[11p-W641-1~14] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

△ [11p-W641-10] Copper dry etching by water-vapor aided hydrogen plasma

〇Yoshiki Shirasu¹, Takuhiro Ando¹, Hiroaki Kakiuchi¹, Kiyoshi Yasutake¹, Hiromasa Ohmi¹ (1.Osaka Univ.)

Keywords:dry etching, copper, hydrogen plasma

化学反応を利用した金属加工技術は、精細なデバイスを製造する上で必須となる基盤技術である。現存する加工法の多くは、危険かつ環境負荷の高い薬品や廃液を伴う。このため、我々は、無毒・廉価な水素ガスによる局在プラズマを用い、低環境負荷な金属加工法の開発を行っている。今回は添加ガスとして水蒸気を添加し、Cuをはじめとする種々の金属に対するエッチング特性を調査し、メカニズムを考察した結果を報告する。