一般セッション(口頭講演)
13 半導体 » 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術
13:00 〜 13:15
〇岡本 直哉1,2、高橋 厚1,2、美濃浦 優一1,2、熊崎 祐介1,2、尾崎 史朗1,2、多木 俊裕1,2 (1.富士通株式会社、2.株式会社富士通研究所)
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13:15 〜 13:30
〇(B)久恒 悠介1、金 相佑1、星井 拓也1、角嶋 邦之1、若林 整1、筒井 一生1 (1.東工大)
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13:30 〜 13:45
〇高山 研1、太田 貴士1、佐々木 満孝1、向井 勇人1、濱田 拓也1、高橋 言雄2、井出 利英2、清水 三聡2、星井 拓也1、角嶋 邦之1、若林 整1、筒井 一生1 (1.東工大工、2.産総研)
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13:45 〜 14:00
〇高橋 英匡1、安藤 裕二1、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)
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14:00 〜 14:15
〇川角 優斗1、堀切 文正2、福原 昇2、塩島 謙次1 (1.福井大院工、2.(株)サイオクス)
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14:15 〜 14:30
〇(PC)Maria Villamin1、Takaaki Kondo1、Naotaka Iwata1 (1.Toyota Technological Institute)
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14:30 〜 14:45
〇谷本 真士1、赤松 純1、多田 慎一1、大巻 雄治1、岩佐 成人1、向井 孝志1 (1.日亜化学工業)
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14:45 〜 15:00
〇平岩 篤1,4、堀川 清貴2、大久保 智2、川原田 洋1,2,3 (1.早大ナノ・ライフ、2.早大理工、3.早大材研、4.名大未来研)
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15:15 〜 15:30
〇越智 亮太1、前田 瑛里香2,3、生田目 俊秀2、塩崎 宏司4、橋詰 保1,4 (1.北大量集センター、2.物材機構、3.芝浦工大、4.名大IMaSS)
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15:30 〜 15:45
〇嶋田 章宏1、塩見 春奈1、藤平 哲也1、林 侑介1、金木 奨太2、橋詰 保2、今井 康彦3、隅谷 和嗣3、木村 滋3、酒井 朗1 (1.阪大院基礎工、2.北大量エレ研、3.JASRI)
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15:45 〜 16:00
〇(M2)前田 瑛里香1,2、生田目 俊秀2、廣瀨 雅史1,2、井上 万里2、大井 暁彦2、池田 直樹2、塩崎 宏司3、橋詰 保4、清野 肇1 (1.芝浦工大、2.物材機構、3.名大、4.北大)
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16:00 〜 16:15
〇溝端 秀聡1、和田 悠平1、野﨑 幹人1、細井 卓治1、志村 考功1、渡部 平司1 (1.阪大院工)
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16:15 〜 16:30
〇(M2)和田 悠平1、溝端 秀聡1、野崎 幹人1、細井 卓治1、加地 徹2、志村 考功1、渡部 平司1 (1.阪大院工、2.名大IMaSS)
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16:30 〜 16:45
〇横井 駿一1、久保 俊晴1、江川 孝志1 (1.名工大)
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16:45 〜 17:00
〇上殿 明良1、上野 航1、細井 卓治2、Egger Werner3、Hugenschmidt Christoph3、Dickmann Marcel4、渡部 平司2 (1.筑波大数物、2.阪大院工、3.UniBwM、4.TUM)
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17:00 〜 17:15
〇平野 太基1、上沼 睦典1、古川 暢昭1、浦岡 行治1、足立 秀明1 (1.奈良先端大)
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17:15 〜 17:30
〇(M2)NAM KyungPil1、石田 崇1,2、山田 真嗣1,2,3、Maciej Matys2、加地 徹2、須田 淳1,2 (1.名大院、2.名大 未来材料、3.アルバック半電研)
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