一般セッション(口頭講演)

[16p-A4-1~14] 16.3 シリコン系太陽電池

2013年9月16日(月) 13:30 〜 17:15 A4 (TC1 2F-216)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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13:30 〜 13:45

[16p-A4-1] 砂漠の砂(珪砂)の可溶化と高純度化

^○（P）坪内賢太¹，西村聡之²，伊高健治³，中井泉⁴，伊藤美久⁴，増田賢太⁵，三浦啓一⁵，豊蔵信夫¹，鯉沼秀臣¹ (東大新領域¹，NIMS²，弘前大工³，東理大⁴，太平洋セメント⁵)

13:45 〜 14:00

[16p-A4-2] マイクロ波加熱による高純度シリカの直接還元

^○（P）坪内賢太¹，石原慎之介²，渡辺玄²，林幸²，永田和宏³，増田賢太⁴，三浦啓一⁴，清水政義⁵，豊蔵信夫¹，鯉沼秀臣¹ (東大新領域¹，東工大²，東京芸大³，太平洋セメント⁴，清水電設工業⁵)

14:00 〜 14:15

[16p-A4-3] 鋳造シリコン成長中の Si/Si₃N₄界面における濡れと浸潤現象

^○李建永^{1, 2}，Karolin Jiptner²，Ronit.r Prakash²，陳君²，関口隆史²，原田博文²，宮村佳児²，大下祥雄³，柿本浩一⁴ (明治大¹，物材機構²，豊田工大³，九州大⁴)

14:15 〜 14:30

▲ [16p-A4-4] 数値計算を用いた円筒状単結晶における転位発生に対する冷却フラックスの影響

^○高冰¹，中野智¹，原田博文²，宮村佳児²，関口隆史²，柿本浩一¹ (九大応力研¹，物質・材料研究機構²)

14:30 〜 14:45

[16p-A4-5] 太陽電池用多結晶シリコン育成時における転位密度および残留応力と結晶からの熱流出量の関係

^○中野智¹，高冰¹，原田博文²，宮村佳児²，関口隆史²，柿本浩一¹ (九大応力研¹，物質・材料研究機構²)

14:45 〜 15:00

▲ [16p-A4-6] Directional Growth of Multicrystalline Silicon from Microcrystal Feedstock

^○Ronit Prakash^1,2，宮村佳児¹，陳君¹，Karolin Jiptner¹，李建永^1,3，原田博文¹，関口隆史^1,2 (物材機構¹，筑波大²，明治大³)

休憩　（15:00 〜 15:15）

15:15 〜 15:30

[16p-A4-7] 機能性粒界を利用した70ｋｇモノライクSiインゴットの成長

^○沓掛健太朗^{1, 3}，宇佐美徳隆²，大野裕¹，徳本有紀¹，米永一郎¹ (東北大金研¹，名大院工²，JSTさきがけ³)

15:30 〜 15:45

[16p-A4-8] PLイメージングによるモノライクSi中の転位分布の評価

^○二宮駿也¹，沓掛健太朗^1,2，大野裕¹，徳本有紀¹，宇佐美徳隆³，米永一郎¹ (東北大金研¹，JST さきがけ²，名大院工³)

15:45 〜 16:00

▲ [16p-A4-9] Control of microstructures and reduction of stress in multicrystalline Si ingot grown by floating cast method using designed double crucibles

^○（P）Supawan Joonwichien，松島悟，高橋勲，宇佐美徳隆 (名大院工)

16:00 〜 16:15

[16p-A4-10] 浮遊キャスト法により作製した大型インゴットの粒界性格と転位発生の関係

^○高橋勲，Supawan Joonwichien，松島悟，宇佐美徳隆 (名古屋大工)

16:15 〜 16:30

[16p-A4-11] Noncontact crucible methodを用いたSiインゴット結晶の成長

^○村井良多，中嶋一雄，森下浩平 (京大エネ科)

16:30 〜 16:45

[16p-A4-12] Noncontact crucible methodを用いた正方形のSiインゴット単結晶の成長

^○中嶋一雄，村井良多，森下浩平 (京都大エネ科)

16:45 〜 17:00

△ [16p-A4-13] 高濃度・高補償比Si結晶中のドナー・アクセプタ不純物の振舞

^○田中香次^{1, 2}，田島道夫^{1, 2}，Maxime Foster³，豊田裕之¹，小椋厚志² (JAXA宇宙研¹，明大院²，APOLLON SOLAR³)

