一般セッション(口頭講演)

[22a-E204-1~9] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2022年3月22日(火) 09:30 〜 12:00 E204 (E204)

原田尚之(物材機構)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:30 〜 09:45

△ [22a-E204-1] 高移動度磁性半導体EuTiO₃薄膜のAサイト元素置換効果

〇(M2)高原規行¹、高橋圭³、十倉好紀^1,2,3、川﨑雅司^1,3 (1.東大院工、2.東大東京カレッジ、3.理研 CEMS)

09:45 〜 10:00

△ [22a-E204-2] 放射光電子分光によるSrTi_1-xV_xO₃量子井戸の量子化状態

〇(D)神田龍彦¹、志賀大亮¹、和田亜里斗¹、長谷川直人¹、北村未歩²、吉松公平¹、組頭広志^1,2 (1.東北大多元研、2.KEK物構研)

10:00 〜 10:15

△ [22a-E204-3] エピタキシャル歪みによるSrVO₃薄膜のバンド幅制御と有効質量の発散

〇(B)小川茉白¹、相馬拓人¹、大友明^1,2 (1.東工大物質理工、2.元素戦略)

10:15 〜 10:30

△ [22a-E204-4] ダブルペロブスカイト型 La₂MnCoO₆ 薄膜における B アンチサイト欠陥が生むスピングラス的挙動と巨大交換バイアス

〇(M2)張樹桐¹、ラムチャンドラサフー¹、相馬拓人¹、大友明^1,2 (1.東工大物質理工、2.元素戦略)

10:45 〜 11:00

△ [22a-E204-5] フレキシブルな合成雲母基板上へのVO₂薄膜の配向成長および曲げ応力による金属絶縁体転移温度の変調

〇(D)新田悠汰¹、西中浩之¹、武田実¹、吉本昌広¹ (1.京工繊大)

11:00 〜 11:15

△ [22a-E204-6] TiO₂(110)ステップ基板上VO₂薄膜の相転移特性の素子方向依存性

〇金庚民¹、玄地真悟²、山崎詩郎³、田中秀和²、阿部真之¹ (1.阪大基、2.阪大産研、3.東工大物)

11:15 〜 11:30

△ [22a-E204-7] VO2金属絶縁体転移における静特性と過渡特性の結びつき

〇(B)浜砂智¹、パティサトウヤプラカシュ¹、矢嶋赳彬¹ (1.九州大学)

11:30 〜 11:45

△ [22a-E204-8] V₂O₅エピタキシャル薄膜の真空中一軸圧縮熱処理による結晶相制御

〇庄司拓貴¹、金子健太¹、大賀友瑛¹、金子智^2,1、吉本護¹、松田晃史¹ (1.東工大物質理工、2.神奈川県産技総研)

11:45 〜 12:00

△ [22a-E204-9] パイロクロア型単結晶A₂²⁺B₂⁵⁺O₇ (A = Sn, Pb; B = Nb, Ta)薄膜の作製と光学特性

〇(M2)伊藤宏陽¹、藤田貴啓¹、川﨑雅司^1,2 (1.東大院工、2.理研CEMS)

一般セッション(口頭講演)

[22p-E204-1~13] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2022年3月22日(火) 13:30 〜 17:00 E204 (E204)

田中貴久(東大)、岡大地(東北大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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13:30 〜 13:45

△ [22p-E204-1] 高移動度Mott絶縁体の探索：岩塩型NbOエピタキシャル薄膜

〇(B)木村凜太郎¹、神永健一²、丸山伸伍²、松本祐司² (1.東北大工、2.東北大院工)

13:45 〜 14:00

△ [22p-E204-2] LaRuO₃単結晶薄膜の作製と磁気輸送特性

〇(M2)張レイ飛¹、藤田貴啓¹、川﨑雅司^1,2 (1.東大院工、2.理研CEMS)

14:00 〜 14:15

▼ [22p-E204-3] Orthorhombic distortion and optoelectronic transport properties of rutile Nb:TiO₂ epitaxial films grown on M-plane sapphire substrates

〇(D)Binjie Chen¹、Yuqiao Zhang²、Hiromichi Ohta³ (1.IST-Hokkaido U.、2.Jiangsu U.、3.RIES-Hokkaido U.)

