〇(D)Liu Jiaqi¹、Kenichi Ozawa^2,3、Kazuya Tajima¹、Namiki Uezono¹、Muhammad Monirul Islam¹、Kazuhiko Mase^2,3、Takeaki Sakurai¹ (1.Univ. of Tsukuba、2.IMSS, KEK、3.SOKENDAI)

14:30 〜 14:45

[23p-E106-5] RFマグネトロンスパッタ法によるCu₃N薄膜の窒素分圧依存性

〇(M1)大石美帆¹、齊藤勝彦¹、郭其新¹、田中徹¹ (1.佐賀大学)

14:45 〜 15:00

[23p-E106-6] 【注目講演】高光透過性を有する世界最高効率8.4%の透過型Cu₂O太陽電池の開発

〇芝崎聡一郎¹、保西祐弥¹、中川直之¹、山崎六月¹、水野幸民¹、西田靖孝¹、杉本寛太²、山本和重¹ (1.東芝研究開発センター、2.東芝生産技術センター)

15:00 〜 15:15

△ [23p-E106-7] 透過型Cu₂O太陽電池のデバイス構造モデリングと高効率化指針の探索

〇杉本寛太¹、中川直之²、水野幸民²、芝崎聡一郎²、西田靖孝²、保西祐弥²、山崎六月²、山本和重² (1.東芝生産技術センター、2.東芝研究開発センター)

15:30 〜 15:45

[23p-E106-8] 陽子線および電子線照射がリン系希薄窒化物太陽電池の光起電力特性に与える効果

〇山根啓輔¹、大島武²、中村徹哉³、今泉充³、若原昭浩¹ (1.豊橋技科大工、2.量研、3.宇宙機構)

15:45 〜 16:00

△ [23p-E106-9] GaPN混晶中の空孔型欠陥と窒素起因点欠陥の反応・消滅メカニズムの理論的解析

〇大根駿¹、山根啓輔¹、牧唯人¹、若原昭浩¹ (1.豊橋技科大)

16:00 〜 16:15

▼ [23p-E106-10] Al_0.35GaAs/InGaP Heterojunction Solar Cell Based on Temperature Graded Growth

〇Gan Li¹、Hassanet Sodabanlu²、Kentaroh Watanabe²、Yoshiaki Nakano¹、Masakazu Sugiyama^1,2 (1.The Univ. of Tokyo、2.RCAST)

16:15 〜 16:30

▲ [23p-E106-11] Impact of GaAs substrate mis-orientation on InGaP grown by MOVPE

〇Hassanet Sodabanlu¹、Kentaroh Watanabe¹、Yoshiaki Nakano²、Masakazu Sugiyama^1,2 (1.RCAST, U. of Tokyo、2.School of Eng, U. of Tokyo)

16:30 〜 16:45

[23p-E106-12] 構造及び吸収層厚さの検討によるInGaAsP 単接合太陽電池の高効率化

〇(M2)横田莉子¹、渡辺健太郎²、ソダーバンルハサネット²、中野義昭¹、杉山正和^1,2 (1.東大工、2.東大先端研)

16:45 〜 17:00

[23p-E106-13] 逆積み格子不整合系InGaAs太陽電池の逆格子マッピングによる転位すべり面の解析

〇大窪純矢¹、河野将大¹、田澤昂大¹、鈴木秀俊¹、小倉暁雄²、今泉充² (1.宮崎大工、2.宇宙航空研究開発機構)

17:15 〜 17:30

[23p-E106-14] 2段階フォトンアップコンバージョン太陽電池におけるヘテロ界面のバンド内遷移の光吸収率

〇朝日重雄¹、Mahamu Hambalee¹、喜多隆¹ (1.神戸大工)

17:30 〜 17:45

[23p-E106-15] 正孔フォトンアップコンバージョン太陽電池の赤外光照射による光電流制御

〇(B)豊友太¹、朝日重雄¹、Mahamu Hambalee¹、Nielsen Michael²、Ekins-Daukes Nicholas²、喜多隆¹ (1.神戸大工、2.ニューサウスウェールズ大)

17:45 〜 18:00

[23p-E106-16] PbS 量子ドット超格子膜を光吸収層として用いた中間バンド型太陽電池の理論的検討

〇増田伊吹¹、向井剛輝¹ (1.横浜国大理工)

18:00 〜 18:15

[23p-E106-17] 薄膜中間バンド型太陽電池の電流増大に向けた量子ドット位置の最適化

〇樗木悠亮^1,2、北原健渡¹、宮下直也²、岡田至崇^1,2 (1.東大院工、2.東大先端研)

18:15 〜 18:30

[23p-E106-18] ホットキャリア太陽電池の高効率化のためのワイドバンドギャップエネルギー選択性コンタクト

〇竹田康彦¹ (1.豊田中研)

