一般セッション(口頭講演)
13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術
09:00 〜 09:15
〇谷川 星野1、木野 久志2、福島 誉史1、田中 徹1,3 (1.東北大院工、2.東北大学際研、3.東北大院医工)
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09:15 〜 09:30
〇(M1)中堂薗 賢一1、岩鍋 圭一郎1、千田 洋輔1、浅野 種正1 (1.九大シス情)
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09:30 〜 09:45
〇(B)中田 尚吾1、金尾 顕一朗1、原田 真吾1、有江 隆之1、秋田 成司1、竹井 邦晴1 (1.大阪府大工)
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09:45 〜 10:00
〇小野 一善1、ユー アレクサンダー1,2、佐藤 昇男3、田中 雄次郎1、阪田 知巳3、神 好人1,3、小泉 弘1 (1.NTT先端集積デバイス研究所、2.ジョージア工科大、3.NTT デバイスイノベーションセンタ)
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10:00 〜 10:15
〇鈴木 雅人1、森山 喬史1、橋口 原1 (1.静岡大学)
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10:15 〜 10:30
〇(M2)高橋 葵1、塩谷 圭吾2、櫨 香奈恵2、Paul Bierden3、Steven Cornelissen3、Charlie Lam3、Michael Feinberg3 (1.総研大、2.JAXA宇宙研、3.BMC)
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11:30 〜 11:45
〇(M1)岡田 義之1、川合 健太郎1、有馬 健太1、森田 瑞穂1 (1.阪大院工)
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11:45 〜 12:00
〇佐々木 敬1、鈴木 智大1、松浦 寛2、羽根 一博1 (1.東北大工、2.東北学院大工)
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12:00 〜 12:15
〇Han Zhengli1、Takahashi Takuya1、Toshiyoshi Hiroshi1 (1.The Univ. of Tokyo)
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