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[15p-A23-1~20] 15.8 結晶評価，不純物・結晶欠陥

2016年9月15日(木) 13:15 〜 18:45 A23 (201B)

前田貴弘(グローバルウェーハズ・ジャパン)、小島拓人(明治大)、大野裕(東北大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:15 〜 13:30

[15p-A23-1] シリコン中の大角粒界における不純物の偏析能

〇大野裕¹、井上海平¹、藤原航三¹、沓掛健太朗¹、出浦桃子¹、米永一郎¹、清水康雄²、井上耕治²、海老澤直樹²、永井康介²、吉田秀人³、竹田精治³、田中真悟⁴、香山正憲⁴ (1.東北大金研、2.東北大金研大洗セ、3.阪大産研、4.産総研)

13:30 〜 13:45

[15p-A23-2] モノライクシリコンにおける不純物の粒界偏析

〇大野裕¹、沓掛健太朗¹、出浦桃子¹、米永一郎¹、清水康雄²、井上耕治²、海老澤直樹²、永井康介²、吉田秀人³、竹田精治³ (1.東北大金研、2.東北大金研大洗セ、3.阪大産研)

13:45 〜 14:00

[15p-A23-3] パワーデバイス内部の空乏層の評価（1）多機能走査型プローブ顕微鏡による評価
パワーデバイス用結晶の評価（ⅩⅨ）

〇山本秀和¹、潤間威史¹、佐藤宣夫¹、小森郷平¹、小田昭紀¹ (1.千葉工大工)

14:00 〜 14:15

[15p-A23-4] パワーデバイス内部の空乏層の評価（2）数値計算との比較
パワーデバイス用結晶の評価（ⅩⅩ）

〇山本秀和¹、小森郷平¹、小田昭紀¹、潤間威史¹、佐藤宣夫¹ (1.千葉工大工)

14:15 〜 14:30

[15p-A23-5] 炭素クラスターイオン注入Siエピウェーハの特徴(1)
-注入層における酸素が重金属のゲッタリング能力に与える影響-

〇柾田亜由美¹、仲井敏郎¹、廣瀬諒¹、門野武¹、奥山亮輔¹、古賀祥泰¹、奥田秀彦¹、栗田一成¹ (1.株式会社 SUMCO)

14:30 〜 14:45

[15p-A23-6] 炭素クラスターイオン注入Siエピウェーハの特徴(2)
ー常温接合界面における酸素の捕獲能力(2) ―

〇古賀祥泰¹、栗田一成¹ (1.株式会社 SUMCO)

14:45 〜 15:00

△ [15p-A23-7] 炭素クラスターイオン注入Siエピウェーハの特徴(3) -多元素・分子イオン注入技術の開発検討 (2)-

〇廣瀬諒¹、奥山亮輔¹、門野武¹、柾田亜由美¹、古賀祥泰¹、奥田秀彦¹、栗田一成¹、宮本直樹² (1.株式会社ＳＵＭＣＯ、2.日新イオン機器株式会社)

15:15 〜 15:30

[15p-A23-8] 平行デュアルレーザビーム法による自由キャリアのバルク寿命評価: 不純物酸素析出による寿命劣化の検出

〇金田寛¹、大村一郎¹ (1.九工大院工)

15:30 〜 15:45

[15p-A23-9] 平行デュアルレーザビーム法による自由キャリアのバルク寿命評価： Fe故意汚染による寿命劣化の検出

〇金田寛¹、大村一郎¹ (1.九工大院工)

15:45 〜 16:00

[15p-A23-10] FZシリコン結晶中の酸素濃度の測定

〇井上直久^6,1、大渕真澄²、鵜野浩行³、井上敬子⁴、渡邉香⁵、河村裕一⁶ (1.東京農工大、2.ナノサイエンス、3.住重試験、4.東レリサーチ、5.システムズンジニアリング、6.大阪府大)

16:00 〜 16:15

[15p-A23-11] シリコン結晶中の低濃度炭素の測定(Ⅸ) 16乗から13乗へ

〇井上直久^1,6、井上敬子²、伊藤久義³、大渕真澄⁴、渡邉香⁵、河村裕一⁶ (1.東京農工大、2.東レリサーチ、3.高崎量子応用研、4.ナノサイエンス、5.システムズエンジニアリング、6.大阪府大)

16:15 〜 16:30

[15p-A23-12] シリコン結晶中の炭素濃度測定の感度と規格適用濃度と検出下限

〇井上直久^2,1 (1.東京農工大、2.大阪府大)

16:30 〜 16:45

[15p-A23-13] DLTS法を用いたSi基板中の微量炭素測定

〇江里口和隆¹、三次伯知¹、佐俣秀一¹ (1.SUMCO)

16:45 〜 17:00

[15p-A23-14] 低温PL/DLTS測定によるSi中Feの分析

〇中村稔¹、村上進¹、鵜殿治彦¹ (1.茨城大工)

