一般セッション(口頭講演)

[18a-C11-1~8] 9.2 ナノワイヤ・ナノ粒子

2013年9月18日(水) 09:30 〜 11:30 C11 (TC3 2F-210)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:30 〜 09:45

[18a-C11-1] 水素酸素炎によるSr-NTA錯体由来のSrO粉末の合成

^○（B）伊関孝郎¹，外山歩¹，白井友之¹，小松啓志¹，中村淳^1,2，大塩茂夫¹，戸田育民¹，村松寛之¹，齋藤秀俊¹ (長岡技科大¹，中部キレスト²)

09:45 〜 10:00

[18a-C11-2] 粉体貯蔵槽内の静電気放電の検出

^○崔光石¹，最上智史²，鈴木輝夫² (安衛研¹，春日電機²)

10:00 〜 10:15

[18a-C11-3] 双極性防爆構造除電器の開発

^○最上智史¹，崔光石²，鈴木輝夫¹ (春日電機¹，安衛研²)

10:15 〜 10:30

[18a-C11-4] パルスアーク放電によるイオン液体中での鉄ナノ粒子合成

^○重本明彦¹，多中良栄¹，大崎秀介¹，吉井一記²，桑畑進²，茶谷原昭義³ (和工技¹，阪大工²，産総研³)

10:30 〜 10:45

[18a-C11-5] プルシアンブルーナノ粒子を用いたエレクトロクロミックフィルタによる色温度可変デバイス

^○伊豆崇則¹，山内哲¹，渡辺加津己¹，川本徹²，杉山泰² (パナソニック¹，産総研²)

10:45 〜 11:00

[18a-C11-6] Au ナノ粒子のCO 酸化における触媒活性化機構

^○（PC）光原圭¹，松田太志²，Visikovskiy Anton³，城戸義明² (立命館大・総研¹，立命館大・理工²，九大・工³)

11:00 〜 11:15

[18a-C11-7] Pressure Induced Evaporation Dynamics of Gold Nanoparticles on Oxide Substrate

Gang Meng，^○柳田剛，金井真樹，長島一樹，川合知二 (阪大産研)

11:15 〜 11:30

[18a-C11-8] 電気化学的手法による酸化チタン表面上への金ナノ粒子の堆積

^○木村康男，メディエルファシフィリ，戸邊翼，宮孝明，庭野道夫 (東北大通研)

一般セッション(口頭講演)

[18p-C11-1~14] 9.2 ナノワイヤ・ナノ粒子

2013年9月18日(水) 13:00 〜 16:45 C11 (TC3 2F-210)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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昼食　（11:30 〜 13:00）

13:00 〜 13:15

△ [18p-C11-1] n 型、p 型不純物同時ドーピングによる近赤外-可視発光コロイド状Si ナノ結晶の開発

^○（M2）杉本泰¹，藤井稔¹，今北健二¹，林真至¹，赤松謙佑² (神戸大院工¹，甲南大フロンティアサイエンス学部²)

13:15 〜 13:30

[18p-C11-2] コロイド状SiGeナノ結晶の作製と光学特性（I）

^○管野天，杉本泰，藤井稔，今北健二，林真至 (神戸大院工)

13:30 〜 13:45

[18p-C11-3] 溶液に分散したウンデシレン酸終端Siナノ結晶の発光特性

^○（M2）長田健司¹，松本公久¹，野村俊¹，神谷和秀¹，鈴木伸哉² (富山県立大¹，長野高専²)

13:45 〜 14:00

[18p-C11-4] シリコンナノ結晶とP3HTの複合体における光伝導特性評価

^○舩木健伍¹，近藤信啓¹，宇佐美浩一¹，小寺哲夫¹，河野行雄¹，野崎智洋²，小田俊理¹ (東工大量子ナノエレ研セ¹，東工大・院理工²)

14:00 〜 14:15

[18p-C11-5] 希釈窒化物半導体ナノワイヤ配列のフォトニック結晶応用の検討

^○石川史太郎^1,2，後藤洋昭²，森藤正人² (愛大¹，阪大²)

14:15 〜 14:30

[18p-C11-6] ナノチューブの音響フォノンモード導出アルゴリズム

^○西口規彦 (北大工)

休憩　（14:30 〜 14:45）

14:45 〜 15:00

[18p-C11-7] MOVPE選択成長法によるポリシリコン薄膜上のGaAsナノワイヤの作製と評価 (II)

池尻圭太郎¹，石坂文哉¹，冨岡克広^1,2，^○福井孝志¹ (北大情報科学研究科¹，JSTさきがけ²)

15:00 〜 15:15

[18p-C11-8] 自己触媒法によって成長したInP/InAsナノワイヤの光学特性

^○章国強，Danang Birowosuto，舘野功太，後藤秀樹 (NTT物性基礎研)

