一般セッション(口頭講演)
13 半導体 » 13.3 絶縁膜技術
08:30 〜 08:45
〇佐藤 滉太1、尾沼 猛儀1、山口 智広1、本田 徹1 (1.工学院大)
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08:45 〜 09:00
〇原田 和輝1、志村 渓太1、岩崎 好孝1、上野 智雄1 (1.東京農工大)
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09:00 〜 09:15
〇萩原 崇之1、阿部 綾香1、亀田 直人1、中村 健2、野中 秀彦2 (1.明電NPI、2.産総研)
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09:15 〜 09:30
〇奥 友希1、戸塚 正裕1、佐々木 肇1 (1.三菱電機)
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09:30 〜 09:45
〇(M2)Weiqi Zhou1、Susumu Horita1 (1.JAIST)
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09:45 〜 10:00
矢田 航平1、〇影島 博之1 (1.島根大院自然科学)
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10:15 〜 10:30
〇西原 達平1、横川 凌1,2、大槻 友志3、加賀谷 宗仁3、小椋 厚志1,2 (1.明治大理工、2.再生可能エネルギー研究インスティテュート、3.東京エレクトロン テクノロジーソリューションズ株式会社)
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10:30 〜 10:45
〇(M1)GE BEIBEI1、Chen Hua-Hsuan3、Daisuke Ohori1,2,3、Takuya Ozaki1、Seiji Samukawa1,2 (1.IFS, Tohoku Univ.、2.AIMR, Tohoku Univ.、3.NCTU)
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10:45 〜 11:00
〇(M2)Rahul Agrawal1、Kiyoteru Kobayashi1 (1.Tokai Univ.)
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11:00 〜 11:15
〇(M2)笈川 拓也1、長澤 立樹1、中山 隆史1 (1.千葉大理)
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