一般セッション(ポスター講演)

[11p-PA5-1~3] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

2019年3月11日(月) 13:30 〜 15:30 PA5 (屋内運動場)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:30 〜 15:30

[11p-PA5-1] (110)面歪みSi薄膜のラマン分光法による歪み評価

〇有元圭介¹、各川敦史¹、斎藤慎吾¹、原康祐¹、山中淳二¹、中川清和¹ (1.山梨大)

13:30 〜 15:30

[11p-PA5-2] スパッタエピタキシー法を用いた完全圧縮歪SiGe薄膜形成技術

〇野崎翔太¹ (1.東京農工大学)

13:30 〜 15:30

[11p-PA5-3] 極薄AlN中間層を用いたエピタキシャルグラフェン上Siエピタキシャル成長

〇寺井汰至¹、石丸大樹、鎌田裕太¹、竹内智哉¹、橋本明弘¹ (1.福井大院工)

一般セッション(口頭講演)

[12a-M113-1~8] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

2019年3月12日(火) 09:30 〜 11:30 M113 (H113)

澤野憲太郎(都市大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:30 〜 09:45

[12a-M113-1] Raman分光法を用いたイオン注入Ge基板表面の結晶損傷評価

〇祖父江秀隆¹、福田雅大¹、柴山茂久¹、中塚理^1,2、財満鎭明³ (1.名大院工、2.名古屋大学未来研、3.名古屋大学未来社会創造機構)

09:45 〜 10:00

△ [12a-M113-2] 逆格子空間マッピングを用いたGe_1-xSn_xメサ構造における歪緩和評価

〇(M1)高橋祐樹¹、横川凌^1,2、廣沢一郎³、須田耕平¹、小椋厚志¹ (1.明治大理工、2.学振特別研究員DC、3.高輝度光科学研究センター)

10:00 〜 10:15

[12a-M113-3] 液浸ラマン分光法による組成傾斜SiGeワイヤの異方性二軸応力分布評価

〇横川凌^1,2、高橋恒太^2,4、富田基裕^1,3、黒澤昌志^4,5,6、渡邉孝信³、小椋厚志¹ (1.明治大理工、2.学振特別研究員DC、3.早大理工、4.名大院工、5.JSTさきがけ、6.名大高等研究院)

10:15 〜 10:30

[12a-M113-4] SiO₂上Ge成長膜の擬誘電応答関数に関するモデルとフィッテイング

〇赤沢方省¹ (1.NTTデバイスイノベーションセンタ)

10:30 〜 10:45

△ [12a-M113-5] 水浸ラマン分光法によるパターン加工したカーボンドープシリコンにおける歪緩和の評価

〇吉岡和俊¹、横川凌^1,2、澤本直美¹、小椋厚志¹ (1.明治大学、2.学振特別研究員DC)

10:45 〜 11:00

[12a-M113-6] ヘテロエピタキシャルAl/Ge(111)上に偏析した極薄Geの化学分析

〇小林征登¹、大田晃生¹、黒澤昌志¹、洗平昌晃¹、田岡紀之²、池田弥央¹、牧原克典¹、宮﨑誠一¹ (1.名大、2.産総研 GaN-OIL)

11:00 〜 11:15

△ [12a-M113-7] 多層グラフェンの合成に向けた炭素/金属固相反応の包括的研究

〇中島義基¹、村田博雅¹、末益崇¹、都甲薫¹ (1.筑波大院)

11:15 〜 11:30

[12a-M113-8] エピタキシャル成長におけるリコン多形の結晶成長の可能性

〇北玲男¹、豊田雅之¹、斎藤晋¹ (1.東工大)

一般セッション(口頭講演)

[12p-M113-1~9] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

2019年3月12日(火) 13:15 〜 15:30 M113 (H113)

都甲薫(筑波大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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13:15 〜 13:30

[12p-M113-1] Ge-Au 同時蒸着膜を用いた金誘起層交換成長法によるGe 結晶の低温形成

〇栫昂輝¹、笠原健司¹、清水昇²、角田功²、眞砂卓史¹ (1.福岡大理、2.熊本高専)

13:30 〜 13:45

[12p-M113-2] 金誘起層交換成長法で作製したGe薄膜における電気伝導特性の理解

東英実¹、笠原健司²、工藤康平¹、山田晋也¹、金島岳¹、角田功³、中島寛⁴、〇浜屋宏平¹ (1.阪大基礎工、2.福大理、3.熊本高専、4.九大GIC)