15:15 〜 15:30

[18p-C11-9] AlGaAs/GaAsコア・シェル構造導入によるInGaAs/GaAsナノワイヤ量子ドットの発光特性改善

^○舘林潤¹，西岡政雄²，荒川泰彦^1,2 (東大ナノ量子機構¹，東大生研²)

15:30 〜 15:45

△ [18p-C11-10] MOVPE選択成長法によるウルツ鉱構造InP/GaPコアシェルナノワイヤの作製

^○石坂文哉¹，池尻圭太郎¹，冨岡克広^1,2，福井孝志¹ (北大院情報科学及び量集センター¹，JSTさきがけ²)

15:45 〜 16:00

[18p-C11-11] マスクパターンによるInP 系ナノワイヤの位置決めVLS 成長

^○河口研一¹，須藤久男¹，松田学¹，江川満¹，山本剛之¹，荒川泰彦² (富士通研¹，東大ナノ量子²)

16:00 〜 16:15

[18p-C11-12] 横方向成長させたGaAsナノワイヤの評価

^○（M1）和田年弘¹，小橋義典¹，原真二郎^1,2，本久順一¹ (北大院¹，量子集積研究センター²)

16:15 〜 16:30

[18p-C11-13] 熱CVD法によるFeナノワイヤの作製

^○（M1）川人愛子¹，柳瀬隆²，長浜太郎²，島田敏宏² (北大総化¹，北大工²)

16:30 〜 16:45

△ [18p-C11-14] SiO₂コラム上のバナジウム酸化物ナノワイヤの成長

^○名村今日子^1,2，Shu-Yi Li³，Claes G. Granqvist³，斉藤光⁴，倉田博基⁴，鈴木基史¹，中嶋薫¹，木村健二¹ (京大院・工¹，J S P S Research Fellow²，Uppsala Univ.³，京大化研⁴)

一般セッション(ポスター講演)

[19p-P2-1~19] 9.2 ナノワイヤ・ナノ粒子

2013年9月19日(木) 13:30 〜 15:30 P2 (デイヴィス記念館 )

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:30 〜 15:30

[19p-P2-1] Al基板を用いたInSbナノ細線の生成と評価

^○丸山優樹，和田昇，青木隆文 (東洋大院工)

13:30 〜 15:30

▲ [19p-P2-2] Fundamental Design Rule for Precise Nanowires Positioning on Water Favorable Nano-pattern by Blade-coating Method

^○Yong He，柳田剛，長島一樹，金井真樹，Gang Meng，Fuwei Zhuge，Sakon Rahong，川合知二 (阪大産研)

13:30 〜 15:30

[19p-P2-3] 単結晶NiOナノワイヤのVLS形成における成長温度と供給フラックスの相関性

^○長島一樹，柳田剛，金井真樹，Gang Meng，Sakon Rahong，Fuwei Zhuge，Yong He，川合知二 (阪大産研)

13:30 〜 15:30

▲ [19p-P2-4] Impact of Preferential Indium Nucleation on Electrical Conductivity of VLS Grown Indium-Tin-Oxide Nanowires

^○Gang Meng，柳田剛，長島一樹，吉田秀人，金井真樹，Fuwei Zhuge，Yong He，Annop Klamchuen，Sakon Rahong，竹田精治，川合知二 (阪大産研)

13:30 〜 15:30

[19p-P2-5] 領域選択分子線エピタキシーによるGaAs(211)Bマスク基板上への面内配向InAsナノワイヤの形成

^○赤堀誠志，村上達也，山田省二 (北陸先端大ナノセンター)

13:30 〜 15:30

[19p-P2-6] BおよびPを同時ドープしたSiNWsの熱酸化過程での不純物の偏析挙動

^○神永惇^1,2，滝口亮²，鈴木慶太郎^1,2，菱田俊一¹，関口隆史¹，村上浩一²，深田直樹^1,2 (物質・材料研究機構¹，筑波大院工²)

13:30 〜 15:30

△ [19p-P2-7] Ⅲ-V族化合物半導体ナノワイヤ上の強磁性体MnAsナノクラスタ複合構造の作製と構造評価

^○（M2）藤曲央武，崎田晋哉，原真二郎 (北大、量集センター)

13:30 〜 15:30

[19p-P2-8] 熱CVD法によるMoS_xナノワイヤの作製

^○橋本遊¹，沓澤大²，柳瀬隆³，長浜太郎³，島田敏宏³ (北大総合化学¹，北大²，北大工³)

13:30 〜 15:30

▲ [19p-P2-9] Thermopower Factor Measurement of Single Nanowires: On the Diameter Modulation to the Seebeck Coefficient and Electrical Conductivity

^○Fuwei Zhuge¹，柳田剛¹，長島一樹¹，深田直樹²，金井真樹¹，Gang Meng¹，Yong He¹，川合知二¹ (阪大産研¹，物材機構²)