18:30 〜 18:45

[23p-E106-19] 熱回収型太陽電池タイプ０による開放電圧実験の進展

〇上出健仁¹、佐久間惇²、望月敏光¹、秋山英文^2,3、高遠秀尚¹ (1.産総研、2.東大物性研、3.OPERANDO-OIL)

一般セッション(ポスター講演)

[24p-P03-1~9] 13.9 化合物太陽電池

2022年3月24日(木) 13:30 〜 15:30 P03 (ポスター)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

13:30 〜 15:30

[24p-P03-1] 陽子線・電子線照射されたGaAsPN太陽電池の光起電力特性の解析

〇平井健登¹、山根啓輔¹、大島武²、中村徹哉³、今泉充³、若原明浩¹ (1.豊橋技科大、2.量研、3.宇宙研)

13:30 〜 15:30

[24p-P03-2] Ge/(Ge+Sn)比がCTGS薄膜の表面粗さに与える影響

〇金井綾香^1,3、杉山睦^1,2 (1.東理大　理工、2.東理大　総研、3.学振DC)

13:30 〜 15:30

[24p-P03-3] Cs添加がCu₂SnS₃太陽電池に与える影響

〇金森大輝¹、金井綾香¹、杉山睦^1,2 (1.東理大　理工、2.東理大　総研)

13:30 〜 15:30

[24p-P03-4] Sn-Sプリカーサに対する高温での硫化処理がSnS薄膜に及ぼす影響

〇浦野悟至¹、杉山睦^1,2 (1.東理大　理工、2.東理大　総研)

13:30 〜 15:30

[24p-P03-5] SnSバルク結晶へのSbドーピング

大澤育巳¹、石谷康平¹、〇野瀬嘉太郎¹、永岡章²、西岡賢祐² (1.京大院工、2.宮大工)

13:30 〜 15:30

[24p-P03-6] Cu(In,Ga)Se₂の価電子帯上端が水分解に及ぼす影響

〇植田かな¹、屋代貴彦¹、杉山睦^1,2 (1.東理大　理工、2.東理大　総研)

13:30 〜 15:30

[24p-P03-7] 高活性SrTiO₃水分解光触媒の合成：希土類酸化物の添加効果

〇岡本陸¹、池田茂¹、木村昭¹、富澤亮太²、増田泰造²、奥村健一² (1.甲南理工、2.トヨタ自動車)

13:30 〜 15:30

[24p-P03-8] デバイスシミュレータによるZnSnP₂太陽電池の動作解析

〇(B)三浦颯斗¹、桑野太郎¹、野瀬嘉太郎¹ (1.京大院工)

13:30 〜 15:30

[24p-P03-9] Ag-Sn-P 三元系状態図の実験的作成

〇(B)村上和則¹、住吉壱心²、野瀬嘉太郎² (1.京大工、2.京大院工)

セッション一覧

13 半導体 » 13.9 化合物太陽電池

[23a-E106-1~11] 13.9 化合物太陽電池

△ [23a-E106-1] Cu(In,Ga)(S,Se)2太陽電池に対するCs処理効果の光熱モードAFMによる検討

▲ [23a-E106-2] Impact of quasi-fermi level splitting and sub-bandgap absorptivity on the VOC loss inCIGS solar cells

[23p-E106-1~19] 13.9 化合物太陽電池

△ [23p-E106-1] ZnSnP2バルク結晶成長における欠陥形成挙動

▲ [23p-E106-4] Electronic structure of the Bi4V2O11 (001) surface by ARPES

△ [23p-E106-7] 透過型Cu2O太陽電池のデバイス構造モデリングと高効率化指針の探索

△ [23p-E106-9] GaPN混晶中の空孔型欠陥と窒素起因点欠陥の反応・消滅メカニズムの理論的解析

▼ [23p-E106-10] Al0.35GaAs/InGaP Heterojunction Solar Cell Based on Temperature Graded Growth

▲ [23p-E106-11] Impact of GaAs substrate mis-orientation on InGaP grown by MOVPE

[24p-P03-1~9] 13.9 化合物太陽電池

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△ [23a-E106-1] Cu(In,Ga)(S,Se)₂太陽電池に対するCs処理効果の光熱モードAFMによる検討

▲ [23a-E106-2] Impact of quasi-fermi level splitting and sub-bandgap absorptivity on the V_OC loss in
CIGS solar cells

△ [23p-E106-1] ZnSnP₂バルク結晶成長における欠陥形成挙動

▲ [23p-E106-4] Electronic structure of the Bi₄V₂O₁₁ (001) surface by ARPES

△ [23p-E106-7] 透過型Cu₂O太陽電池のデバイス構造モデリングと高効率化指針の探索

▼ [23p-E106-10] Al_0.35GaAs/InGaP Heterojunction Solar Cell Based on Temperature Graded Growth