14:15 〜 14:30

△ [22p-E204-4] 真空紫外光照射によるNiOエピタキシャル薄膜の導電性制御と結晶配向面依存性

〇金子健太¹、庄司拓貴¹、大賀友瑛¹、金子智^2,1、吉本護¹、松田晃史¹ (1.東工大物質理工、2.神奈川県産技総研)

14:30 〜 14:45

△ [22p-E204-5] ２種類のハロゲン層を含む水分解用層状酸塩化物光触媒PbBi₃O₄Cl₃

〇鈴木肇¹、佐伯昭紀²、阿部竜¹ (1.京大院工、2.阪大院工)

14:45 〜 15:00

△ [22p-E204-6] 変位電流評価法による電池用材料の電気特性評価

〇(M2)山本星斗¹、江草俊²、石井久夫^1,3,4、田中有弥^1,3 (1.千葉大院融合、2.株式会社東芝、3.千葉大先進、4.千葉大MCRC)

15:15 〜 15:30

△ [22p-E204-7] Eu:Y₂O₃蛍光体薄膜のPLD成長におけるHeガスの効果

〇鈴木静華¹、太宰卓朗¹、高橋竜太¹ (1.日大工)

15:30 〜 15:45

▼ [22p-E204-8] Phase Structural Modification of Solution-Processed Barium Titanate/Polysiloxane Nanocomposite for Memory Application

〇(D)Aimi Safaruddin¹、Juan Paolo S. Bermundo¹、Mutsunori Uenuma¹、Atsuko Yamamoto²、Yukaru Uraoka¹ (1.NAIST、2.MERCK)

15:45 〜 16:00

▼ [22p-E204-9] Reversible rapid protonation of WO₃ films in non-acid solution

〇Zhiping Bian¹、Jiangtao Zhao¹、Heng Cao¹、Yongqi Dong^1,2、Zhenlin Luo¹ (1.NSRL, USTC、2.SIAT, CAS)

16:00 〜 16:15

▼ [22p-E204-10] Investigation of Deep-level Defects in β-Ga₂O₃ (001) Schottky Barrier Diode
by Transient Photocapacitance Spectroscopy

〇(D)Fenfen Fenda Florena¹、Aboulaye Traore¹、Takeaki Sakurai¹ (1.Univ. of Tsukuba)

16:15 〜 16:30

△ [22p-E204-11] GaO_xメモリスタの抵抗スイッチング特性評価

〇(M2)佐藤健人¹、林侑介¹、藤平哲也¹、酒井朗¹ (1.大阪大基)

16:30 〜 16:45

△ [22p-E204-12] 平面型TiO_2-xメモリスタ素子における抵抗変化領域のその場TEM観察

〇(M2)谷口奈穂¹、林侑介¹、藤平哲也¹、酒井朗¹ (1.大阪大基)

16:45 〜 17:00

△ [22p-E204-13] TaO_x抵抗変化素子のアナログ抵抗変化特性におけるノイズ印加効果

〇(M2)菅原広太^1,2、島久²、内藤泰久²、菅洋志¹、秋永広幸² (1.千葉工大、2.産総研)

一般セッション(口頭講演)

[23a-E204-1~10] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2022年3月23日(水) 09:00 〜 12:00 E204 (E204)

吉松公平(東北大)、小塚裕介(物材機構)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:00 〜 09:30

[23a-E204-1] [第6回薄膜・表面物理分科会論文賞受賞記念講演] VO₂極薄膜における電子・結晶構造の膜厚依存性: 協調的モット-パイエルス転移の抑制

〇志賀大亮^1,2、楊以理¹、長谷川直人¹、神田龍彦¹、德永凌祐¹、吉松公平¹、湯川龍²、北村未歩²、堀場弘司²、組頭広志^1,2 (1.東北大多元研、2.KEK物構研)

09:30 〜 09:45

[23a-E204-2] マイクロ空間で顕在化した結晶配向に依存したVO₂の特異伝導特性

〇大坂藍¹、Pamsi Liliany²、服部賢²、石暁倩³、郭方准³、田中秀和¹、服部梓¹ (1.阪大産研、2.奈良先端大、3.大連交通大)