13:45 〜 14:00

[12p-M113-3] 金誘起層交換成長法で作製したGe薄膜を用いた薄膜トランジスタ特性

東英実¹、笠原健司²、山本圭介³、工藤康平¹、山田晋也¹、金島岳¹、中島寛⁴、〇浜屋宏平¹ (1.阪大基礎工、2.福大理、3.九大総理工、4.九大GIC)

14:00 〜 14:15

▼ [12p-M113-4] Aluminum-induced crystallization of Si (111) on highly mismatched crystalline substrates

〇(PC)Mel Hainey¹、 Eddie (Chenhui) Zhou²、 Noritaka Usami¹ (1.Nagoya Univ.、2.UCLA)

14:15 〜 14:30

[12p-M113-5] 印刷と焼成によるSi基板上へのSiGe層のエピタキシャル成長におけるSi基板方位の影響

〇(D)中原正博^1,4、深見昌吾¹、 Mel F. Hainey, Jr.¹、中川慶彦¹、有元圭介²、後藤和泰¹、黒川康良¹、前田健作³、藤原航三³、 Marwan Dhamrin⁴、宇佐美徳隆¹ (1.名大院工、2.山梨大クリスタル研、3.東北大金研、4.東洋アルミニウム)

14:30 〜 14:45

△ [12p-M113-6] 石英基板上GeSn液相成長におけるGeSn堆積温度と細線形状の効果

〇井上慶太郎¹、和田裕希¹、細井卓治¹、志村考功¹、渡部平司¹ (1.阪大院工)

14:45 〜 15:00

[12p-M113-7] CWレーザーアニール法によるガラス上でのGeおよびGeSn薄膜結晶成長

〇松村亮¹、ジェバスワンウィパコーン¹、深田直樹¹ (1.物材機構・MANA)

15:00 〜 15:15

[12p-M113-8] c面サファイア基板上Ge(111)薄膜成長における双晶形成の抑制

〇(B)宮崎滉¹、大武史康²、岡田健²、川島知之²、鷲尾勝由² (1.東北大工、2.東北大院工)

15:15 〜 15:30

[12p-M113-9] ガラス上へのGe貼り合わせにおける界面アモルファス層挿入の効果

〇小野貴史¹、高藤裕¹、澤野憲太郎¹ (1.東京都市大)

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[11p-PA5-2] スパッタエピタキシー法を用いた完全圧縮歪SiGe薄膜形成技術

[11p-PA5-3] 極薄AlN中間層を用いたエピタキシャルグラフェン上Siエピタキシャル成長

[12a-M113-1~8] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[12a-M113-1] Raman分光法を用いたイオン注入Ge基板表面の結晶損傷評価

△ [12a-M113-2] 逆格子空間マッピングを用いたGe_1-xSn_xメサ構造における歪緩和評価

[12a-M113-3] 液浸ラマン分光法による組成傾斜SiGeワイヤの異方性二軸応力分布評価

[12a-M113-4] SiO₂上Ge成長膜の擬誘電応答関数に関するモデルとフィッテイング

△ [12a-M113-5] 水浸ラマン分光法によるパターン加工したカーボンドープシリコンにおける歪緩和の評価

[12a-M113-6] ヘテロエピタキシャルAl/Ge(111)上に偏析した極薄Geの化学分析

△ [12a-M113-7] 多層グラフェンの合成に向けた炭素/金属固相反応の包括的研究

[12a-M113-8] エピタキシャル成長におけるリコン多形の結晶成長の可能性

[12p-M113-1~9] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[12p-M113-1] Ge-Au 同時蒸着膜を用いた金誘起層交換成長法によるGe 結晶の低温形成

[12p-M113-2] 金誘起層交換成長法で作製したGe薄膜における電気伝導特性の理解

[12p-M113-3] 金誘起層交換成長法で作製したGe薄膜を用いた薄膜トランジスタ特性

▼ [12p-M113-4] Aluminum-induced crystallization of Si (111) on highly mismatched crystalline substrates

[12p-M113-5] 印刷と焼成によるSi基板上へのSiGe層のエピタキシャル成長におけるSi基板方位の影響

△ [12p-M113-6] 石英基板上GeSn液相成長におけるGeSn堆積温度と細線形状の効果

[12p-M113-7] CWレーザーアニール法によるガラス上でのGeおよびGeSn薄膜結晶成長

[12p-M113-8] c面サファイア基板上Ge(111)薄膜成長における双晶形成の抑制

[12p-M113-9] ガラス上へのGe貼り合わせにおける界面アモルファス層挿入の効果

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△ [12a-M113-5] 水浸ラマン分光法によるパターン加工したカーボンドープシリコンにおける歪緩和の評価

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[12p-M113-1~9] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

▼ [12p-M113-4] Aluminum-induced crystallization of Si (111) on highly mismatched crystalline substrates

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