[15a-B410-1~9] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[15a-B410-5] シリコンビアホールエッチングにおけるテーパー角制御の研究

〇田中 宏幸¹、徳永 博司²、野沢 善幸³、速水 利泰³、クンプアン ソマワン^1,4、原 史朗^1,4,5 (1.産総研、2.MTC、3.SPPテクノロジーズ、4.ミニマルファブ推進機構、5.Hundred Semiconductors)

キーワード：ボッシュ、ミニマル、MEMS

実装技術向上のためシリコン貫通ビアをミニマル装置によるBosch Processでシリコン貫通ビア深掘りエッチングを行うには、Si基板を所望の深さまでエッチングするまでの間、絶縁層形成やシードスパッタ形成の妨げとならないよう、僅かに順テーパー形状となることが望ましい。ところが、高アスペクト比ビアホール形状の場合は、テーパー形状作りが困難であった。この問題に対して、Bosch Process方式でありながらエッチングステップのSF₆にC₄F₈ガスを微量添加させることで、微少なテーパーを維持したシリコンビアホールを形成できた。