〇寺地徳之¹、Michl Julia²、Zaiser Sebastian²、Yakobi Ingmar²、Waldherr Gerald²、Dolde Florian²、Neumann Philipp²、Doherty Marcus³、Manson Neil³、Isoya Junichi⁴、Wrachtrup Jorg² (1.物材機構, 2.シュツットガルト大, 3.オーストラリア国立大, 4.筑波大)

16:45 〜 17:00

[11p-C1-13] ダイヤモンド(111)基板における窒素-空孔複合欠陥の配向整列機構

〇宮崎剛英^1,²、宮本良之^1,²、牧野俊晴^1,³、加藤宙光^1,³、山崎聡^1,³、福井貴大^1,⁴、土井悠生^1,⁴、徳田規夫⁵、波多野睦子^1,⁶、水落憲和^1,⁴ (1.JST-CREST, 2.産総研ナノシステム, 3.産総研エネルギー技術, 4.大阪大院基礎工, 5.金沢大理工, 6.東工大院理工)

17:00 〜 17:15

[11p-C1-14] リンドナーによるダイヤモンド NV 中心の電荷状態制御

〇土井悠生¹、福井貴大¹、加藤宙光^2,³、牧野俊晴^2,³、山崎聡^2,³、田嶌俊之¹、森下弘樹¹、三輪真嗣¹、Jelezko Fedor⁴、鈴木義茂¹、水落憲和^1,³ (1.阪大基礎工, 2.産総研, 3.CREST, 4.ウルム大)

17:15 〜 17:30

[11p-C1-15] ダイヤモンドJFETの内部電界測定に向けたNVセンターの形成

〇成木航¹、田原康佐¹、岩崎孝之^1,³、加藤宙光^2,³、牧野俊晴^2,³、小倉政彦^2,³、竹内大輔^2,³、山崎聡^2,³、波多野睦子^1,³ (1.東工大, 2.産総研, 3.CREST)

17:30 〜 17:45

[11p-C1-16] ダイヤモンド選択成長によるNVセンターの集光率向上

〇古山聡子¹、岩崎孝之^1,²、清水麻希^1,²、矢板潤也¹、小寺哲夫^1,²、波多野睦子^1,² (1.東工大, 2.CREST-JST)

17:45 〜 18:00

[11p-C1-17] イオン注入によるCVDダイアモンド膜へのSiVセンターの導入

〇小副川裕太¹、中尾基¹、坪田敏樹¹、長町信治² (1.九州工業大学, 2.株式会社長町サイエンスラボ)

一般セッション(口頭講演)

[12a-C1-1~10] 6.2 カーボン系薄膜

2015年3月12日(木) 09:00 〜 11:45 C1 (6C-104)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

09:00 〜 09:15

△ [12a-C1-1] ダイヤモンド上SiO₂ゲート絶縁膜の形成と評価

〇(B)原壮志¹、袴田知宏¹、小野和子¹、瀬下裕志¹、林佑哉¹、平岩篤¹、川原田洋¹ (1.早大理工)

09:15 〜 09:30

△ [12a-C1-2] 耐圧1600Vを超える高温ALD-Al₂O₃絶縁膜を用いた水素終端ダイヤモンドMOSFET

〇(B)北林祐哉¹、山田哲也¹、許德琛¹、坪井秀俊¹、斎藤俊輝¹、齊藤達也¹、松村大輔¹、平岩篤¹、川原田洋¹ (1.早大理工)

09:30 〜 09:45

△ [12a-C1-3] 原子層堆積Al₂O₃-MOSキャパシタの高温電気的絶縁性に対するゲート電極材質の影響

〇松村大輔¹、齊藤達也¹、平岩篤¹、川原田洋¹ (1.早大理工)

09:45 〜 10:00

△ [12a-C1-4] トレンチチャネルを有する C-H ダイヤモンド MOSFET

〇斎藤俊輝¹、小林幹典¹、山田哲也¹、許德琛¹、北林祐哉¹、松村大輔¹、坪井秀俊¹、稲葉優文¹、平岩篤¹、川原田洋¹ (1.早大)

10:00 〜 10:15

△ [12a-C1-5] (001)ダイヤモンド上MBE薄膜AlNのIn-Plane X線回折法による評価

〇(B)林佑哉¹、小野和子¹、袴田知宏¹、平岩篤¹、川原田洋¹ (1.早大理工)

休憩（10:15 〜 10:30）

10:30 〜 10:45

△ [12a-C1-6] (111)基板上の{1-10}面を接合面としたダイヤモンド横型p-n接合の作製

〇佐藤一樹¹、岩崎孝之^1,^2,³、清水麻希^1,³、加藤宙光^3,⁴、牧野俊晴^3,⁴、小倉政彦^3,⁴、竹内大輔^3,⁴、山崎聡^3,⁴、波多野睦子^1,^2,³ (1.東工大, 2.ALCA, 3.CREST, 4.産総研)

