一般セッション(口頭講演)

[6a-C22-1~11] 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

2017年9月6日(水) 09:15 〜 12:15 C22 (C22)

山本貴博(東理大)、馬場寿夫(JST)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:15 〜 09:30

[6a-C22-1] 異なる質量からなる非線形格子の接合点における移動型局在振動の反射と透過

〇木村真之¹ (1.京大院工)

09:30 〜 09:45

[6a-C22-2] オンサイトポテンシャルを導入した柔軟な FPU 鎖における端点加振による移動型 ILM の生成に関する検討

〇田中宗一郎¹、木村真之¹、土居伸二¹ (1.京大院工)

09:45 〜 10:00

△ [6a-C22-3] 分子動力学法を用いたGeSiSn三元混晶内のフォノン物性予測と評価

〇(PC)富田基裕^1,2、小笠原成崇¹、渡邉孝信¹ (1.早大理工、2.学振特別研究員PD)

10:00 〜 10:15

[6a-C22-4] 空中に浮いた金属細線抵抗を用いた熱伝導率及び比熱の測定

〇(M1)秋葉孔¹、佐藤弘明^1,2、猪川洋^1,2 (1.静岡大院総合科技、2.静岡大電子研)

10:15 〜 10:30

[6a-C22-5] 低温2ω法によるPbTe/GeS超格子の熱伝導率評価

〇(M2)奥畑亮¹、渡辺健太郎^1,2、石田明広³、中村芳明^1,2 (1.阪大院基礎工、2.CREST-JST、3.静岡大院工)

10:30 〜 10:45

[6a-C22-6] 有機膜埋込みSiナノウォール構造とその熱伝導率

〇渡辺健太郎^1,2、松本武司¹、宮崎雄介¹、御手洗光祐¹、奥畑亮¹、中村芳明^1,2 (1.阪大院基礎工、2.JST-CREST)

11:00 〜 11:15

[6a-C22-7] マテリアルズ・インフォマティクスを適用した低熱伝導率Si/Ge積層構造の探索

〇高橋憲彦¹、劉宇¹、金田千穂子¹ (1.富士通研)

11:15 〜 11:30

[6a-C22-8] ヘテロエピタキシャルITO薄膜における熱伝導率の結晶方位依存性

〇中野綾香¹、竹歳尚之^1,2、山下雄一郎^1,2、八木貴志^1,2、賈軍軍¹、重里有三¹ (1.青山学院大、2.産総研)

11:30 〜 11:45

[6a-C22-9] ダイヤモンドライクカーボン薄膜中のTiドーパントによる熱伝導率への影響

〇鈴木崇啓¹、山下雄一郎^1,2、八木貴志^1,2、竹歳尚之^1,2、賈軍軍¹、重里有三¹ (1.青学大理工、2.産総研)

11:45 〜 12:00

[6a-C22-10] ボライド化合物PrRh_4.8B₂の熱伝導率測定

〇掛札洋平¹、湯葢邦夫²、宍戸統悦²、岡田繁³、川本直幸¹、馬場哲也¹、森孝雄¹ (1.物材機構、2.東北大金研、3.国士舘大)

12:00 〜 12:15

[6a-C22-11] Li挿入によるWO₃薄膜の熱伝導率の変化

〇小林竜大¹、中村彩乃¹、原田俊太¹、田川美穂¹、宇治原徹^1,2 (1.名大院工、2.産総研)

一般セッション(口頭講演)

[6p-C22-1~11] 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

2017年9月6日(水) 13:45 〜 17:00 C22 (C22)

渡邉孝信(早大)、有江隆之(大阪府立大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:45 〜 14:00

▲ [6p-C22-1] [JSAP Young Scientist Award Speech] Heat guiding, focusing and rectification using phononic nanostructures

〇Roman Anufriev¹、 Aymeric Ramiere^1,2、 Jeremie Maire¹、 Masahiro Nomura^1,2,3 (1.IIS, Univ. of Tokyo、2.LIMMS, Univ. of Tokyo、3.JST PRESTO)

14:00 〜 14:15

▲ [6p-C22-2] Thermal Conductance of Hole- and Pillar-Based Phononic Crystals

〇(P)Roman Anufriev¹、 Masahiro Nomura^1,2 (1.IIS Univ. of Tokyo、2.JST PRESTO)

14:15 〜 14:30

[6p-C22-3] 櫛形電極を用いたフォノニック結晶導波路における非線形効果

〇(DC)黒子めぐみ^1,2、畑中大樹¹、山口浩司^1,2 (1.NTT物性研、2.東北大院理)

14:30 〜 14:45

▲ [6p-C22-4] Effects of structural dimensions on phonon bandgaps in nanopatterned graphene phononic crystals.