17:00 〜 17:15

△ [16p-A4-14] 太陽電池用多結晶シリコンの極低温遠赤外吸収測定

^○佐藤邦孝^1,2，宇野匠^1,2，小椋厚志¹，小野春彦^1,2 (明治大¹，神奈川県産技セ²)

一般セッション(口頭講演)

[17a-A4-1~11] 16.3 シリコン系太陽電池

2013年9月17日(火) 09:00 〜 12:00 A4 (TC1 2F-216)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

△ [17a-A4-1] サブミクロンサイズのナノインプリントテクスチャにおける光反射シミュレーション

^○吉永征矢¹，石河泰明^1,2，荒木慎司¹，姜雲建¹，堀田昌宏^1,2，浦岡行治^1,2 (奈良先端科学技術大学院大¹，CREST²)

09:15 〜 09:30

△ [17a-A4-2] 化学的転写法を用いた極低反射Si太陽電池の作製

^○今村健太郎，Francisco Jr Franco，入鹿大地，小林光 (阪大産研)

09:30 〜 09:45

[17a-A4-3] エッチバック法を用いた結晶Si太陽電池の高効率化

^○仙波妙子¹，山崎敏栄¹，高遠秀尚²，坂田功² (ナミックス¹，産総研²)

09:45 〜 10:00

[17a-A4-4] スピンエッチング法を用いた結晶Siウェハの片面エッチング

^○王洋¹，木田康博²，高遠秀尚²，堤利幸¹，坂田功² (明大理工¹，産総研²)

10:00 〜 10:15

[17a-A4-5] AlファイヤースルーペーストとAl₂O₃パッシベーション膜を用いた裏面構造の形成

^○（P）立花福久¹，池野成裕²，青木真理¹，大下祥雄¹，小椋厚志²，佐藤真一³，川本裕介⁴，吉野泰⁴ (豊田工業大¹，明学　²，兵庫県立大³，ノリタケカンパニーリミテド⁴)

10:15 〜 10:30

[17a-A4-6] KFMを用いたSi-電極界面のナノスケールにおける仕事関数測定

^○（PC）山田郁彦¹，吉田学²，徳久英雄²，青木真理¹，伊東宇一²，住田勲勇¹，関根重信³，神谷格¹，大下祥雄¹ (豊田工大¹，産総研²，ナプラ³)

休憩　（10:30 〜 10:45）

10:45 〜 11:00

[17a-A4-7] ポンプ‐プローブ・レーザーテラヘルツエミッション顕微鏡による太陽電池局所特性評価

^○中西英俊¹，伊藤明¹，高山和久²，川山巌²，村上博成²，斗内政吉² (大日本スクリーン製造¹，阪大レーザー研²)

11:00 〜 11:15

[17a-A4-8] 高温高湿加速条件下における結晶Si PVモジュール劣化

^○鈴木聡¹，増田淳²，土井卓也²，棚橋紀悟¹ (エスペック¹，産総研²)

11:15 〜 11:30

[17a-A4-9] 太陽電池モジュールの加速試験下の水蒸気浸入速度とモジュール劣化

^○森田秀幸^1,2，宮下正範^1,2，増田淳³ (太陽光発電技術研究組合¹，東レ²，産総研³)

11:30 〜 11:45

[17a-A4-10] 太陽電池バックシート水蒸気透過性の劣化機構への影響

^○計智郎¹，門脇将²，清水成宜³，鈴木健太郎⁴，辺田祐志⁵，田中秀樹⁶，小野里淳⁵，阪本貞夫⁷，土井卓也⁷，増田淳⁷ (凸版印刷¹，大日本印刷²，日立化成³，帝人デュポンフィルム⁴，デュポン⁵，東京エレクトロン⁶，産総研⁷)

11:45 〜 12:00

[17a-A4-11] 軽量アクリル樹脂太陽電池モジュールのPID特性

^○宮内陽子¹，時光亨¹，井上昌尚²，原浩二郎²，増田淳² (三菱レイヨン¹，産総研²)

一般セッション(ポスター講演)

[17p-P12-1~8] 16.3 シリコン系太陽電池

2013年9月17日(火) 13:30 〜 15:30 P12 (デイヴィス記念館 )

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:30 〜 15:30

[17p-P12-1] 化学溶液法によるZnO系薄膜の作製とそのCLマッピング

^○田中清高¹，笹瀬大樹²，伊野裕司¹，吉田豊² (静理大総技研¹，静理大理工²)

13:30 〜 15:30

[17p-P12-2] ClF3 プラズマレスドライエッチングを用いた単結晶Si太陽電池のテクスチャ処理の最適化(II)

