一般セッション(ポスター講演)

[18a-P1-1~10] 6.1 強誘電体薄膜

2013年9月18日(水) 09:30 〜 11:30 P1 (デイヴィス記念館 )

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:30 〜 11:30

[18a-P1-1] 大変形させたPVDF圧電ポリマーフィルムの発電特性

^○（B）鳥山真¹，清水啓祐¹，中嶋宇史²，橋爪洋一郎¹，岡村総一郎¹ (東理大理¹，東北大金研²)

09:30 〜 11:30

[18a-P1-2] 強誘電体厚膜形成におけるクラック抑制

^○山口正樹，渡辺和貴，西川宏之 (芝浦工大)

09:30 〜 11:30

[18a-P1-3] PFMを用いた強誘電体薄膜の面内及び鉛直方向の圧電性評価(Ⅱ)

^○瀬戸翔太，中嶋誠二，藤沢浩訓，清水勝 (兵庫県大工)

09:30 〜 11:30

[18a-P1-4] Wake-up処理電圧が微細加工したMPB,Tetra組成PZT薄膜の圧電特性に与える影響

^○牧本なつみ¹，鈴木靖弘^1,2，前田龍太郎¹，及川貴弘³，舟窪浩³，小林健¹ (産総研¹，茨城大²，東工大³)

09:30 〜 11:30

[18a-P1-5] ウェットプロセスを用いて作製した強誘電薄膜の圧電特性

^○林恵¹，吉岡秀樹²，山本伸一¹ (龍谷大理工¹，兵庫工技セ²)

09:30 〜 11:30

[18a-P1-6] 化学溶液堆積法による(Pb,La)(Zr,Ti)O₃巨大結晶粒薄膜の作製と電気特性評価

^○倉持裕介¹，橋爪洋一郎¹，岡村総一郎¹，山本孝²，飯島高志³ (東理大理¹，防衛大²，産総研³)

09:30 〜 11:30

△ [18a-P1-7] (Bi, Pr)(Fe,Mn)O₃薄膜の高温保持特性の評価

^○野村圭介¹，野村幸寛¹，近藤勇樹²，川江健²，森本章治² (金沢大院自然¹，金沢大理工²)

09:30 〜 11:30

[18a-P1-8] 格子不整合を低減させたBiFeO₃薄膜の圧電特性

^○若園佳佑，氏本勝也，吉村武，荒牧正明，藤村紀文 (阪府大工)

09:30 〜 11:30

[18a-P1-9] 電子強誘電体YbFe₂O₄エピタキシャル薄膜の光誘起伝導

^○田中寛之，芦田淳，吉村武，藤村紀文 (大阪府立大院工)

09:30 〜 11:30

[18a-P1-10] ⁵⁷Fe濃縮BiFeO₃薄膜の微構造制御とメスバウア･スペクトルⅡ

^○田中清高¹，塚本美徳²，岡村総一郎³，吉田豊² (静理大総技研¹，静理大理工²，東理大理³)

一般セッション(口頭講演)

[19a-D1-1~11] 6.1 強誘電体薄膜

2013年9月19日(木) 09:00 〜 12:00 D1 (MK 1F-101)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

[19a-D1-1] KTaO₃及びMgAl₂O₄基板上に作製した(100)PbTiO₃エピタキシャル薄膜のドメイン構造

^○江原祥隆¹，中島崇明¹，山田智明^2,3，舟窪浩¹ (東工大院¹，名大²，JSTさきがけ³)

09:15 〜 09:30

[19a-D1-2] 金属基板上における一軸配向性Pb(Zr,Ti)O₃薄膜の作製におよぶ界面反応の影響

峯村佳輝¹，長坂康平¹，金鎭雄²，西田謙²，舟窪浩³，^○内田寛¹ (上智大理工¹，防衛大²，東工大物創³)

09:30 〜 09:45

[19a-D1-3] SrTiO₃基板上に成膜したPZT薄膜の非線形誘電率測定

^○平永良臣，長康雄 (東北大通研)

09:45 〜 10:00

[19a-D1-4] レーザーリフトオフ法によるエピタキシャルPZT薄膜の転写および圧電振動発電素子の作製

^○諏訪英作，辻浦裕一，黒川文弥，神野伊策 (神大院工)

10:00 〜 10:15

[19a-D1-5] テトラ組成PZT薄膜を用いた振動センサへの電圧印加による影響

^○鈴木靖弘^1,2，牧本なつみ²，舟窪浩³，前田龍太郎²，小林健² (茨大院¹，産総研²，東工大³)

10:15 〜 10:30

[19a-D1-6] AFMによるPbTiO₃ナノ島の分極量評価

^○井川将志，中嶋誠二，藤沢浩訓，清水勝 (兵庫県大工)

休憩　（10:30 〜 10:45）

10:45 〜 11:00

[19a-D1-7] Ptナノドット上へのZnOナノロッドの選択成長

^○小林千晃，藤沢浩訓，中嶋誠二，清水勝 (兵庫県大工)

