一般セッション(口頭講演)
[16a-D704-1~10] 10.3 スピンデバイス・磁気メモリ・ストレージ技術
2023年3月16日(木) 09:15 〜 12:00 D704 (11号館)
△:奨励賞エントリー
▲:英語発表
▼:奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄:どちらもなし
09:15 〜 09:30
▲ [16a-D704-1] Post-annealing effect on voltage induced coercivity change in Pt/Ru/Co/CoO/TiOx system
〇Tomohiro Nozaki1、 Jun Okabayashi2、 Shingo Tamaru1、 Makoto Konoto1、 Takayuki Nozaki1、 Shinji Yuasa1 (1.AIST、2.UTokyo)
09:30 〜 09:45
〇Rie Matsumoto1、 Shinji Yuasa1、 Imamura Hiroshi1 (1.AIST)
09:45 〜 10:00
〇北岡 幸恵1、 今村 裕志1 (1.産総研)
10:00 〜 10:15
〇Shoya Sakamoto1、 Takayuki Nozaki2、 Shinji Yuasa2、 Kenta Amemiya3、 Shinji Miwa1,4 (1.ISSP, Univ. of Tokyo、2.AIST、3.IMSS, KEK、4.TSQS, Univ. of Tokyo)
10:15 〜 10:30
〇(M1)Jieyi Chen1、 Shoya Sakamoto1、 Hidetoshi Kosaki1、 Shinji Miwa1,2 (1.ISSP-UTokyo、2.TSQS-UTokyo)
10:45 〜 11:00
〇今村 裕志1、 荒井 礼子1、 松本 利映1 (1.産総研)
11:00 〜 11:15
五十嵐 純太1,2、 〇陣内 佛霖3、 渡部 杏太1、 エバンス リチャード4、 深見 俊輔1,3,5,6,7、 大野 英男1,3,5,6 (1.東北大通研、2.ロレーヌ大学IJL、3.東北大WPI-AIMR、4.ヨーク大物理、5.東北大CSIS、6.東北大CIES、7.稲盛科学研究機構)
11:15 〜 11:30
〇Takafumi Nakano1、 Kosuke Fujiwara2、 Seiji Kumagai2、 Yasuo Ando1,3、 Mikihiko Oogane1,3 (1.Tohoku Univ.、2.SSF Corp.、3.CSIS)
11:30 〜 11:45
〇Tomoya Nakatani1、 Hirofumi Suto1、 Prabhanjan Kulkarni1、 Hitoshi Iwasaki1、 Yuya Sakuraba1 (1.NIMS)
11:45 〜 12:00
〇(PC)Prabhanjan Dilip Kulkarni1、 Tomoya Nakatani1、 Hitoshi Iwasaki1、 Hirofumi Suto1、 Yuya Sakuraba1 (1.NIMS)