宮坂吉徳，小笠原幹，^○渡邊良祐，齋藤洋司 (成蹊大院理工)

13:30 〜 15:30

[17p-P12-3] テクスチャ化Si太陽電池におけるスピンコーティング法による反射防止膜の形成と光学的特性

江口陽平，中井康人，山田拓也，齋藤洋司，^○渡邊良祐 (成蹊大院理工)

13:30 〜 15:30

[17p-P12-4] スピンコート法で作製したアルミナ薄膜のSi表面パッシベーション効果

川島瑞穂，^○渡邊良祐，齋藤洋司 (成蹊大理工)

13:30 〜 15:30

[17p-P12-5] 結晶Si/PEDOT:PSSへテロ接合太陽電池の水素パッシベーション効果

^○渡辺恭平，山中孝紀，石川良，上野啓司，白井肇 (埼玉大理工研)

13:30 〜 15:30

[17p-P12-6] 分光エリプソメトリーによるテクスチャー構造c-Si上PEDOT:PSS塗布形態の考察

^○宮内直人，菅原広充，石川良，上野啓示，白井肇 (埼玉大)

13:30 〜 15:30

[17p-P12-7] 白色光照射下のレーザーテラヘルツエミッション顕微鏡による両面受光太陽電池の局所特性評価

^○伊藤明¹，中西英俊¹，高山和久²，川山巌²，村上博成²，斗内政吉² (大日本スクリーン製造¹，阪大レーザー研²)

13:30 〜 15:30

[17p-P12-8] 実効厚み理論に基づく両面ガラス構造太陽電池モジュールの強度予測手法

^○下木有生^1,3，竹田悠太¹，Stephen Bennison²，小池康博³ (デュポン¹，E.I. DuPont²，慶大理工³)

一般セッション(口頭講演)

[18p-A4-1~18] 16.3 シリコン系太陽電池

2013年9月18日(水) 13:30 〜 18:15 A4 (TC1 2F-216)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:30 〜 13:45

[18p-A4-1] ダブルテクスチャZnO基板の光散乱特性

^○夏園皓誠¹，宮島晋介¹，和田英敏¹，Sichanugrist Porponth¹，西窪恵一¹，小長井誠^1,2 (東工大院理工¹，東工大太陽光発電システム研究センター²)

13:45 〜 14:00

△ [18p-A4-2] 酸化物超微粒子を用いた平坦かつ光散乱性を有する透明導電膜基板

^○三浦修平¹，田代真樹¹，鈴木一鋭¹，野田真一²，堀茂雄¹，野々村修一^1,2 (岐大院工¹，岐大工²)

14:00 〜 14:15

[18p-A4-3] 転写銀ナノ構造を用いた薄膜シリコン系太陽電池のプラズモニック光閉じ込め

^○水野英範¹，齋均¹，松原浩司¹，近藤道雄² (産総研太陽光¹，産総研²)

14:15 〜 14:30

△ [18p-A4-4] シラン放電プラズマ初期のクラスター発生と膜への取り込み

^○橋本優史¹，都甲将¹，金淵元¹，山下大輔¹，内田儀一郎¹，徐鉉雄¹，板垣奈穂^1,2，鎌滝晋礼¹，古閑一憲¹，白谷正治¹ (九大¹，科学技術振興機構²)

14:30 〜 14:45

[18p-A4-5] プロセス温度制御による高光安定a-Si:Hの作製

^○小渡晃平¹，杉原大二郎¹，傍島靖^1,2，佐田千年長^1,2，松田彰久^1,2，岡本博明^1,2 (阪大院基礎工¹，JST-CREST²)

14:45 〜 15:00

[18p-A4-6] a-SiO:Hとa-SiC:Hの製膜プロセスの比較検討

^○柿本真之介¹，奥本凌二¹，傍島靖^1,2，佐田千年長^1,2，松田彰久^1,2，岡本博明^1,2 (阪大院基礎工¹，JST-CREST²)

15:00 〜 15:15

[18p-A4-7] a-Si:H、a-SiO:H、a-SiC:Hのp型ドーピング特性の検討

^○木谷彬彦¹，田中貫¹，傍島靖^1,2，佐田千年長^1,2，松田彰久^1,2，岡本博明^1,2 (阪大院基礎工¹，JST-CREST²)

15:15 〜 15:30

△ [18p-A4-8] 量子分子動力学シミュレーションによる薄膜シリコン太陽電池の結晶成長機構に関する研究

^○（D）桑原卓哉，伊藤寿，樋口祐次，尾澤伸樹，久保百司 (東北大院工)

