一般セッション(口頭講演)

[16a-D3-1~11] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2013年9月16日(月) 10:00 〜 13:00 D3 (MK 2F-201)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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10:00 〜 10:15

[16a-D3-1] 低温酸化による層状ダブルペロブスカイト酸化物の合成

^○市川能也¹，保坂祥輝¹，齊藤高志¹，島川祐一^1,2 (京大化研¹，JST-CREST²)

10:15 〜 10:30

[16a-D3-2] マグネタイトのピラミッド構造の初期成長

^○高橋竜太¹，三隅光¹，山本剛久²，Mikk Lippmaa¹ (東大物性研¹，名大²)

10:30 〜 10:45

[16a-D3-3] 酸素八面体の連結性を利用したペロブスカイト酸化物の相制御

^○菅大介¹，麻生亮太郎¹，倉田博基^1,2，島川祐一^1,2 (京大化研¹，JST-CREST²)

10:45 〜 11:00

[16a-D3-4] アークプラズマガンを用いた金属ナノ微粒子を含有するMgO薄膜の結晶成長

^○小管浩揮¹，吉岡秀樹²，山本伸一¹ (龍谷大院理工¹，兵庫工技セ²)

11:00 〜 11:15

[16a-D3-5] ウェットプロセスを導入して作製した2層構造金属酸化物薄膜の結晶成長

^○金森翼¹，吉岡秀樹²，山本伸一¹ (龍谷大院理工¹，兵庫工技セ²)

11:15 〜 11:30

[16a-D3-6] パルスレーザー堆積法によるパイロクロア型Ir酸化物薄膜の作製と磁気輸送特性

^○小塚裕介¹，藤田貴啓¹，塚崎敦^2,3，有馬孝尚^4,5，川﨑雅司^1,5 (東大院工¹，東北大金研²，JSTさきがけ³，東大新領域⁴，理研CEMS⁵)

休憩　（11:30 〜 11:45）

11:45 〜 12:00

[16a-D3-7] 第一原理DFT+U法による希土類酸化物の電子状態解析

^○濱田智之¹，大野隆央²，前川禎通³ (日立中研¹，物材機構²，日本原研³)

12:00 〜 12:15

[16a-D3-8] Na_xCoO₂におけるナトリウムイオン拡散

^○（PC）柴田恭幸¹，小林航^1,2，守友浩^1,2 (筑波大数理¹，TIMS²)

12:15 〜 12:30

[16a-D3-9] 厚膜(104)配向LiCoO₂エピタキシャル膜の作製と電極性能

^○西尾和記，太田鳴海，大西剛，高田和典 (物材機構)

12:30 〜 12:45

[16a-D3-10] 全真空プロセスによる全固体薄膜Liイオン電池の作製

^○春田正和，鈴木竜，熊谷明哉，高木由貴，清水亮太，白木将，一杉太郎 (東北大)

12:45 〜 13:00

[16a-D3-11] 粉砕プロセスによるケイ素-金属酸化物コンポジット負極活物質の合成及びリチウムイオン二次電池の充放電特性

^○下位法弘¹，張其武¹，シャロンマリーガリド¹，田中泰光¹，田路和幸¹ (東北大多元¹)

一般セッション(口頭講演)

[16p-D3-1~13] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2013年9月16日(月) 14:30 〜 18:00 D3 (MK 2F-201)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
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14:30 〜 14:45

[16p-D3-1] LaVO_xN_yエピタキシャル薄膜の作製及び物性評価

^○佐野真仁^1,3，廣瀬靖^1,2,3，中尾祥一郎^2,3，楊長^1,2,3，岡崎壮平^2,3，福村知昭^1,2,3，石井聡⁴，笹公和⁴，関場大一郎⁴，福谷克之⁵，長谷川哲也^1,2,3 (東大院理¹，ＪＳＴ－ＣＲＥＳＴ²，ＫＡＳＴ³，ＵＴＴＡＣ⁴，東大生研⁵)

14:45 〜 15:00

[16p-D3-2] 相選択エッチングによる100nm幅VO₂ナノワイヤの作製

^○矢嶋赳彬，二宮裕磨，西村知紀，長汐晃輔，鳥海明 (東大院工マテ)

15:00 〜 15:15

[16p-D3-3] ICP支援スパッタ法における基板入射イオンエネルギー分析とVO₂薄膜の低温成長に関する研究

^○シュルズモハメッド，ハニスヌルー，沖村邦雄 (東海大院工)

