一般セッション(口頭講演)
15 結晶工学 » 15.6 IV族系化合物（SiC）
13:45 〜 14:00
〇平井 悠久1、喜多 浩之1 (1.東大院工)
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14:00 〜 14:15
〇(M2)梶房 裕之1、喜多 浩之1 (1.東大院工)
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14:15 〜 14:30
〇黒山 滉平1、平井 悠久1、山本 建策2、林 真理子2、喜多 浩之1 (1.東大院工、2.(株)デンソー)
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14:30 〜 14:45
〇畠山 哲夫1、木内 裕治1、染谷 満1、岡本 大2、原田 信介1、矢野 裕司2、米澤 喜幸1、奥村 元1 (1.産総研、2.筑波大)
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14:45 〜 15:00
〇木内 祐治1,2、染谷 満1、岡本 大3、畠山 哲夫1、原田 信介1、矢野 裕司3、米澤 喜幸1、奥村 元1 (1.産総研、2.新日本無線（株）、3.筑波大)
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15:15 〜 15:30
〇勝 義仁1、辻 英徳1,2、細井 卓治1、志村 考功1、渡部 平司1 (1.阪大院工、2.富士電機)
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15:30 〜 15:45
〇(P)Atthawut Chanthaphan1、Takuji Hosoi1、Takayoshi Shimura1、Heiji Watanabe1 (1.Osaka Univ.)
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15:45 〜 16:00
〇(B)金子 喬1、雷 一鳴1、若林 整1、筒井 一生2、岩井 洋2、角嶋 邦之1、古橋 壮之3、友久 伸吾3、山川 聡3 (1.東工大工、2.東工大科学技術創成研究院、3.三菱電機株式会社)
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16:00 〜 16:15
〇雷 一鳴1、若林 整1、筒井 一生2、岩井 洋2、角嶋 邦之1、古橋 壮之3、友久 伸吾3、山川 聡3 (1.東工大工学院、2.東工大科学技術創成研究院、3.三菱電機株式会社)
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