13:30 〜 15:30

△ [19p-P2-10] 微細径Ge/Siコアシェルナノワイヤの作製と評価

^○野口智弘¹，小寺哲夫^1,2,3，小路智也¹，Simanullang Marolop¹，宇佐美浩一¹，河野行雄¹，小田俊理¹ (東工大量子ナノ研セ¹，東大ナノ量子機構²，さきがけ-JST³)

13:30 〜 15:30

[19p-P2-11] MOVPE選択成長法による横型MnAsナノワイヤの作製と評価

^○加藤弘晃，崎田晋哉，Martin Fischer，原真二郎 (北大量集センター)

13:30 〜 15:30

△ [19p-P2-12] Si(111)及び非晶質ガラスに堆積したAl₂O₃膜上のAlGaAsナノ構造の作製と評価

^○崎田晋哉，藤曲央武，原真二郎 (北大量集センター)

13:30 〜 15:30

▲ [19p-P2-13] Sublithographic-Scale Nanowire Array for Long DNA Manipulation and Separation

^○Sakon Rahong¹，安井隆雄²，柳田剛¹，金井真樹¹，長島一樹¹，加地範匡²，馬場嘉信^2,3，川合知二¹ (阪大産研¹，名大院工²，産総研³)

13:30 〜 15:30

[19p-P2-14] フェリチンを用いて作製した磁性体ナノ粒子の二次元配列化

^○（M2）荻村史佳，引地祐介，吉村英恭 (明治大理工)

13:30 〜 15:30

[19p-P2-15] アポフェリチンを利用したランタニド添加型YVO₄ナノ粒子の作製

^○原田知明，吉村英恭 (明大院理工)

13:30 〜 15:30

[19p-P2-16] 酸化チタン/ダイヤモンド複合材料の光触媒特性評価

^○林田佑介¹，中川清晴¹，安藤寿浩²，小田廣和¹ (関西大&HRC¹，物材機構²)

13:30 〜 15:30

[19p-P2-17] AuおよびTiO₂からなる複合構造を持つ新規ナノ粒子の合成

^○掛札洋平¹，山内麻央¹，山根隆寛¹，枝元一之¹，米田忠弘² (立教大理¹，東北大多元研²)

13:30 〜 15:30

[19p-P2-18] VHFプラズマにより作製したナノ結晶シリコン中のトラップの評価

^○近藤信啓，舩木健伍，中峯嘉文，宇佐美浩一，小寺哲夫，河野行雄，小田俊理 (量子ナノエレ研セ)

13:30 〜 15:30

[19p-P2-19] フェムト秒パルスレーザーにより作製したKMgF₃ナノ粒子の粒子径制御

^○（M1）柳原雅大¹，小野晋吾¹，吉川彰² (名工大¹，東北大²)

セッション一覧

09．応用物性 » 9.2 ナノワイヤ・ナノ粒子

[18a-C11-1~8] 9.2 ナノワイヤ・ナノ粒子

[18p-C11-1~14] 9.2 ナノワイヤ・ナノ粒子

△ [18p-C11-1] n 型、p 型不純物同時ドーピングによる近赤外-可視発光コロイド状Si ナノ結晶の開発

△ [18p-C11-10] MOVPE選択成長法によるウルツ鉱構造InP/GaPコアシェルナノワイヤの作製

△ [18p-C11-14] SiO2コラム上のバナジウム酸化物ナノワイヤの成長

[19p-P2-1~19] 9.2 ナノワイヤ・ナノ粒子

▲ [19p-P2-2] Fundamental Design Rule for Precise Nanowires Positioning on Water Favorable Nano-pattern by Blade-coating Method

▲ [19p-P2-4] Impact of Preferential Indium Nucleation on Electrical Conductivity of VLS Grown Indium-Tin-Oxide Nanowires

△ [19p-P2-7] Ⅲ-V族化合物半導体ナノワイヤ上の強磁性体MnAsナノクラスタ複合構造の作製と構造評価

▲ [19p-P2-9] Thermopower Factor Measurement of Single Nanowires: On the Diameter Modulation to the Seebeck Coefficient and Electrical Conductivity

△ [19p-P2-10] 微細径Ge/Siコアシェルナノワイヤの作製と評価

△ [19p-P2-12] Si(111)及び非晶質ガラスに堆積したAl2O3膜上のAlGaAsナノ構造の作製と評価

▲ [19p-P2-13] Sublithographic-Scale Nanowire Array for Long DNA Manipulation and Separation

△ [18p-C11-14] SiO₂コラム上のバナジウム酸化物ナノワイヤの成長

△ [19p-P2-12] Si(111)及び非晶質ガラスに堆積したAl₂O₃膜上のAlGaAsナノ構造の作製と評価