09:45 〜 10:00

[23a-E204-3] 25%Ir置換LSMOエピタキシャル薄膜の特異な電気・磁気特性

〇神永健一¹、鈴木貫太¹、丸山伸伍¹、松本祐司¹ (1.東北大院工)

10:00 〜 10:15

▲ [23a-E204-4] Magnetic frustration of multiple phases in LaMnO₃ / LaNiO₃ superlattices

〇Ramchandra Sahoo¹、Shutong Zhang¹、Akira Ohtomo^1,2 (1.Tokyo Tech., Dept. Chem. Sci. Eng.、2.Tokyo Tech., MCES)

10:15 〜 10:30

[23a-E204-5] 25Å周期の膜厚で引きおこる金属絶縁体転移の発見

〇迫田將仁¹、延兼啓純²、下田周平³、丹田聡¹ (1.北大工、2.北大理、3.北大触研)

10:45 〜 11:00

[23a-E204-6] [第6回薄膜・表面物理分科会奨励賞受賞記念講演] 正方晶NiCo₂O₄薄膜における円錐型磁気異方性

〇小泉洸生¹、柳原英人¹ (1.筑波大)

11:00 〜 11:15

[23a-E204-7] レーザーアブレーションを用いた酸化鉄ナノワイヤの自己形成技術の開発

〇山口達也¹、李海寧¹、山原弘靖¹、田畑仁¹、関宗俊¹ (1.東大院工)

11:15 〜 11:30

[23a-E204-8] ミストCVDによるFe₃O₄エピタキシャル薄膜作製とその成長メカニズム

〇菅大介¹、白木宏²、蓬莱慎司¹、島川祐一¹ (1.京大化研、2.村田製作所)

11:30 〜 11:45

[23a-E204-9] CVD 成長大面積 hBN シートへの遷移金属酸化物薄膜結晶の成長

〇玄地真悟¹、深町悟²、大坂藍¹、服部梓¹、吾郷浩樹²、田中秀和¹ (1.阪大産研、2.九大GIC)

11:45 〜 12:00

[23a-E204-10] 高温強磁性半導体GdOエピタキシャル薄膜の結晶性と物性の改善

〇深沢崇人¹、岡大地¹、神永健一²、齋藤大地¹、清水宙一¹、福村知昭^1,3,4,5 (1.東北大院理、2.東北大院工、3.東北大AIMR&CRC、4.東北大CSIS、5.東北大CSRN)

一般セッション(口頭講演)

[23p-E204-1~13] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2022年3月23日(水) 13:30 〜 17:00 E204 (E204)

近松彰(お茶の水女子大)、大口裕之(芝浦工大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:30 〜 13:45

[23p-E204-1] [第51回講演奨励賞受賞記念講演] Liイオン脱挿入による強相関電子系遷移金属酸化物薄膜の物性変調

〇矢島達也¹、張書馨¹、佐藤礼¹、相馬拓人¹、大友明^1,2 (1.東工大物質理工、2.元素戦略)

13:45 〜 14:00

[23p-E204-2] SrFeO_xエピタキシャル薄膜における長距離水素スピルオーバー現象

〇鎌田太郎¹、菅大介¹、細川三郎²、島川祐一¹ (1.京大化研、2.京工繊大)

14:00 〜 14:15

[23p-E204-3] EuNiO₃薄膜の作成とその水素誘起高抵抗化特性評価

〇谷口勇貴¹、Musa Alaydrus²、濱田幾太郎²、服部梓¹、李好博¹、田中秀和² (1.阪大産研、2.阪大院工)

14:15 〜 14:30

[23p-E204-4] Al基板上のLiCoO₂薄膜成長とLiイオン電池への応用

〇嶋瑞生¹、川山巌¹、片岡理樹²、前田泰²、土井俊哉¹ (1.京大院エネ科、2.産総研電池技術)

14:30 〜 14:45

[23p-E204-5] Nanogap-IL-FETを用いたH_xWO_3-δ膜の導電性制御

〇(B)森本大智¹、伊勢柾希¹、木下健太郎¹ (1.東理大理)

14:45 〜 15:00

▲ [23p-E204-6] Electrical control of two-terminal protonic device using an amorphous WO₃ thin film

〇SatyaPrakash Pati¹、Satoshi Hamasuna¹、Takeaki Yajima¹ (1.Kyushu Univ.)