10:45 〜 11:00

△ [12a-C1-7] ダイヤモンド横型p-n接合についてケルビンプローブフォース顕微鏡による表面電位評価と内部構造との相関

〇白田和也^1,²、竹内大輔²、牧野俊晴²、加藤宙光²、小倉政彦²、山崎聡^1,² (1.筑波大学数理, 2.産総研)

11:00 〜 11:15

[12a-C1-8] ダイヤモンドJFETのノーマリーオフ動作

〇諏訪泰介¹、岩崎孝之^1,^2,³、佐藤一樹¹、加藤宙光^3,⁴、牧野俊晴^3,⁴、小倉政彦^3,⁴、竹内大輔^3,⁴、山崎聡^3,⁴、波多野睦子^1,^2,³ (1.東工大, 2.ALCA, 3.CREST, 4.産総研)

11:15 〜 11:30

[12a-C1-9] ホッピング伝導層を用いたダイヤモンドp⁺-i-n⁺接合の電気特性

〇牧野俊晴^1,²、桑原大輔^1,^2,³、加藤宙光^1,²、竹内大輔^1,²、小倉政彦^1,²、大串秀世^1,²、山崎聡^1,^2,³ (1.産総研エネ部門, 2.CREST/JST, 3.筑波大)

11:30 〜 11:45

△ [12a-C1-10] ダイヤモンドLEDにおける励起子発光の温度依存性

〇(D)桑原大輔^1,^2,³、牧野俊晴^2,³、加藤宙光^2,³、竹内大輔^2,³、小倉政彦^2,³、大串秀世^2,³、山崎聡^2,³ (1.筑波大, 2.産総研, 3.CREST/JST)

一般セッション(口頭講演)

[12p-C1-1~18] 6.2 カーボン系薄膜

2015年3月12日(木) 13:15 〜 19:00 C1 (6C-104)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

13:15 〜 13:30

[12p-C1-1] ラマン解析より求めたダイヤモンドライクカーボンの形成要素

〇鷹林将¹、楊猛³、高桑雄二³、高萩隆行² (1.東北大・通研, 2.広島大・先端研, 3.東北大・多元研)

13:30 〜 13:45

[12p-C1-2] ダイヤモンドライクカーボン薄膜の耐熱性向上に関する分光学的解析

〇鷹林将¹、高萩隆行² (1.東北大・通研, 2.広島大・先端研)

13:45 〜 14:00

[12p-C1-3] 高周波マグネトロンスパッタリング法により堆積したアモルファス状炭素膜の構造と光学定数

〇荒川悟¹、中谷恭之¹、周小龍¹、トゥンミーサラユット¹、小松啓志¹、大塩茂夫¹、齋藤秀俊¹ (1.長岡技科大)

14:00 〜 14:15

▲ [12p-C1-4] The chemical information evaluation of hydrogenated amorphous carbon films by XPS and NEXAFS at different thicknesses

〇(D)Sarayut Tunmee¹, Ratchadaporn Supruangnet², Hideki Nakajima², Xiaolong Zhou¹, Yasuyuki Nakaya¹, Satoru Arakawa¹, Keiji Komatsu¹, Shigeo Ohshio¹, Kazuhiro Kanda³, Hidetoshi Saitoh¹ (1.Nagaoka Univ. Tech., 2.SLRI, 3.LASTI, Univ. of Hyogo)

14:15 〜 14:30

[12p-C1-5] 熱CVDアモルファスカーボンの低温成膜技術

〇北村昌幸¹、水永覚¹、清水亮¹、柿本明修¹、早川欣延²、濱田康弘³ (1.東京エレクトロン東北, 2.東京エレクトロン宮城, 3.東京エレクトロン)

14:30 〜 14:45

△ [12p-C1-6] フィルタードアーク蒸着においてDCバイアスで成膜したDLC膜の諸特性

〇藤井裕真¹、今井貴大¹、宮本優¹、須田善行¹、滝川浩史¹、田上英人²、神谷雅男³、瀧真⁴、長谷川祐史⁴、辻信広⁴、金子智⁵、安井治之⁶、國次真輔⁷、川口雅弘⁸、三浦健一⁹ (1.豊橋技科大, 2.北九州高専, 3.伊藤光学, 4.オンワード技研, 5.神奈川県産技セ, 6.石川工試, 7.岡山県工技セ, 8.東京都産技研, 9.大阪府産技研)