15:15 〜 15:30

[16p-D3-4] エアーギャップを介した電界効果によるVO₂ナノワイヤーの電気特性変調

^○（M1）佐々木翼，上田大貴，神吉輝夫，田中秀和 (阪大産研)

15:30 〜 15:45

[16p-D3-5] スパッタ法により堆積したVO₂薄膜の電気的特性とポストアニールによる伝導型反転

^○Bintiazhan Nurulhanis，沖村邦雄 (東海大院工)

15:45 〜 16:00

[16p-D3-6] 急速熱処理還元法によるFe₃O₄薄膜/熱酸化Siの作製とその電気および磁気伝導特性

^○牧野壱¹，小堀裕己¹，山﨑篤志¹，谷口年史²，堀江智之³，清水哲夫³ (甲南理工¹，阪大院理²，産総研³)

16:00 〜 16:15

[16p-D3-7] (La,Pr,Ca)MnO₃一次元ナノ細線構造における単一電子相の相転移特性解明

^○服部梓，藤原康司，Anh Ngyuen，藤原宏平，田中秀和 (阪大産研)

休憩　（16:15 〜 16:30）

16:30 〜 16:45

[16p-D3-8] 室温での反応性スパッタにより作製したWO_x薄膜の抵抗スイッチ特性

^○中根明俊，高見澤圭祐，廣井孝弘，有田正志，高橋庸夫，山田徹 (北大院情報)

16:45 〜 17:00

[16p-D3-9] MoO_x抵抗変化型メモリのスイッチ特性の改善

^○（M1）廣井孝弘，中根明俊，Thana Sriviriyakul，髙見澤圭佑，有田正志，高橋庸夫 (北大院情報)

17:00 〜 17:15

[16p-D3-10] Cu/MoOx抵抗変化型メモリにおけるフィラメント観察とその分析

^○工藤昌輝，大野裕輝，浜田弘一，有田正志，高橋庸夫 (北大院情報)

17:15 〜 17:30

[16p-D3-11] 室温電荷秩序酸化物YbFe₂O₄薄膜の電界誘起抵抗スイッチング効果

^○堀竜也，藤原宏平，田中秀和 (阪大産研)

17:30 〜 17:45

[16p-D3-12] スパッタ法により作製された3Dクロスポイント型ReRAM用セレクター素子の開発

^○福田夏樹，福寿和紀，広瀬光隆，木村勲，西岡浩，鄒弘綱 (アルバック)

17:45 〜 18:00

[16p-D3-13] ReRAM材料候補としてのエピタキシャルCeO2膜/Pt電極の特性

^○吉武道子¹，Michal Vaclavu^1,2，Mykhailo Chundak^1,2，Vladimir Matolin²，知京豊裕¹ (物材機構¹，チェコカレル大²)

一般セッション(口頭講演)

[17a-D3-1~13] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2013年9月17日(火) 09:30 〜 13:00 D3 (MK 2F-201)

△：奨励賞エントリー
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09:30 〜 09:45

△ [17a-D3-1] アナターゼ型Ti_xTa_1-xO_1+yN_1-z薄膜のエピタキシャル成長

^○鈴木温^1,2,3，廣瀬靖^1,2,3，岡大地^1,2,3，中尾祥一郎^2,3，松崎浩之⁴，福谷克之⁵，石井聡⁶，笹公和⁶，関場大一郎⁶，福村知昭^1,2,3，長谷川哲也^1,2,3 (東大院理¹，KAST²，JST-CREST³，東大院工⁴，東大生研⁵，UTTAC⁶)

09:45 〜 10:00

△ [17a-D3-2] ダイナミックオーロラPLD法で作製したSrTiO₃薄膜の自発的超格子構造生成と格子整合の関係

^○（M1）窪田誠明¹，坂元尚紀¹，篠崎和夫²，鈴木久男¹，脇谷尚樹¹ (静岡大¹，東工大²)

10:00 〜 10:15

△ [17a-D3-3] 非化学量論組成SrTiO₃薄膜における強誘電性

^○小林俊介¹，柴田直哉²，幾原雄一²，山本剛久^1,3 (東大新領域¹，東大総研²，名大工³)

10:15 〜 10:30

△ [17a-D3-4] 各種透明導電膜上へのアナターゼTiO₂ナノワイヤーの成長

^○山口孝弘，北嶋啓人，山口裕生，河村益徳，二宮善彦，佐藤厚，山田直臣 (中部大工)