15:00 〜 15:15

[23p-E204-7] 全固体熱トランジスタ

楊倩¹、イジュンヤク²、ジンヒョンジン²、魏家科³、馮斌³、幾原雄一³、ジョヘジュン⁴、〇太田裕道⁴ (1.北大院情報、2.釜山大物理、3.東大総研、4.北大電子研)

15:30 〜 15:45

[23p-E204-8] 斜め研磨構造を利用したSrTiO₃表面再結合速度の高精度評価

加藤遥介¹、〇加藤正史¹ (1.名工大)

15:45 〜 16:00

[23p-E204-9] ペロブスカイト／Siタンデム太陽電池応用に向けたALD-TiO₂層の評価

〇石川亮佑^1,2、家城大輔²、桐原芳治³、辻口良太³、小山涼²、中田和吉¹、野平博司² (1.東京都市大総研、2.東京都市大電、3.東京都市大院理工)

16:00 〜 16:15

[23p-E204-10] ペロブスカイト／Siタンデム太陽電池応用に向けたALD-TiO₂層のXPS評価

〇野平博司¹、桐原芳治²、辻口良太²、小山涼¹、中田和吉³、石川亮佑^1,3 (1.東京都市大理工、2.東京都市大院理工、3.東京都市大総研)

16:15 〜 16:30

[23p-E204-11] 顕微ラマン分光法による多層電極付n型β-Ga₂O₃結晶の高温電子物性の熱応力効果

〇各務良哉¹、鳥本祐¹、須田潤¹ (1.中京大工)

16:30 〜 16:45

[23p-E204-12] イルメナイト型MgTiO₃薄膜のパルスレーザー堆積法による合成

〇根岸真通¹、藤原宏平¹、塚﨑敦^1,2,3 (1.東北大金研、2.東北大CSRN、3.東北大CSIS)

16:45 〜 17:00

[23p-E204-13] LaAlO₃ (110)基板上へのλ型Ti₃O₅薄膜の直接合成

〇吉松公平^1,2、組頭広志^1,2 (1.東北大多元研、2.東工大元素戦略)

一般セッション(口頭講演)

[24a-E204-1~8] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2022年3月24日(木) 09:30 〜 11:45 E204 (E204)

島久(産総研)、西佑介(京大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
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09:30 〜 09:45

[24a-E204-1] PtO_x/ZnOショットキー接合の界面近傍におけるドナー濃度とその起源について

〇(M2)松村美貴也¹、田中貴久¹、内田建¹ (1.東大院工)

09:45 〜 10:00

[24a-E204-2] 点接触Pt/TiO₂単結晶から構成される半導体ガスセンサの水素に対する抵抗応答と、バイアス極性に応じたその極性反転

〇鈴木拓¹、安達裕¹、大垣武¹、坂口勲¹ (1.物材機構)

10:00 〜 10:15

[24a-E204-3] スパッタNbO_x膜を用いた閾値スイッチング素子の検討

〇中村颯汰¹、畠中林太郎¹、清水智弘¹、伊藤健¹、新宮原正三¹ (1.関西大理工学研究科)

10:15 〜 10:30

[24a-E204-4] アモルファスGaO_xを用いたクロスバーアレイメモリスタの抵抗変化特性

〇正岡直樹¹、林侑介¹、藤平哲也¹、酒井朗¹ (1.阪大院基礎工)

10:45 〜 11:00

[24a-E204-5] Ta₂O₅を用いたReRAM素子におけるアナログ抵抗変化の理論的実証

〇中村優斗^1,2、西佑介¹ (1.舞鶴工業高等専門学校、2.豊橋技術科学大学)