15:30 〜 15:45

△ [18p-A4-9] ブルーレーザダイオードアニール（BLDA）法による結晶化Si膜を用いたタンデム構造薄膜太陽電池の提案

^○新垣喬之，具志堅貴也，岡田竜弥，野口隆 (琉球大工)

15:45 〜 16:00

▲ [18p-A4-10] Electrical properties of germanium alloyed layers as a low-band gap absorber for thin film silicon solar cells

^○Adrien Bidiville，Takuya Matsui，Michio Kondo (AIST)

休憩　（16:00 〜 16:15）

16:15 〜 16:30

[18p-A4-11] 太陽電池応用に向けたシリコンナノワイヤ構造の光学特性評価

^○（M2）森田尊彦¹，加藤慎也³，宮島晋介¹，小長井誠^1,2,3 (東工大院¹，東工大太陽光システム研究センター²，科学技術振興機構³)

16:30 〜 16:45

[18p-A4-12] Siナノウォールタンデムセル

^○冨澤浩¹，市川幸美¹，宮島晋介²，小長井誠^1,2 (科学技術振興機構¹，東工大²)

16:45 〜 17:00

[18p-A4-13] タイプII型積層Ge量子ドットの近接化と太陽電池応用

^○（D）後藤和泰¹，大島隆治²，菅谷武芳²，坂田功²，松原浩司²，近藤道雄^1,2 (東工大総理工¹，産総研²)

17:00 〜 17:15

▲ [18p-A4-14] Large open-circuit-photovoltage effect in nanocrystalline silicon membrane cells

^○（D）Romain Mentek¹，Bernard Gelloz²，筆宝大平¹，越田信義¹ (農工大院工¹，名大工²)

17:15 〜 17:30

[18p-A4-15] 量子構造太陽電池の多接合化における電圧整合と波長選択層の提案

^○新藤弘章，鄭辰，河合直行，和田一実 (東大)

17:30 〜 17:45

△ [18p-A4-16] 電界効果型薄膜太陽電池の構造に関する検討

^○（M1）若宮彰太，小林孝裕，松尾直人，部家彰 (兵県大)

17:45 〜 18:00

[18p-A4-17] チャージポンピング法を用いた三次元Si構造の界面準位密度測定

^○石川昂¹，小路智也²，角嶋邦之³，若林整³，片岡好則³，西山彰³，杉井信之³，筒井一生³，名取研二²，岩井洋² (東工大工学部¹，東工大フロンティア研²，東工大総理工³)

18:00 〜 18:15

[18p-A4-18] チャージポンピング法を用いた立体Si構造の絶縁膜界面準位の位置推定

^○小路智也¹，石川昂¹，角嶋邦之²，片岡好則²，西山彰²，杉井信之²，若林整²，筒井一生²，名取研二¹，岩井洋¹ (東工大フロンティア研¹，東工大総理工²)

一般セッション(口頭講演)

[19a-A4-1~11] 16.3 シリコン系太陽電池

2013年9月19日(木) 09:00 〜 12:00 A4 (TC1 2F-216)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

△ [19a-A4-1] 大気圧ミストCVD法で作製した酸化アルミニウム(AlO_x)薄膜の太陽電池用パッシベーション応用

^○内田貴之¹，川原村敏幸²，柴山健次¹，藤田静雄¹，平松幸浩³，織田容征³ (京大院工¹，高知工大　ナノ研²，東芝三菱電機産業システム³)

09:15 〜 09:30

[19a-A4-2] ミストCVD法により製膜したAlO_x膜のパッシベーション特性

^○井口功嗣^1,3，三木祥平^1,3，今枝博紀^1,3，酒井智香子^1,3，吉田晴彦^1,3，堀田育志^1,3，小椋厚志^2,3，佐藤真一^1,3，新船幸二^1,3 (兵庫県立大¹，明大²，JST-CREST³)

09:30 〜 09:45

[19a-A4-3] 結晶シリコン太陽電池用a-SiN_Xパッシベーション特性の屈折率依存

^○山本俊輔^1,3，漆畑孝^1,3，酒井智香子^1,3，吉田晴彦^1,3，堀田育志^1,3，小椋厚志^2,3，佐藤真一^1,3，新船幸二^1,3 (兵庫県立大¹，明大²，JST-CREST³)