〇Mayeesha Masrura Haque¹、 Marek E. Schmidt¹、 Takuya Iwasaki¹、 Manoharan Muruganathan¹、 Hiroshi Mizuta¹ (1.JAIST)

14:45 〜 15:00

[6p-C22-5] ¹²C/¹³Cグラフェンフォノニック結晶の作製と評価

〇野谷曜司¹、竹井邦晴¹、秋田成司¹、有江隆之¹ (1.大阪府大院工)

15:15 〜 15:45

[6p-C22-6] [合同セッションＭ　分科内招待講演] 単結晶酸化物ナノワイヤの熱管理工学による分子認識デバイスの創成

〇柳田剛¹ (1.九大先導研)

15:45 〜 16:00

[6p-C22-7] AlN 薄膜を用いたLO フォノン共鳴電気双極子形成および表面ポラリトン伝搬

〇(D)坂本裕則¹、馬蓓¹、森田健¹、石谷善博¹ (1.千葉大工)

16:00 〜 16:15

[6p-C22-8] 非弾性X線散乱分光法による高濃度Si単結晶の光学フォノン寿命

〇内山裕士¹、小野敏昭²、藤瀬淳²、塩見淳一郎³ (1.JASRI/SPring-8、2.SUMCO、3.東大工)

16:15 〜 16:30

[6p-C22-9] 放熱バンプ構造を有するAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタの擬セルフコンシステント電子・フォノン輸送モンテカルロ解析

澤部亮介¹、〇粟野祐二¹ (1.慶應理工)

16:30 〜 16:45

△ [6p-C22-10] 天然セルロースの伝熱における結晶子サイズ効果と熱流制御材料

〇上谷幸治郎¹、岡田拓巳¹、大山秀子¹ (1.立教大理)

16:45 〜 17:00

[6p-C22-11] 貫通孔を有する膜による近接場音響メタマテリアル構造

〇白田真也¹、山添昇吾¹、笠松直史¹、納谷昌之¹ (1.富士フイルム)

一般セッション(口頭講演)

[7a-C22-1~12] 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

2017年9月7日(木) 09:00 〜 12:45 C22 (C22)

中村芳明(阪大)、塩見淳一郎(東大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

[7a-C22-1] 熱電材料応用を目指した新しいIV族混晶(Ge_1−xSn_x, Si_1−xSn_x)の開発

〇黒澤昌志^1,2,3、中塚理^1,4、財満鎭明⁴ (1.名大院工、2.名大高等研究院、3.JSTさきがけ、4.名大未来研)

09:15 〜 09:30

△ [7a-C22-2] 低温MBE法により形成したp型単結晶Ge_1−xSn_x薄膜の熱電特性

〇今井志明¹、髙橋恒太^1,2、中塚理^1,3、財満鎭明³、黒澤昌志^1,4,5 (1.名大院工、2.JSPS、3.名大未来研、4.名大高等研究院、5.JSTさきがけ)

09:30 〜 09:45

[7a-C22-3] 水中パルスレーザアニール法により形成した高濃度ドープp型/n型多結晶Ge₁_−xSn_x薄膜の熱電特性

〇高橋恒太^1,2、池上浩³、坂下満男¹、中塚理^1,4、財満鎭明⁴、黒澤昌志^1,5,6 (1.名大院工、2.JSPS、3.九大院ｼｽ情ｷﾞｶﾞﾌｫﾄﾝ共同部門、4.名大未来研、5.名大高等研究院、6.JSTさきがけ)

