シンポジウム(口頭講演)

[13p-A303-1~9] 先端イオン顕微鏡技術の近年の進捗：ナノ材料・デバイスへの展開

2020年3月13日(金) 13:30 〜 17:15 A303 (6-303)

米谷玲皇(東大)、小川真一(産総研)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
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13:30 〜 14:00

▲ [13p-A303-1] Planar-type Si thermoelectric generators using nanopatterning

〇Masahiro Nomura¹ (1.IIS, Univ. of Tokyo)

14:00 〜 14:30

▲ [13p-A303-2] Large scale integrated superconducting Josephson circuits fabricated with focused helium Ion irradiation.

〇Shane Andrew Cybart¹、 Jay C. LeFebvre¹ (1.UC Riverside)

14:30 〜 15:00

▲ [13p-A303-3] Fabrication of nanofiber Bragg cavities with lower acceleration voltage to avoid process damage

〇Hideaki Takashima¹、 Atsushi Fukuda¹、 Hiroki Kawaguchi¹、 Kazuki Fukushige¹、 Konosuke Shimazaki¹、 Toshiyuki Tashima¹、 Shigeki Takeuchi¹ (1.Kyoto Univ.)

15:00 〜 15:15

▲ [13p-A303-4] Optomechanical device fabrication for the light detection using focused-ion-beam processing

〇Reo Kometani¹、 Penekwong Khemnat¹、 Shin-ichi Warisawa¹ (1.Grad. Sch. of Front. Sci., Univ. of Tokyo)

15:15 〜 15:30

▲ [13p-A303-5] Helium Ion Beam Milling for Chiral Nanostructures

〇(DC)Guenter Ellrott^1,2、 Shinichi Ogawa³、 Yukinori Morita³、 Manoharan Muruganathan¹、 Vojislav Krstic²、 Hiroshi Mizuta^1,4 (1.JAIST、2.FAU、3.AIST、4.Hitachi Camb. Lab)

15:45 〜 16:15

▲ [13p-A303-6] Analytical capabilities on FIB instruments using SIMS: applications, current developments and prospects

〇Olivier De Castro¹、 Jean-Nicolas Audinot¹、 Antje Biesemeier¹、 Quang Hung Hoang¹、 Tom Wirtz¹ (1.LIST, Luxembourg)

16:15 〜 16:30

▲ [13p-A303-7] Negative magnetoresistance in helium-ion-irradiated graphene

Takuya Iwasaki¹、 Manoharan Muruganathan²、 Masashi Akabori²、 Yoshifumi Morita³、 Satoshi Moriyama¹、〇Shinichi Ogawa⁴、 Yutaka Wakayama¹、 Hiroshi Mizuta^2,5、 Shu Nakaharai¹ (1.NIMS、2.JAIST、3.Gunma Univ、4.AIST、5.Hitachi Camb. Lab)

16:30 〜 16:45

▲ [13p-A303-8] Voltage contrast of BaTiO3 dielectric material by Helium Ion Microscopy

〇Shinichi Ogawa¹、 Akira Saito² (1.AIST、2.Murata Manufacturing)

16:45 〜 17:15

▲ [13p-A303-9] Application of Neon Ion Beam for Processing III-V Semiconductors and Atom Probe Sample Preparation of Ga sensitive materials

〇Vignesh Viswanathan¹、 Deying Xia²、 Hanfang Hao¹、 John Notte² (1.Carl Zeiss Pte Ltd、2.Carl Zeis SMT Inc.)

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