シンポジウム(口頭講演)
[6p-A301-1~7] 窒化物半導体特異構造の科学 ～先進GaN電子デバイスのための結晶成長・評価・応用～
13:00 〜 13:10
〇藤岡 洋1 (1.東大)
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13:10 〜 13:40
〇秩父 重英1、 斉藤 真1,2、 包 全喜1,3、 栗本 浩平3、 冨田 大輔1、 嶋 紘平1、 小島 一信1、 鏡谷 勇二2、 茅野 林造3、 石黒 徹1 (1.東北大多元研、2.三菱ケミカル、3.日本製鋼所)
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13:40 〜 14:10
〇須田 淳1,2,3、 堀田 昌宏3 (1.名大院工、2.名大未来材シス研、3.京大院工)
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14:10 〜 14:40
〇藤倉 序章1、 今野 泰一郎1、 吉田 丈洋1、 堀切 文正1 (1.サイオクス)
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15:00 〜 15:30
〇松岡 隆志1 (1.東北大金研)
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15:30 〜 16:00
〇石谷 善博1、 馬 ベイ1、 大木 健輔1、 坂本 裕則1、 森田 健1 (1.千葉大工)
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16:00 〜 16:30
〇小谷 淳二1、 山田 敦史1、 中村 哲一1 (1.富士通(株))
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