一般セッション(口頭講演)

[29a-B2-1~8] 7.6 イオンビーム一般

2013年3月29日(金) 10:00 〜 12:00 B2 (K2号館 3F-1302)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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[29a-B2-1] IBIECとSPEGによるSiGe/Siの再結晶化 (10:00 AM ～ 10:15 AM)

^○関根渉¹，粟根和隆¹，西村智朗²，山本康博¹ (法政大理工¹，イオンビーム工研²)

[29a-B2-2] △RFバイアススパッタ法により生じる高エネルギー正イオン照射を利用した六方晶系薄膜の配向制御 (10:15 AM ～ 10:30 AM)

^○高柳真司¹，柳谷隆彦²，松川真美¹ (同志社大¹，名工大²)

[29a-B2-3] 水クラスターイオンビームのクラスターサイズ分析及び分離 (10:30 AM ～ 10:45 AM)

山口英樹，^○（B）小林弘樹，龍頭啓充，竹内光明，高岡義寛 (京大光・電子理工セ)

[29a-B2-4] 高分子基板に対するアセトンクラスターイオンビームの照射効果 (10:45 AM ～ 11:00 AM)

^○角元友樹，龍頭啓充，竹内光明，高岡義寛 (京大光電子理工セ)

[29a-B2-5] イオン液体イオンビーム照射によるガラス基板の表面改質(Ⅱ） (11:00 AM ～ 11:15 AM)

^○濱口拓也，竹内光明，龍頭啓充，高岡義寛 (京大光・電子理工セ)

[29a-B2-6] テトラデカンから生成した多原子分子イオンビームによる固体表面照射効果の分子量依存性 (11:15 AM ～ 11:30 AM)

今中浩輔，^○林恭平，竹内光明，龍頭啓充，高岡義寛 (京大光電子理工セ)

[29a-B2-7] 高エネルギープロトンによる炭素荷電変換フォイルの照射損傷 (11:30 AM ～ 11:45 AM)

^○加藤周一¹，剣持貴弘¹，吉本政弘²，山岡人志³，和田元¹ (同志社大¹，日本原子力研究開発機構²，理化学研究所³)

[29a-B2-8] Siトレンチ構造への巨大フッ素クラスター衝突のMDシミュレーション (11:45 AM ～ 12:00 AM)

^○青木学聡，瀬木利夫，松尾二郎 (京大工)

一般セッション(口頭講演)

[29p-B2-1~18] 7.6 イオンビーム一般

2013年3月29日(金) 13:30 〜 18:15 B2 (K2号館 3F-1302)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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[29p-B2-0] 昼食(90分)

[29p-B2-1] 電子ビームイオン源の特性 (1:30 PM ～ 1:45 PM)

^○櫻井誠¹，酒井祥吾¹，大谷俊介²，坂上裕之³ (神戸大理¹，電通大レーザー²，核融合研³)

[29p-B2-2] 真空下エレクトロスプレーのエミッタ形状依存性 (1:45 PM ～ 2:00 PM)

^○二宮啓¹，リーチュインチェン¹，境悠治²，平岡賢三² (山梨大医工¹，山梨大クリーン²)

[29p-B2-3] 高空間分解能SIMS用クラスターイオン源の開発 (2:00 PM ～ 2:15 PM)

^○鳥居聡太¹，瀬木利夫^1,2，青木学聡^1,2，松尾二郎^1,2 (京大工¹，JST-CREST²)

[29p-B2-4] イオン液体ビーム源を用いた飛行時間二次イオン質量分析(TOF-SIMS) (2:15 PM ～ 2:30 PM)

^○藤原幸雄，齋藤直昭，野中秀彦，一村信吾 (産総研)

[29p-B2-5] シングルイベント三次元TOF-RBSの時間分解能評価(II) (2:30 PM ～ 2:45 PM)

^○濱田靖久¹，阿保智¹，アルバートザイデル^1,2，若家冨士男¹，高井幹夫¹ (阪大極限センター¹，マクデブルグ工科大²)

