一般セッション(口頭講演)
13 半導体 » 13.3 絶縁膜技術
2017年9月5日(火) 13:45 〜 16:30 C11 (事務室1)
△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし
13:45 〜 14:00
〇(B)堀川 清貴1、大久保 智1、蔭浦 泰資1、平岩 篤2,3,4、川原田 洋1,2,3 (1.早大理工、2.材研、3.NTRC、4.名大未来研)
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14:00 〜 14:15
〇鎌田 啓伸1、喜多 浩之1 (1.東大院工)
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14:15 〜 14:30
〇(M1)Siri Nittayakasetwat1、Hironobu Kamata1、Koji Kita1 (1.The Univ. of Tokyo)
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14:30 〜 14:45
〇藤村 信幸1、大田 晃生1、池田 弥央1、牧原 克典1、宮崎 誠一1 (1.名大院工)
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15:00 〜 15:15
〇(M1)我妻 匠1 (1.筑波大)
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15:15 〜 15:30
〇(D)HsiangFang Sun1、Akihiro Ikeda1、Tanemasa Asano1 (1.Kyushu Univ.)
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15:30 〜 15:45
〇宝玉 充1、泉田 貴士1、尾上 誠司1 (1.東芝メモリ（株）)
スケジュール
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15:45 〜 16:00
〇小澤 航大1、蓮沼 隆1 (1.筑波大学)
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16:00 〜 16:15
〇名倉 拓哉1、川内 伸悟1、長川 健太1、白川 裕規1、洗平 昌晃1,2,6、影島 博之3,6、遠藤 哲郎4,5,6、白石 賢二1,2,6 (1.名大院工、2.名大未来研、3.島根大院総合理工、4.東北大院工、5.国際集積セ、6.JST-ACCEL)
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16:15 〜 16:30
〇宮島 岳史1、白川 裕規1、洗平 昌晃2,1、白石 賢二2,1 (1.名大院工、2.名大未来研)
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