09:45 〜 10:00

[19a-A4-4] SrO/Si構造のアニール処理によって作製したSrSiO_x層の化学組成

^○（M1）谷脇将太¹，豊嶋祐樹¹，堀田育志^1,3，吉田晴彦^1,3，新船幸二^1,3，小椋厚志^2,3，佐藤真一^1,3 (兵庫県立大¹，明大²，JST-CREST³)

10:00 〜 10:15

[19a-A4-5] 選択的Si酸化を用いたc-Si/a-Siヘテロ接合界面における漏れ電流抑制技術の検討

^○三和寛之，西田哲，牟田浩司，野々村修一，栗林志頭眞 (岐阜大院工)

10:15 〜 10:30

[19a-A4-6] SPMを用いたc-Si/a-Si:Hヘテロ接合部での電流測定

^○西田哲，兼松雅斗，武藤芳樹，吉田憲充，牟田浩司，野々村修一，栗林志頭眞 (岐阜大院工)

休憩　（10:30 〜 10:45）

10:45 〜 11:00

[19a-A4-7] SiN_x/a-Si積層パッシベーション膜の結晶シリコン太陽電池応用

^○津崎省吾¹，小山晃一^1,2，大平圭介^1,2，松村英樹^1,2 (北陸先端大¹，JST CREST²)

11:00 〜 11:15

[19a-A4-8] HIT構造セルにおける受光面側各層の設計指針：シミュレーションによる検討

^○（P）神岡武文¹，林豊¹，中村京太郎²，大下祥雄¹ (豊田工業大¹，明治大²)

11:15 〜 11:30

[19a-A4-9] リヤエミッタシリコンヘテロ接合太陽電池の優位性

^○中村宣孝，小林英治，渡部嘉 (長州産業)

11:30 〜 11:45

[19a-A4-10] 歪み緩和SiGe薄膜を用いたヘテロ接合型太陽電池の作製

^○大島隆治，中山光之，川浪仁志，高遠秀尚，松原浩司，坂田功 (産総研)

11:45 〜 12:00

[19a-A4-11] SiH₄、GeH₄とF₂を用いた反応性CVD法による単結晶SiGe薄膜の成長とヘテロ接合太陽電池応用

^○野毛宏^1,2，金子哲也^1,2，近藤道雄²，岡田明³ (福島大¹，産総研²，コーニング³)

セッション一覧

16．非晶質・微結晶 » 16.3 シリコン系太陽電池

[16p-A4-1~14] 16.3 シリコン系太陽電池

▲ [16p-A4-4] 数値計算を用いた円筒状単結晶における転位発生に対する冷却フラックスの影響

▲ [16p-A4-6] Directional Growth of Multicrystalline Silicon from Microcrystal Feedstock

▲ [16p-A4-9] Control of microstructures and reduction of stress in multicrystalline Si ingot grown by floating cast method using designed double crucibles

△ [16p-A4-13] 高濃度・高補償比Si結晶中のドナー・アクセプタ不純物の振舞

△ [16p-A4-14] 太陽電池用多結晶シリコンの極低温遠赤外吸収測定

[17a-A4-1~11] 16.3 シリコン系太陽電池

△ [17a-A4-1] サブミクロンサイズのナノインプリントテクスチャにおける光反射シミュレーション

△ [17a-A4-2] 化学的転写法を用いた極低反射Si太陽電池の作製

[17p-P12-1~8] 16.3 シリコン系太陽電池

[18p-A4-1~18] 16.3 シリコン系太陽電池

△ [18p-A4-2] 酸化物超微粒子を用いた平坦かつ光散乱性を有する透明導電膜基板

△ [18p-A4-4] シラン放電プラズマ初期のクラスター発生と膜への取り込み

△ [18p-A4-8] 量子分子動力学シミュレーションによる薄膜シリコン太陽電池の結晶成長機構に関する研究

△ [18p-A4-9] ブルーレーザダイオードアニール（BLDA）法による結晶化Si膜を用いたタンデム構造薄膜太陽電池の提案

▲ [18p-A4-10] Electrical properties of germanium alloyed layers as a low-band gap absorber for thin film silicon solar cells

▲ [18p-A4-14] Large open-circuit-photovoltage effect in nanocrystalline silicon membrane cells

△ [18p-A4-16] 電界効果型薄膜太陽電池の構造に関する検討

[19a-A4-1~11] 16.3 シリコン系太陽電池

△ [19a-A4-1] 大気圧ミストCVD法で作製した酸化アルミニウム(AlOx)薄膜の太陽電池用パッシベーション応用

△ [19a-A4-1] 大気圧ミストCVD法で作製した酸化アルミニウム(AlO_x)薄膜の太陽電池用パッシベーション応用