[29p-B2-6] 高速重イオンをプローブとした質量イメージング技術の高速化とその応用 (2:45 PM ～ 3:00 PM)

^○志戸本祥¹，瀬木利夫^1,2，青木学聡^1,2，松尾二郎^1,2 (京大院工¹，JST-CREST²)

[29p-B2-7] Arガスクラスターイオンビーム二次イオン質量分析法によるポリエステル/メラミン塗膜の深さ方向分析 (3:00 PM ～ 3:15 PM)

^○西野宮卓¹，東新邦彦¹，井内健輔²，瀬直巳²，盛谷浩右²，持地広造² (新日鐵住金¹，兵庫県立大²)

[29p-B2-8] 希ガス及びメタンガスクラスターイオンビーム照射によるインスリン分子のソフトスパッタリング (3:15 PM ～ 3:30 PM)

^○（M1）金井政典，盛谷浩右，井原一誠，後藤宏介，乾徳夫，持地広造 (兵庫県大院工)

[29p-B2-9] 液相中プロトン照射による金属微粒子生成 (3:30 PM ～ 3:45 PM)

^○小林知洋¹，池田時浩¹，荻原清¹，山崎泰規¹，箱田照幸²，八巻徹也² (理研¹，原研²)

[29p-B2-9.1] 休憩(15分)

[29p-B2-10] △ガスクラスターイオンビーム照射されたCoFe膜の磁気特性評価 (4:00 PM ～ 4:15 PM)

^○（M1）藤本昌宏，木村旭，豊田紀章，山田公 (兵庫県立大工)

[29p-B2-11] △ガスクラスターイオンビームエッチング後のMRAM材料の表面状態評価 (4:15 PM ～ 4:30 PM)

^○日野浦諒¹，山口明良¹，豊田紀章¹，原謙一²，山田公¹ (兵庫県大工¹，東京エレクトロン²)

[29p-B2-12] △ガスクラスターイオンビームによる磁気トンネル接合素子下の平坦化 (4:30 PM ～ 4:45 PM)

^○山口明良¹，日野浦諒¹，豊田紀章¹，原謙一²，山田公¹ (兵県大院工¹，東京エレクトロン²)

[29p-B2-13] ClF₃中性クラスタービームによる反応性エッチングの高速化 (4:45 PM ～ 5:00 PM)

^○瀬木利夫¹，吉野裕²，妹尾武彦²，小池国彦²，青木学聡¹，松尾二郎¹ (京大院工¹，岩谷産業²)

[29p-B2-14] 透明高分子膜表面へのナノ構造の室温形成と照射角度依存性評価 (5:00 PM ～ 5:15 PM)

^○野田匠利，Pradip Ghosh，Munisamy Subramanian，Debasish Ghosh，中森弘明，土屋琢磨，岡部晋宜，Kalita Golap，種村眞幸 (名工大院工)

[29p-B2-15] イオン照射法による透明フレキシブル基板上へのアスペクト比制御リップル構造の形成 (5:15 PM ～ 5:30 PM)

^○岡部晋宜，中森弘明，棚瀬友晴，土屋琢磨，野田匠利，Golap Kalita，種村眞幸 (名工大院工)

[29p-B2-16] △イオンビームアシスト成膜によるc軸平行極性反転AlN多層構造の形成 (5:30 PM ～ 5:45 PM)

^○（D）鈴木雅視，柳谷隆彦 (名工大)

[29p-B2-17] イオンビームを利用した高配向β-FeSi₂薄膜作製における照射の影響 (5:45 PM ～ 6:00 PM)

^○濱本悟^1,2，山口憲司²，北條喜一² (茨城大¹，原子力機構²)

[29p-B2-18] シリコン表面上に構築された白金クラスターディスクの熱安定性 (6:00 PM ～ 6:15 PM)

^○福井信志¹，安松久登² (コンポン研¹，豊田工大²)

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