PDF ダウンロード スケジュール 19 14:00 〜 14:20 [A29-2pm-04] Sn(IV)スカベンジャー法を用いた高純度スズ系ペロブスカイト半導体膜の作製 ○中村 智也1、Minh Anh Truong1、Shuaifeng Hu1、大塚 健斗1、橋本 塁人1、Richard Murdey1、笹森 貴裕2、Hyung Do Kim3、大北 英生3、半田 岳人1、金光 義彦1、若宮 淳志1 (1. 京大化研、2. 筑波大数理、3. 京大院工) [言語]日本語 キーワード:半導体、ペロブスカイト、太陽電池、ナノ粒子、還元剤