一般セッション(口頭講演)
13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術
09:15 〜 09:30
〇日恵野 敦1、中西 務1、田中 裕介1 (1.東芝メモリ)
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09:30 〜 09:45
〇市川 啓太1、福山 雄大2、前田 真吾1、山西 陽子2 (1.芝浦工大、2.九大工)
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09:45 〜 10:00
〇岡田 直也1、内田 紀行1、小川 真一1、金山 敏彦1 (1.産総研)
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10:00 〜 10:15
〇(B)Kosuke Oshinari1、Masaki Kondo1、Mamiko Yagi1、Masahiko Hasumi1、Wakana Kubo1、Junichi Shirakashi1、Toshiyuki Sameshima1、Mohamed Amara2 (1.TUAT、2.INSA)
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10:15 〜 10:30
〇Jihee Jeon1、Akihiro Suzuki1,2、Kouta Takahashi1,2、Osamu Nakatsuka1,3、Shigeaki Zaima3 (1.Grad. Sch. of Eng., Nagoya Univ.、2.Research Fellow of JSPS、3.IMaSS, Nagoya Univ.)
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10:30 〜 10:45
〇西本 俊輝1、中山 隆史1 (1.千葉大理)
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11:00 〜 11:15
〇柳 永シュン1、佐藤 和重2、田中 宏幸1,2、古賀 和博2、クンプアン ソマワン1,2、長尾 昌善1、松川 貴1、原 史朗1,2 (1.産総研、2.ミニマルファブ)
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11:15 〜 11:30
〇古賀 和博1、柳 永勛2、居村 史人1,2、加瀬 雅2、野田 周一1,2、根本 一正2、クンプアン ソマワン1,2、原 史朗1,2 (1.ミニマル推進機構、2.産総研)
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11:30 〜 11:45
〇古賀 和博1、柳 永勛2、居村 史人1,2、加瀬 雅2、野田 周一1,2、根本 一正2、クンプアン ソマワン1,2、原 史朗1,2 (1.ミニマル推進機構、2.産総研)
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11:45 〜 12:00
〇影山 智明1,3、古賀 和博2、クンプアン ソマワン3,2、原 史朗3,2、李 相錫1 (1.鳥取大、2.ミニマルファブ推進機構、3.産総研)
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12:00 〜 12:15
根川 雅也1、亀濱 博紀1、〇藤井 知1,2、遠江 栄希3 (1.沖縄高専、2.東工大、3.横河ソリューション)
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