一般セッション(口頭講演)
[10p-W631-1~12] CS.5 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェアセッション
2019年3月10日(日) 13:45 〜 17:00 W631 (W631)
小林 正治(東大)、清水 荘雄(東工大)、藤井 章輔(東芝メモリ)
△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし
13:45 〜 14:00
〇高田 賢志1、 佐保 勇樹1、 桐谷 乃輔1、 吉村 武1、 芦田 淳1、 藤村 紀文1 (1.阪府大工)
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14:00 〜 14:15
〇佐保 勇樹1、 高田 賢志1、 桐谷 乃輔1、 吉村 武1、 芦田 淳1、 藤村 紀文1 (1.阪府大工)
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14:15 〜 14:30
〇MinGee Kim1、 Masakazu Kataoka1、 Rengie Mark D. Mailig1、 Shun-ichiro Ohmi1 (1.Tokyo Tech.)
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14:30 〜 14:45
〇森 優樹1、 西村 知紀1、 矢嶋 赳彬1、 右田 真司2、 鳥海 明1 (1.東大院工、2.産総研)
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14:45 〜 15:00
〇矢嶋 赳彬1、 森 優樹1、 西村 知紀1、 鳥海 明1 (1.東大マテ)
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15:00 〜 15:15
〇白石 悠人1、 長澤 立樹1、 洗平 昌晃2、 白石 賢二2、 中山 隆史1 (1.千葉大理、2.名大未来研)
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15:30 〜 15:45
〇山口 まりな1、 藤井 章輔1、 株柳 翔一1、 上牟田 雄一1、 井野 恒洋1、 中崎 靖1、 高石 理一郎1、 市原 玲華1、 齋藤 真澄1 (1.東芝メモリ)
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15:45 〜 16:00
〇女屋 崇1,2,3、 生田目 俊秀2、 澤本 直美1、 大井 暁彦2、 池田 直樹2、 長田 貴弘2、 小椋 厚志1 (1.明大、2.物材機構、3.学振特別研究員DC)
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16:00 〜 16:15
〇(M2)多川 友作1、 更屋 拓哉1、 平本 俊郎1、 小林 正治1 (1.東大生研)
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16:15 〜 16:30
〇右田 真司1、 太田 裕之1、 鳥海 明2 (1.産総研、2.東大院工)
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16:30 〜 16:45
▼ [10p-W631-11] Polarization Switching as the Cause of Steep Subthreshold Slope in Ferroelectric FETs
〇(D)Chengji Jin1、 Takuya Saraya1、 Toshiro Hiramoto1、 Masaharu Kobayashi1 (1.IIS, Univ. of Tokyo)
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16:45 〜 17:00
〇太田 裕之1、 池上 努1、 福田 浩一1、 服部 淳一1、 浅井 栄大1、 遠藤 和彦1、 右田 真司1、 鳥海 明2 (1.産総研、2.東大)
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