11:00 〜 11:15

[24a-E204-6] TiN/Hf/MgOx/Pt/Ti-ReRAMにおける電圧スイープ下での抵抗変化挙動

〇木村洸希¹、野下知弥²、畠中林太郎¹、清水智弘¹、伊藤健¹、新宮原正三¹ (1.関西大理工学研究科、2.関西大シス理)

11:15 〜 11:30

[24a-E204-7] TiN/Hf/HfO₂/Au/ HfO₂/ TiN –素子における電圧パルス下での抵抗変化挙動

〇(M1)黄川洋¹、田中正和²、畠中林太郎¹、清水智弘¹、伊藤健¹、新宮原正三¹ (1.関西大理工学研究科、2.関大システム理)

11:30 〜 11:45

[24a-E204-8] 陽極酸化アルミナを用いたメモリスタの作製

〇石原嘉人¹、木下友起¹、Myo Than Htay¹、橋本佳男¹ (1.信州大工)

一般セッション(ポスター講演)

[25p-P01-1~19] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2022年3月25日(金) 13:30 〜 15:30 P01 (ポスター)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:30 〜 15:30

[25p-P01-1] 膜中残留炭素と酸素分圧制御による高配向V₆O₁₃膜の作製と特性評価

〇山田知紀¹、田橋正浩¹、高橋誠¹、後藤英雄¹ (1.中部大工)

13:30 〜 15:30

[25p-P01-2] NdNiO₃電界効果トランジスタのナノスケール化へ向けた取り組み

〇(M1)小泉遼太¹、服部梓¹、李好博¹、田中秀和¹ (1.阪大産研)

13:30 〜 15:30

[25p-P01-3] プラズマプルームの発光分光分析による強相関強誘電体 YMnO₃ 薄膜の PLD 成長プロセスモニタリング

〇五十嵐悠生¹、吉村武¹、藤村紀文¹ (1.阪府大院工)

13:30 〜 15:30

▲ [25p-P01-4] Synthesis of Ruddlesden-Popper type Sr₃Cr₂O₇ epitaxial thin films

〇(M2)Zhaochen MA¹、Daichi Oka¹、Tomoteru Fukumura^1,2 (1.Dept. Chem., Tohoku Univ.、2.AIMR, Tohoku Univ.)

13:30 〜 15:30

[25p-P01-5] CaF₂基板上でのNdOエピタキシャル薄膜の合成と物性

〇齋藤大地¹、岡大地¹、Sun Zaichun²、Mei Bingchu²、福村知昭^1,3,4,5 (1.東北大院理、2.Wuhan Univ. of Tech.、3.東北大 AIMR&CRC、4.東北大 CSIS、5.東北大CSRN)

13:30 〜 15:30

[25p-P01-6] Ga系液体金属合金の表面酸化膜転写と
抵抗変化型素子への応用

〇永井慈¹、前田直輝¹、山本伸一¹ (1.龍谷大理工)

13:30 〜 15:30

[25p-P01-7] ZrO_x系ReRAMにおける電極界面へのSiO_x層挿入効果

〇(M2)當山啓斗¹、秋山竜介¹、結城賢采¹、塚越一仁²、相川慎也¹ (1.工学院大工、2.物材研)

13:30 〜 15:30

[25p-P01-8] 可視光透過型CO₂センサの感度向上に向けた
SnO₂薄膜へのLaOCl添加

〇前田拓人¹、荒井雄太¹、杉山睦^1,2 (1.東理大　理工、2.東理大　総研)

13:30 〜 15:30

[25p-P01-9] NiO:Li エピタキシャル薄膜の正孔輸送層応用に向けた抵抗率の制御

〇橋本侑弥¹、杉山睦^1,2 (1.東理大　理工、2.東理大　総研)

13:30 〜 15:30

[25p-P01-10] 可視光応答性光触媒g-C₃N₄/BiVO₄粉末の特性評価

〇塩津太一¹、立川雅貴¹、山本伸一¹ (1.龍谷大理工)

13:30 〜 15:30

[25p-P01-11] 固相反応法を用いて作製したAg₃PO₄光触媒の触媒反応評価

〇川崎裕大¹、山本伸一¹ (1.龍谷大理工)

