[20p-E301-1~9] 窒化物半導体エッチング技術　〜高制御性と低損傷性を求めて〜

[20p-E301-9] リセスエッチング後のGaN表面処理

〇蔵口 雅彦¹、彦坂 年輝¹、新留 彩¹、梶原 瑛祐¹、加藤 大望¹、大野 浩志¹、向井 章¹、布上 真也¹ (1.東芝研究開発センター)

キーワード：GaN、エッチング、表面処理

ノーマリオフ動作を実現するために、ゲート部にエッチングにより、リセスを形成するMOS型デバイスが提案されている。しかし、エッチングに伴うダメージがリセスゲート下のGaN層に印加されるという課題がある。そこで、ダメージを回復する処理として、アンモニアガスを用いて、結晶性の回復する処理の検討を行い、MOS型デバイスにおいて、チャネル移動度の増大を確認した結果を報告する。