2023年第70回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[15a-B410-1~9] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

2023年3月15日(水) 09:00 〜 11:30 B410 (2号館)

岡田 竜弥(琉球大)、呉 研(日大)

09:30 〜 09:45

[15a-B410-3] ミニマルファブ SOI CMOSにおけるオーバーラップ長縮小の検討

浜本 毅司1、北山 侑司3、丸山 智史3、クンプアン ソマワン1,2、柴 育成3、原 史朗1,2,4 (1.ミニマルファブ、2.産総研、3.横河ソリューション、4.(株)Hundred Semiconductors)

キーワード:SOI、MOSFET

ミニマルファブは多品種少量生産をターゲットとした生産システムである。このミニマルファブでのデバイス適応実績としては、カンチレバーに代表されるMEMSデバイス、CMOSおよびそれを用いたRing Oscillatorとオペアンプなどが試作されてきた。1,000Gateレベルの集積回路の動作検証は既に終了し、試作ファブとして実用化されている。今後は、PDK(Process Design Kit)を作成し、広範なユーザー設計に基づいた回路動作に対応すべく、MOSFETの動作精度向上、プロセスロバスト性確保に注力する段階となっている。今回、MOSFETのサイズ縮小の一環として、オーバーラップ長縮小の検討を行った結果を報告する。