13:30 〜 15:30

[25p-P01-12] 沈殿法で作製したLaVO₄の光触媒特性評価

〇並木崚佑¹、西田智哉¹、山本伸一¹ (1.龍谷大理工)

13:30 〜 15:30

[25p-P01-13] 走査型光電子顕微分光による光触媒微粒子の電子状態解析

〇(B)大石健太¹、張文雄²、久富隆史^3,4、堂免一成^2,3、小嗣真人¹、永村直佳^1,4,5 (1.東理大、2.東大、3.信州大、4.JST さきがけ、5.物材機構)

13:30 〜 15:30

[25p-P01-14] g-C₃N₄粉末光触媒性能の加熱処理回数依存性

〇立川雅貴¹、塩津太一¹、山本伸一¹ (1.龍谷大理工)

13:30 〜 15:30

[25p-P01-15] アップコンバージョン蛍光体MoVO₃の光触媒効果

〇西田智哉¹、並木崚祐¹、山本伸一¹ (1.龍谷大学)

13:30 〜 15:30

[25p-P01-16] 大気中光電子収量分光法によるInGaZnO薄膜のエネルギーバンド構造解析

〇渡邉悠太¹、服部吉晃¹、北村雅季¹ (1.神戸大院工)

13:30 〜 15:30

[25p-P01-17] NiOへのドーピングがNiO/ZnOヘテロ界面に与える影響

〇友野恵介¹、杉山睦^1,2 (1.東理大　理工、2.東理大　総研)

13:30 〜 15:30

[25p-P01-18] Al_xGa_1-xN系薄膜の放射光軟X線顕微光電子分光法による非破壊電子状態分析

〇(M1C)竹澤伸吾¹、小濱路生²、張文雄³、吹留博一²、渡邊一世⁴、井村将隆⁵、津田俊輔⁵、小嗣真人¹、永村直佳^1,5,6 (1.東京理科大、2.東北大、3.東大、4.情通機構、5.物材機構、6.JSTさきがけ)

13:30 〜 15:30

[25p-P01-19] 透明アンテナ用ITO導電膜のシート抵抗と放射効率の膜厚依存性

〇山田友里¹、越地福朗¹、安田洋司¹、山田勝実¹、内田孝幸¹ (1.東京工芸大学)

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6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[22a-E204-1~9] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [22a-E204-1] 高移動度磁性半導体EuTiO3薄膜のAサイト元素置換効果

△ [22a-E204-2] 放射光電子分光によるSrTi1-xVxO3量子井戸の量子化状態

△ [22a-E204-3] エピタキシャル歪みによるSrVO3薄膜のバンド幅制御と有効質量の発散

△ [22a-E204-4] ダブルペロブスカイト型 La2MnCoO6 薄膜における B アンチサイト欠陥 が生むスピングラス的挙動と巨大交換バイアス

△ [22a-E204-5] フレキシブルな合成雲母基板上へのVO2薄膜の配向成長および曲げ応力による金属絶縁体転移温度の変調

△ [22a-E204-6] TiO2(110)ステップ基板上VO2薄膜の相転移特性の素子方向依存性

△ [22a-E204-7] VO2金属絶縁体転移における静特性と過渡特性の結びつき

△ [22a-E204-8] V2O5エピタキシャル薄膜の真空中一軸圧縮熱処理による結晶相制御

△ [22a-E204-9] パイロクロア型単結晶A22+B25+O7 (A = Sn, Pb; B = Nb, Ta)薄膜の作製と光学特性

[22p-E204-1~13] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [22p-E204-1] 高移動度Mott絶縁体の探索：岩塩型NbOエピタキシャル薄膜

△ [22p-E204-2] LaRuO3単結晶薄膜の作製と磁気輸送特性

▼ [22p-E204-3] Orthorhombic distortion and optoelectronic transport properties of rutile Nb:TiO2 epitaxial films grown on M-plane sapphire substrates

△ [22p-E204-4] 真空紫外光照射によるNiOエピタキシャル薄膜の導電性制御と結晶配向面依存性

△ [22p-E204-5] ２種類のハロゲン層を含む水分解用層状酸塩化物光触媒PbBi3O4Cl3

△ [22p-E204-6] 変位電流評価法による電池用材料の電気特性評価

△ [22p-E204-7] Eu:Y2O3蛍光体薄膜のPLD成長におけるHeガスの効果

▼ [22p-E204-8] Phase Structural Modification of Solution-Processed Barium Titanate/Polysiloxane Nanocomposite for Memory Application

