[18p-C309-1~13] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

[18p-C309-8] Mg-CF₄直流反応性スパッタリング放電における負のプラズマ電位の発生

〇草野 英二¹ (1.金沢工大)

キーワード：反応性スパッタリング、負イオン、電気陰性プラズマ

Mg- CF₄直流反応性スパタリング放電におけるプラズマ電位の変化を静電プローブ測定により評価した．Ar- CF₄放電ガス中のCF₄濃度を高くしていくとプラズマ電位は低くなり，放電ガス圧1.2 PaにおいてCF₄を100％とした場合には約-50 Vとなった．また，その際に浮遊電位は約-80 Vとなった．プローブ電位-電流曲線の二次微分曲線において負イオンに起因すると考えられるピークが観察された．