11:00 〜 11:15

△ [19a-D1-8] 種々の温度で水熱合成したKNbO₃膜の特徴

^○金子祈之¹，白石貴久¹，石河睦生³，黒澤実¹，内田寛²，舟窪浩¹ (東工大¹，上智大²，桐蔭横浜大³)

11:15 〜 11:30

△ [19a-D1-9] 水熱合成(K,Na)NbO₃
膜におけるOH^-含有量と電気特性の関係

^○白石貴久¹，金子祈之¹，黒澤実¹，内田寛²，平山泰生³，熊田伸弘⁴，舟窪浩¹ (東工大¹，上智大²，リガク³，山梨大⁴)

11:30 〜 11:45

[19a-D1-10] キレート剤を用いた非鉛KNN圧電薄膜のウエットエッチング加工

^○堀切文正，柴田憲治，末永和史，渡辺和俊，野口将希 (日立電線)

11:45 〜 12:00

△ [19a-D1-11] 異なる面方位を持つSrTiO₃基板上に成長したBaTiO₃薄膜における相転移

^○清水荘雄，諏訪間大，谷口博基，谷山智康，舟窪浩，伊藤満 (東工大)

一般セッション(口頭講演)

[19p-D1-1~9] 6.1 強誘電体薄膜

2013年9月19日(木) 13:30 〜 16:00 D1 (MK 1F-101)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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昼食　（12:00 〜 13:30）

13:30 〜 13:45

[19p-D1-1] 「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）チタン酸バリウムナノキューブ規則配列集合膜の作製と電気特性

^○三村憲一，加藤一実 (産総研)

13:45 〜 14:00

△ [19p-D1-2] 化学溶液堆積法によって作製した(111)配向Ba-Biペロブスカイト固溶体薄膜の誘電特性

^○木村純一¹，Mohamed-Tahar Chentir¹，清水荘雄¹，内田寛²，舟窪浩¹ (東工大¹，上智大²)

14:00 〜 14:15

[19p-D1-3] 異種分極界面における電界効果

^○山田裕明，吉村武，藤村紀文 (阪府大院工)

14:15 〜 14:30

△ [19p-D1-4] ２次効果を利用したP(VDF-TrFE)薄膜の焦電特性の向上

^○谷地宣紀，吉村武，藤村紀文 (阪府大院工)

休憩　（14:30 〜 14:45）

14:45 〜 15:00

△ [19p-D1-5] (100)配向BiFeO₃薄膜を用いた圧電MEMS振動発電素子の評価

^○苅谷健人¹，吉村武¹，村上修一²，若園佳佑¹，藤村紀文¹ (大阪府立大¹，大阪府立産技研²)

15:00 〜 15:15

[19p-D1-6] 単一ドメインBiFeO₃薄膜の電気伝導特性

^○伊藤太紀¹，中嶋誠二¹，藤沢浩訓¹，小舟正文¹，金島岳²，奥山雅則³，清水勝¹ (兵庫県大工¹，阪大院基礎工²，阪大ナノサイエンス³)

15:15 〜 15:30

[19p-D1-7] 磁場印加PLDで作製したBiFeO₃薄膜のリーク電流解析

^○金島岳¹，朴正敏¹，中嶋誠二²，Dan Ricinschi³，野田実⁴，奥山雅則⁵ (阪大基礎工¹，兵庫県立大工²，東工大³，京工繊工芸⁴，阪大ナノサイエンス⁵)

15:30 〜 15:45

△ [19p-D1-8] 強誘電体-反強誘電体相境界を有する(Bi,Sm)FeO₃ エピタキシャル薄膜の電界印加時における圧電挙動の観察

^○安井伸太郎^1,2，江原祥隆³，白石貴久³，清水荘雄⁴，舟窪浩³，伊藤満²，今井康彦⁵，田尻寛男⁵，坂田修身⁶，Ichiro Takeuchi¹ (メリーランド大¹，東工大応セラ²，東工大物創³，東工大元素⁴，JASRI/SPring-8⁵，NIMS/SPring-8⁶)

15:45 〜 16:00

[19p-D1-9] 強誘電体YMnO₃薄膜のスイッチャブル光誘起電流

^○宇賀洋志，芦田淳，吉村武，藤村紀文 (阪府大院工)

セッション一覧

06．薄膜・表面 » 6.1 強誘電体薄膜

[18a-P1-1~10] 6.1 強誘電体薄膜

[18a-P1-1] 大変形させたPVDF圧電ポリマーフィルムの発電特性

[18a-P1-2] 強誘電体厚膜形成におけるクラック抑制

[18a-P1-3] PFMを用いた強誘電体薄膜の面内及び鉛直方向の圧電性評価(Ⅱ)