09:45 〜 10:00

△ [7a-C22-4] SiO₂絶縁膜界面の欠陥終端によるNanowire型Si熱電発電デバイスの特性改善

〇(D)橋本修一郎¹、大場俊輔¹、姫田悠矢¹、大和亮¹、松川貴²、松木武雄²、渡邉孝信¹ (1.早大理工、2.産総研)

10:00 〜 10:15

▲ [7a-C22-5] Enhancement of Thermoelectric Performance of Si Film by Al Ultrathin Layer Deposition

〇(M2C)Anthony Fracasso George¹、 Ryoto Yanagisawa¹、 Masahiro Nomura^1,2,3 (1.University of Tokyo, IIS、2.Nanoquine、3.JST PRESTO)

10:15 〜 10:30

[7a-C22-6] 金属/半導体接合による熱電変換特性の向上に関する理論的評価

〇籔内真¹、黒崎洋輔¹、早川純¹ (1.日立研開)

10:30 〜 10:45

[7a-C22-7] Fe₂VAl/重金属系人工超格子界面でのフォノン散乱

〇(PC)廣井慧^1,2、 Seongho Choi²、西野俊佑²、徐玉均¹、竹内恒博² (1.物質・材料研究機構、2.豊田工業大学)

11:00 〜 11:30

[7a-C22-8] [合同セッションＭ　分科内招待講演] 固体面における気液相変化によるミクロ・ナノスケール熱輸送

〇鶴田隆治¹ (1.九工大)

11:30 〜 12:00

[7a-C22-9] [合同セッションＭ　分科内招待講演] 化学修飾および物理修飾によるカーボンナノチューブ熱電シートの熱伝導制御

〇藤ヶ谷剛彦^1,2,3、中島祐樹¹、黄文シン¹ (1.九大院工、2.WPI-I2CNER、3.JSTさきがけ)

12:00 〜 12:15

▼ [7a-C22-10] Semiconducting Single-walled Carbon Nanotubes Extracted by Flavin Compound for Thermoelectric Materials

〇(DC)Wenxin Huang¹、 Yuki Nakashima¹、 Tsuyohiko Fujigaya^1,2,3 (1.Kyushu Univ.、2.WPI-I2CNER、3.JST-PRESTO)

12:15 〜 12:30

[7a-C22-11] 単層カーボンナノチューブの熱電物性の接合界面による制御

〇林大介¹、中井祐介¹、客野遥²、宮田耕充^1,3、真庭豊¹ (1.首都大理工、2.神奈川大工、3.JST-CREST)

12:30 〜 12:45

△ [7a-C22-12] 有機熱電材料膜における面内面直熱伝導率の膜厚依存性

〇岡本和也¹、阿武宏明¹ (1.山口東京理科大学)

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[6a-C22-1~11] 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

[6a-C22-1] 異なる質量からなる非線形格子の接合点における移動型局在振動の反射と透過

[6a-C22-2] オンサイトポテンシャルを導入した柔軟な FPU 鎖における端点加振による移動型 ILM の生成に関する検討

△ [6a-C22-3] 分子動力学法を用いたGeSiSn三元混晶内のフォノン物性予測と評価

[6a-C22-4] 空中に浮いた金属細線抵抗を用いた熱伝導率及び比熱の測定

[6a-C22-5] 低温2ω法によるPbTe/GeS超格子の熱伝導率評価

[6a-C22-6] 有機膜埋込みSiナノウォール構造とその熱伝導率

[6a-C22-7] マテリアルズ・インフォマティクスを適用した低熱伝導率Si/Ge積層構造の探索

[6a-C22-8] ヘテロエピタキシャルITO薄膜における熱伝導率の結晶方位依存性

[6a-C22-9] ダイヤモンドライクカーボン薄膜中のTiドーパントによる熱伝導率への影響

[6a-C22-10] ボライド化合物PrRh_4.8B₂の熱伝導率測定

[6a-C22-11] Li挿入によるWO₃薄膜の熱伝導率の変化

[6p-C22-1~11] 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

▲ [6p-C22-1] [JSAP Young Scientist Award Speech] Heat guiding, focusing and rectification using phononic nanostructures

▲ [6p-C22-2] Thermal Conductance of Hole- and Pillar-Based Phononic Crystals

[6p-C22-3] 櫛形電極を用いたフォノニック結晶導波路における非線形効果

▲ [6p-C22-4] Effects of structural dimensions on phonon bandgaps in nanopatterned graphene phononic crystals.

