNの接合容量の周波数およびバイアス電圧依存性による深い準位の評価

〇須田淳¹、堀田昌宏¹ (1.京大院工)

10:45 〜 11:00

△ [16a-B1-7] MOVPE成長Siドープn型GaNの電気特性における貫通転位の影響

〇澤田直暉¹、成田哲生²、上杉勉²、加地徹³、堀田昌宏¹、須田淳¹ (1.京大院工、2.豊田中研、3.名大)

11:00 〜 11:15

[16a-B1-8] GaN MOS 界面における表面ポテンシャル揺らぎの絶縁膜形成温度依存性

〇田岡紀之¹、久保俊晴²、山田寿一¹、江川孝志²、清水三聡¹ (1.産総研、2.名工大)

11:15 〜 11:30

[16a-B1-9] Mgドープp-GaNのホール効果温度特性評価と価電子帯の有効状態密度に関する考察

〇堀田昌宏¹、高島信也²、田中亮²、上野勝典²、江戸雅晴²、高橋言緒³、清水三聡³、須田淳³ (1.京大院工、2.富士電機、3.産総研)

11:30 〜 11:45

△ [16a-B1-10] AlGaN/GaN MOS-HEMT電気特性劣化のゲート絶縁膜成膜温度依存性の検証

〇(M1)渡邉健太¹、野崎幹人¹、山田高寛¹、中澤敏志²、按田義治²、石田昌宏²、上田哲三²、細井卓治¹、志村考功¹、渡部平司¹ (1.阪大院工、2.Panasonic)

11:45 〜 12:00

[16a-B1-11] リモートプラズマCVD SiO₂/GaN界面の光電子分光分析

〇グェンスァンチュン¹、大田晃生¹、牧原克典¹、池田弥央¹、宮崎誠一¹ (1.名大院工)

12:00 〜 12:15

[16a-B1-12] 高感度電子線ホログラフィーによるGaN/AlGaN界面に形成された２次元電子ガス層の可視化

〇山本和生¹ (1.ファインセラミックスセンター)

12:15 〜 12:30

[16a-B1-13] Si基板上AlGaN/GaN HEMT 構造におけるAlN初期層の電流AFM評価

〇各務憲¹、山岡優哉^1,2、江川孝志¹、生方映徳²、田渕俊也²、松本功² (1.名工大院、2.大陽日酸)

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