17:15 〜 17:30

△ [15p-A23-15] 電子線照射発光活性化PL法による太陽電池用CZ-Si中の
低濃度炭素の定量

〇木内広達¹、田島道夫¹、樋口史仁¹、小椋厚志¹、飯田伸仁²、橘昇二²、正田勲²、西島英一² (1.明治大理工、2.株式会社トクヤマ)

17:30 〜 17:45

△ [15p-A23-16] 電子線照射発光活性化PL法によるCZ-Si結晶中の酸素析出過程の解析

〇樋口史仁¹、田島道夫¹、木内広達¹、小椋厚志¹ (1.明治大理工)

17:45 〜 18:00

[15p-A23-17] 高平行度X線散漫散乱法による酸素析出物解析

〇堀川智之¹、仙田剛士¹、松井純爾²、津坂佳幸² (1.グローバルウェーハズ・ジャパン、2.兵庫県立大院)

18:00 〜 18:15

[15p-A23-18] 転位バーガースベクトル決定のための等価な面からの同時回折による放射光Ｘ線トポグラフィ

〇津坂佳幸¹、鶴丸哲也¹、松井純爾² (1.兵庫県大院物質理学、2.兵庫県大放射光ナノテクセンター)

18:15 〜 18:30

[15p-A23-19] X線トポグラフ法によるGaN結晶の断面試料の評価(1)

〇宮川理子¹、北野祐子¹、井上絵美子¹、秋本晃一¹ (1.日本女子大理)

18:30 〜 18:45

△ [15p-A23-20] X線トポグラフ法によるGaN結晶の断面試料の評価(2)

〇(M1C)北野祐子¹、宮川理子¹、井上絵美子¹、秋本晃一¹ (1.日本女子大理)

セッション情報

[15p-A23-1~20] 15.8 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[15p-A23-1] シリコン中の大角粒界における不純物の偏析能

[15p-A23-2] モノライクシリコンにおける不純物の粒界偏析

[15p-A23-3] パワーデバイス内部の空乏層の評価（1）多機能走査型プローブ顕微鏡による評価
パワーデバイス用結晶の評価（ⅩⅨ）

[15p-A23-4] パワーデバイス内部の空乏層の評価（2）数値計算との比較
パワーデバイス用結晶の評価（ⅩⅩ）

[15p-A23-5] 炭素クラスターイオン注入Siエピウェーハの特徴(1)
-注入層における酸素が重金属のゲッタリング能力に与える影響-

[15p-A23-6] 炭素クラスターイオン注入Siエピウェーハの特徴(2)
ー常温接合界面における酸素の捕獲能力(2) ―

△ [15p-A23-7] 炭素クラスターイオン注入Siエピウェーハの特徴(3) -多元素・分子イオン注入技術の開発検討 (2)-

[15p-A23-8] 平行デュアルレーザビーム法による自由キャリアのバルク寿命評価: 不純物酸素析出による寿命劣化の検出

[15p-A23-9] 平行デュアルレーザビーム法による自由キャリアのバルク寿命評価： Fe故意汚染による寿命劣化の検出

[15p-A23-10] FZシリコン結晶中の酸素濃度の測定

[15p-A23-11] シリコン結晶中の低濃度炭素の測定(Ⅸ) 16乗から13乗へ

[15p-A23-12] シリコン結晶中の炭素濃度測定の感度と規格適用濃度と検出下限

[15p-A23-13] DLTS法を用いたSi基板中の微量炭素測定

[15p-A23-14] 低温PL/DLTS測定によるSi中Feの分析

△ [15p-A23-15] 電子線照射発光活性化PL法による太陽電池用CZ-Si中の
低濃度炭素の定量

△ [15p-A23-16] 電子線照射発光活性化PL法によるCZ-Si結晶中の酸素析出過程の解析

[15p-A23-17] 高平行度X線散漫散乱法による酸素析出物解析

[15p-A23-18] 転位バーガースベクトル決定のための等価な面からの同時回折による放射光Ｘ線トポグラフィ

[15p-A23-19] X線トポグラフ法によるGaN結晶の断面試料の評価(1)

△ [15p-A23-20] X線トポグラフ法によるGaN結晶の断面試料の評価(2)

認証

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[15p-A23-1~20] 15.8 結晶評価，不純物・結晶欠陥

△ [15p-A23-7] 炭素クラスターイオン注入Siエピウェーハの特徴(3) -多元素・分子イオン注入技術の開発検討 (2)-

△ [15p-A23-15] 電子線照射発光活性化PL法による太陽電池用CZ-Si中の低濃度炭素の定量

△ [15p-A23-16] 電子線照射発光活性化PL法によるCZ-Si結晶中の酸素析出過程の解析

△ [15p-A23-20] X線トポグラフ法によるGaN結晶の断面試料の評価(2)

認証

△ [15p-A23-15] 電子線照射発光活性化PL法による太陽電池用CZ-Si中の
低濃度炭素の定量