[6p-C22-5] ¹²C/¹³Cグラフェンフォノニック結晶の作製と評価

[6p-C22-6] [合同セッションＭ　分科内招待講演] 単結晶酸化物ナノワイヤの熱管理工学による分子認識デバイスの創成

[6p-C22-7] AlN 薄膜を用いたLO フォノン共鳴電気双極子形成および表面ポラリトン伝搬

[6p-C22-8] 非弾性X線散乱分光法による高濃度Si単結晶の光学フォノン寿命

[6p-C22-9] 放熱バンプ構造を有するAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタの擬セルフコンシステント電子・フォノン輸送モンテカルロ解析

△ [6p-C22-10] 天然セルロースの伝熱における結晶子サイズ効果と熱流制御材料

[6p-C22-11] 貫通孔を有する膜による近接場音響メタマテリアル構造

[7a-C22-1~12] 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

[7a-C22-1] 熱電材料応用を目指した新しいIV族混晶(Ge_1−xSn_x, Si_1−xSn_x)の開発

△ [7a-C22-2] 低温MBE法により形成したp型単結晶Ge_1−xSn_x薄膜の熱電特性

[7a-C22-3] 水中パルスレーザアニール法により形成した高濃度ドープp型/n型多結晶Ge₁_−xSn_x薄膜の熱電特性

△ [7a-C22-4] SiO₂絶縁膜界面の欠陥終端によるNanowire型Si熱電発電デバイスの特性改善

▲ [7a-C22-5] Enhancement of Thermoelectric Performance of Si Film by Al Ultrathin Layer Deposition

[7a-C22-6] 金属/半導体接合による熱電変換特性の向上に関する理論的評価

[7a-C22-7] Fe₂VAl/重金属系人工超格子界面でのフォノン散乱

[7a-C22-8] [合同セッションＭ　分科内招待講演] 固体面における気液相変化によるミクロ・ナノスケール熱輸送

[7a-C22-9] [合同セッションＭ　分科内招待講演] 化学修飾および物理修飾によるカーボンナノチューブ熱電シートの熱伝導制御

▼ [7a-C22-10] Semiconducting Single-walled Carbon Nanotubes Extracted by Flavin Compound for Thermoelectric Materials

[7a-C22-11] 単層カーボンナノチューブの熱電物性の接合界面による制御

△ [7a-C22-12] 有機熱電材料膜における面内面直熱伝導率の膜厚依存性

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[6a-C22-1~11] 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

△ [6a-C22-3] 分子動力学法を用いたGeSiSn三元混晶内のフォノン物性予測と評価

[6p-C22-1~11] 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

▲ [6p-C22-1] [JSAP Young Scientist Award Speech] Heat guiding, focusing and rectification using phononic nanostructures

▲ [6p-C22-2] Thermal Conductance of Hole- and Pillar-Based Phononic Crystals

▲ [6p-C22-4] Effects of structural dimensions on phonon bandgaps in nanopatterned graphene phononic crystals.

△ [6p-C22-10] 天然セルロースの伝熱における結晶子サイズ効果と熱流制御材料

[7a-C22-1~12] 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

△ [7a-C22-2] 低温MBE法により形成したp型単結晶Ge1−xSnx薄膜の熱電特性

△ [7a-C22-4] SiO2絶縁膜界面の欠陥終端によるNanowire型Si熱電発電デバイスの特性改善

▲ [7a-C22-5] Enhancement of Thermoelectric Performance of Si Film by Al Ultrathin Layer Deposition

▼ [7a-C22-10] Semiconducting Single-walled Carbon Nanotubes Extracted by Flavin Compound for Thermoelectric Materials

△ [7a-C22-12] 有機熱電材料膜における面内面直熱伝導率の膜厚依存性

認証

△ [7a-C22-2] 低温MBE法により形成したp型単結晶Ge_1−xSn_x薄膜の熱電特性

△ [7a-C22-4] SiO₂絶縁膜界面の欠陥終端によるNanowire型Si熱電発電デバイスの特性改善