▼ [22p-E204-9] Reversible rapid protonation of WO3 films in non-acid solution

▼ [22p-E204-10] Investigation of Deep-level Defects in β-Ga2O3 (001) Schottky Barrier Diodeby Transient Photocapacitance Spectroscopy

△ [22p-E204-11] GaOxメモリスタの抵抗スイッチング特性評価

△ [22p-E204-12] 平面型TiO2-xメモリスタ素子における抵抗変化領域のその場TEM観察

△ [22p-E204-13] TaOx抵抗変化素子のアナログ抵抗変化特性におけるノイズ印加効果

[23a-E204-1~10] 6.3 酸化物エレクトロニクス

▲ [23a-E204-4] Magnetic frustration of multiple phases in LaMnO3 / LaNiO3 superlattices

[23p-E204-1~13] 6.3 酸化物エレクトロニクス

▲ [23p-E204-6] Electrical control of two-terminal protonic device using an amorphous WO3 thin film

[24a-E204-1~8] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[25p-P01-1~19] 6.3 酸化物エレクトロニクス

▲ [25p-P01-4] Synthesis of Ruddlesden-Popper type Sr3Cr2O7 epitaxial thin films

認証

△ [22a-E204-1] 高移動度磁性半導体EuTiO₃薄膜のAサイト元素置換効果

△ [22a-E204-2] 放射光電子分光によるSrTi_1-xV_xO₃量子井戸の量子化状態

△ [22a-E204-3] エピタキシャル歪みによるSrVO₃薄膜のバンド幅制御と有効質量の発散

△ [22a-E204-4] ダブルペロブスカイト型 La₂MnCoO₆ 薄膜における B アンチサイト欠陥が生むスピングラス的挙動と巨大交換バイアス

△ [22a-E204-5] フレキシブルな合成雲母基板上へのVO₂薄膜の配向成長および曲げ応力による金属絶縁体転移温度の変調

△ [22a-E204-6] TiO₂(110)ステップ基板上VO₂薄膜の相転移特性の素子方向依存性

△ [22a-E204-8] V₂O₅エピタキシャル薄膜の真空中一軸圧縮熱処理による結晶相制御

△ [22a-E204-9] パイロクロア型単結晶A₂²⁺B₂⁵⁺O₇ (A = Sn, Pb; B = Nb, Ta)薄膜の作製と光学特性

△ [22p-E204-2] LaRuO₃単結晶薄膜の作製と磁気輸送特性

▼ [22p-E204-3] Orthorhombic distortion and optoelectronic transport properties of rutile Nb:TiO₂ epitaxial films grown on M-plane sapphire substrates

△ [22p-E204-5] ２種類のハロゲン層を含む水分解用層状酸塩化物光触媒PbBi₃O₄Cl₃

△ [22p-E204-7] Eu:Y₂O₃蛍光体薄膜のPLD成長におけるHeガスの効果

▼ [22p-E204-9] Reversible rapid protonation of WO₃ films in non-acid solution

▼ [22p-E204-10] Investigation of Deep-level Defects in β-Ga₂O₃ (001) Schottky Barrier Diode
by Transient Photocapacitance Spectroscopy

△ [22p-E204-11] GaO_xメモリスタの抵抗スイッチング特性評価

△ [22p-E204-12] 平面型TiO_2-xメモリスタ素子における抵抗変化領域のその場TEM観察

△ [22p-E204-13] TaO_x抵抗変化素子のアナログ抵抗変化特性におけるノイズ印加効果

▲ [23a-E204-4] Magnetic frustration of multiple phases in LaMnO₃ / LaNiO₃ superlattices

▲ [23p-E204-6] Electrical control of two-terminal protonic device using an amorphous WO₃ thin film

▲ [25p-P01-4] Synthesis of Ruddlesden-Popper type Sr₃Cr₂O₇ epitaxial thin films