休憩（14:45 〜 15:00）

15:00 〜 15:15

▲ [12p-C1-7] Formation of popcorn-like nanostructure in C₆₀-incorporated DLC by exposing to H₂O vapor

〇(DC)Wei Xie¹, Aiko Kawahito¹, Takashi Yanase¹, Taro Nagahama², Toshihiro Shimada² (1.Graduate School of Chemical Sciences and Engineering, Hokkaido University, 2.Hokkaido University)

15:15 〜 15:30

[12p-C1-8] 変調SiO2基板上へのグラフェン成膜と特性評価に関する研究

〇今村友紀¹、伊崎貴生¹、西口博樹¹、松尾経太¹、松川誠也¹、吉岡昌雄²、久保田弘^1,² (1.熊大院自, 2.熊大工)

15:30 〜 15:45

△ [12p-C1-9] ホットメッシュ堆積法によるペンタセン系有機膜の形成

〇(M1)平野竣¹、部家彰¹、松尾直人¹ (1.兵庫県立大院工)

15:45 〜 16:00

[12p-C1-10] 硬質炭素膜のSRV摩擦摩耗試験機を用いたはく離特性評価に及ぼす膜厚の影響

〇大花継頼¹、間野大樹¹、中村挙子¹ (1.産総研)

16:00 〜 16:15

[12p-C1-11] 酸素プラズマ処理によるDLCの表面改質

〇(B)河内佑太¹、大越康晴¹、本間章彦¹、平栗健二¹、荒船龍彦¹、野口展士¹ (1.東京電機大)

16:15 〜 16:30

△ [12p-C1-12] 軟X線照射によるSi含有水素化DLC膜の体積変化

〇田中祥太郎¹、今井亮¹、岡田真¹、松井真二¹、神田一浩¹ (1.兵庫県大高度研)

休憩（16:30 〜 16:45）

16:45 〜 17:45

[12p-C1-13] [薄膜・表面分科内招待講演] DLC膜の現在と将来展望

〇大竹尚登¹ (1.東工大)

17:45 〜 18:00

[12p-C1-14] N₂とアセトニトリルの混合気体マイクロ波放電フローで生成するa-CN_x:H薄膜の窒素源

〇(M1)茂木紳令¹、津留紘樹¹、伊藤治彦¹ (1.長岡技科大工)

18:00 〜 18:15

△ [12p-C1-15] アモルファス窒化炭素薄膜の柱状構造がガス応答性に及ぼす影響

〇田村尚之¹、青野祐美¹、北沢信章¹、渡邉芳久¹ (1.防大材料)

18:15 〜 18:30

[12p-C1-16] スーパーマグネトロンプラズマによる電界放出用a-CNx:H/Al膜の作製

〇木下治久¹、鈴木昌¹、田口亮平¹、竹内宏樹¹ (1.静大院工)

18:30 〜 18:45

△ [12p-C1-17] グアニジン炭酸塩を用いたグラファイト状窒化炭素薄膜の合成とその基礎的評価

〇藤田詩織¹、羽渕仁恵¹、髙木俊作¹、滝川浩史² (1.岐阜高専, 2.豊橋技科大)

18:45 〜 19:00

▲ [12p-C1-18] Large area synthesis of hexagonal boron nitride (hBN) with controlled thickness and crystal shape

〇(D)Subash Sharma¹, Golap Kalita¹, Masaki Tanemura¹ (1.Nagoya Inst of Tech)

セッション一覧

6 薄膜・表面 » 6.2 カーボン系薄膜

[11a-P4-1~18] 6.2 カーボン系薄膜

▼ [11a-P4-8] Role of the oxygen interlayer on electrical properties of WC/p-diamond Schottky diodes

△ [11a-P4-12] X線反射率法を用いたRFプラズマCVD成膜におけるDLC膜界面の分析

△ [11a-P4-14] Excel上で動作するsp2/(sp2+sp3)比算出のためのDLC薄膜のC-K端NEXAFSスペクトル用シミュレーションプログラムの開発

△ [11a-P4-18] アモルファス窒化炭素薄膜の光誘起体積変化における長時間光照射の影響

[11p-C1-1~17] 6.2 カーボン系薄膜

△ [11p-C1-3] X線回折法を用いたボロンドープ超伝導ダイヤモンド薄膜の臨界膜厚評価

▼ [11p-C1-6] Direct observation and mechanism for enhanced electron emission sites in Pt ion implanted/post-annealed ultra nanocrystalline diamond films

△ [11p-C1-7] 格子状核発生領域を用いたダイヤモンドのヘテロエピタキシャル成長

△ [11p-C1-10] ダイヤモンド基板の表面制御によるアプタマーを用いたATP検出