シンポジウム(口頭講演)
シンポジウム » 窒化物半導体特異構造の科学 ～先進GaN電子デバイスのための結晶成長・評価・応用～
13:00 〜 13:10
〇藤岡 洋1 (1.東大)
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13:10 〜 13:40
〇秩父 重英1、斉藤 真1,2、包 全喜1,3、栗本 浩平3、冨田 大輔1、嶋 紘平1、小島 一信1、鏡谷 勇二2、茅野 林造3、石黒 徹1 (1.東北大多元研、2.三菱ケミカル、3.日本製鋼所)
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13:40 〜 14:10
〇須田 淳1,2,3、堀田 昌宏3 (1.名大院工、2.名大未来材シス研、3.京大院工)
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14:10 〜 14:40
〇藤倉 序章1、今野 泰一郎1、吉田 丈洋1、堀切 文正1 (1.サイオクス)
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15:00 〜 15:30
〇松岡 隆志1 (1.東北大金研)
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15:30 〜 16:00
〇石谷 善博1、馬 ベイ1、大木 健輔1、坂本 裕則1、森田 健1 (1.千葉大工)
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16:00 〜 16:30
〇小谷 淳二1、山田 敦史1、中村 哲一1 (1.富士通(株))
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