[18a-P1-4] Wake-up処理電圧が微細加工したMPB,Tetra組成PZT薄膜の圧電特性に与える影響

[18a-P1-5] ウェットプロセスを用いて作製した強誘電薄膜の圧電特性

[18a-P1-6] 化学溶液堆積法による(Pb,La)(Zr,Ti)O₃巨大結晶粒薄膜の作製と電気特性評価

△ [18a-P1-7] (Bi, Pr)(Fe,Mn)O₃薄膜の高温保持特性の評価

[18a-P1-8] 格子不整合を低減させたBiFeO₃薄膜の圧電特性

[18a-P1-9] 電子強誘電体YbFe₂O₄エピタキシャル薄膜の光誘起伝導

[18a-P1-10] ⁵⁷Fe濃縮BiFeO₃薄膜の微構造制御とメスバウア･スペクトルⅡ

[19a-D1-1~11] 6.1 強誘電体薄膜

[19a-D1-1] KTaO₃及びMgAl₂O₄基板上に作製した(100)PbTiO₃エピタキシャル薄膜のドメイン構造

[19a-D1-2] 金属基板上における一軸配向性Pb(Zr,Ti)O₃薄膜の作製におよぶ界面反応の影響

[19a-D1-3] SrTiO₃基板上に成膜したPZT薄膜の非線形誘電率測定

[19a-D1-4] レーザーリフトオフ法によるエピタキシャルPZT薄膜の転写および圧電振動発電素子の作製

[19a-D1-5] テトラ組成PZT薄膜を用いた振動センサへの電圧印加による影響

[19a-D1-6] AFMによるPbTiO₃ナノ島の分極量評価

[19a-D1-7] Ptナノドット上へのZnOナノロッドの選択成長

△ [19a-D1-8] 種々の温度で水熱合成したKNbO₃膜の特徴

△ [19a-D1-9] 水熱合成(K,Na)NbO₃
膜におけるOH^-含有量と電気特性の関係

[19a-D1-10] キレート剤を用いた非鉛KNN圧電薄膜のウエットエッチング加工

△ [19a-D1-11] 異なる面方位を持つSrTiO₃基板上に成長したBaTiO₃薄膜における相転移

[19p-D1-1~9] 6.1 強誘電体薄膜

[19p-D1-1] 「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）チタン酸バリウムナノキューブ規則配列集合膜の作製と電気特性

△ [19p-D1-2] 化学溶液堆積法によって作製した(111)配向Ba-Biペロブスカイト固溶体薄膜の誘電特性

[19p-D1-3] 異種分極界面における電界効果

△ [19p-D1-4] ２次効果を利用したP(VDF-TrFE)薄膜の焦電特性の向上

△ [19p-D1-5] (100)配向BiFeO₃薄膜を用いた圧電MEMS振動発電素子の評価

[19p-D1-6] 単一ドメインBiFeO₃薄膜の電気伝導特性

[19p-D1-7] 磁場印加PLDで作製したBiFeO₃薄膜のリーク電流解析

△ [19p-D1-8] 強誘電体-反強誘電体相境界を有する(Bi,Sm)FeO₃ エピタキシャル薄膜の電界印加時における圧電挙動の観察

[19p-D1-9] 強誘電体YMnO₃薄膜のスイッチャブル光誘起電流

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06．薄膜・表面 » 6.1 強誘電体薄膜

[18a-P1-1~10] 6.1 強誘電体薄膜

△ [18a-P1-7] (Bi, Pr)(Fe,Mn)O3薄膜の高温保持特性の評価

[19a-D1-1~11] 6.1 強誘電体薄膜

△ [19a-D1-8] 種々の温度で水熱合成したKNbO3膜の特徴

△ [19a-D1-9] 水熱合成(K,Na)NbO3膜におけるOH-含有量と電気特性の関係

△ [19a-D1-11] 異なる面方位を持つSrTiO3基板上に成長したBaTiO3薄膜における相転移

[19p-D1-1~9] 6.1 強誘電体薄膜

△ [19p-D1-2] 化学溶液堆積法によって作製した(111)配向Ba-Biペロブスカイト固溶体薄膜の誘電特性

△ [19p-D1-4] ２次効果を利用したP(VDF-TrFE)薄膜の焦電特性の向上

△ [19p-D1-5] (100)配向BiFeO3薄膜を用いた圧電MEMS振動発電素子の評価

△ [19p-D1-8] 強誘電体-反強誘電体相境界を有する(Bi,Sm)FeO3 エピタキシャル薄膜の電界印加時における圧電挙動の観察

△ [18a-P1-7] (Bi, Pr)(Fe,Mn)O₃薄膜の高温保持特性の評価

△ [19a-D1-8] 種々の温度で水熱合成したKNbO₃膜の特徴

△ [19a-D1-9] 水熱合成(K,Na)NbO₃
膜におけるOH^-含有量と電気特性の関係

△ [19a-D1-11] 異なる面方位を持つSrTiO₃基板上に成長したBaTiO₃薄膜における相転移

△ [19p-D1-5] (100)配向BiFeO₃薄膜を用いた圧電MEMS振動発電素子の評価

△ [19p-D1-8] 強誘電体-反強誘電体相境界を有する(Bi,Sm)FeO₃ エピタキシャル薄膜の電界印加時における圧電挙動の観察