10:30 〜 10:45

△ [17a-D3-5] XASスペクトルに見られるTiO₂薄膜のエッチングダメージ回復現象の条件評価

^○佐野桂治¹，新部正人¹，川上烈生²，富永喜久雄²，中野由崇³ (兵庫県立大高度研¹，徳島大院工²，中部大総工研³)

10:45 〜 11:00

△ [17a-D3-6] FM-AFMによる光触媒SrTiO₃上の水和構造観察

^○川崎聖治¹，水光俊介²，高橋竜太¹，大西洋²，ミックリップマー¹ (東大物性研¹，神戸大理²)

11:00 〜 11:15

[17a-D3-7] 幾何学的フラストレーション構造を持ったパイロクロア型Bi₂Ti₂O₇薄膜のエピタキシャル成長

^○山竹恭平¹，Jie Wei¹，福村知昭^1.2，長谷川哲也^1,2 (東大院理¹，JST-CREST²)

休憩　（11:15 〜 11:30）

11:30 〜 11:45

[17a-D3-8] La:SrTiO₃/Nb:SrTiO₃オーミック接合への電荷層挿入によるショットキー障壁形成

^○矢嶋赳彬^1,2，疋田育之²，クリストファーベル²，ハロルドファン^2,3 (東大院工¹，SLAC²，スタンフォード大³)

11:45 〜 12:00

[17a-D3-9] 水熱合成TiO₂ナノチューブの光触媒特性

^○石井将之¹，李智媛²，寺内雅裕²，吉村武¹，中山忠親²，藤村紀文¹ (阪府大院工¹，長岡技科大極限²)

12:00 〜 12:15

[17a-D3-10] Nb-FドープCVD-TiO₂薄膜のwet処理による特性改善

^○山内智，石橋和洋 (茨城大工)

12:15 〜 12:30

[17a-D3-11] 第一原理計算による二酸化チタンの熱力学的相安定性の研究

^○（DC）青木祐太，斎藤晋 (東工大理)

12:30 〜 12:45

[17a-D3-12] ハイブリッド対向スパッタによるフィルム基板上へのITO透明導電膜作製

^○諸橋信一，碓井圭太，高木史博，原田直幸，村田卓也 (山口大院理工)

12:45 〜 13:00

[17a-D3-13] VLS法により形成されたITO単結晶ナノワイヤの組成制御と輸送特性

^○金井真樹，柳田剛，Gang Meng，長島一樹，川合知二 (阪大産研)

一般セッション(口頭講演)

[18a-D3-1~11] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2013年9月18日(水) 09:30 〜 12:30 D3 (MK 2F-201)

△：奨励賞エントリー
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09:30 〜 09:45

[18a-D3-1] 「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）遷移金属ナノ構造の酸化還元を利用した抵抗変化デバイス

^○藤原宏平 (阪大産研)

09:45 〜 10:00

[18a-D3-2] 「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）走査型透過電子顕微鏡によるSrRuO₃薄膜中の八面体構造の歪み解析

^○麻生亮太郎¹，菅大介¹，島川祐一^1,2，倉田博基^1,2 (京大化研¹，JST-CREST²)

10:00 〜 10:15

△ [18a-D3-3] 原子間力顕微鏡カンチレバーを用いた高ドリフト耐性を有する微細抵抗変化メモリ(ReRAM)の抵抗スイッチング特性

^○高相圭¹，澤居優圭¹，岸田悟^1,2，木下健太郎^1,2 (鳥取大工¹，TEDREC²)

10:15 〜 10:30

[18a-D3-4] Pt/TiO₂Pt構造におけるUnipolar型抵抗変化モデル

^○近藤祐介，大村泰久 (関西大院)

10:30 〜 10:45

△ [18a-D3-5] NiO薄膜の膜質がPt/NiO/Pt抵抗変化素子のフォーミング電圧に及ぼす影響

^○（DC）岩田達哉，西佑介，木本恒暢 (京大院工)

10:45 〜 11:00

△ [18a-D3-6] p-CuOx/SiOx/n-SiC/n-Si ダイオード構造抵抗変化型メモリ

^○山下敦史，塚本貴広，須田良幸 (東京農工大院工)

休憩　（11:00 〜 11:15）

11:15 〜 11:30

△ [18a-D3-7] 第一原理分子動力学法を用いたConducting-Bridge Memoryにおける微視的抵抗スイッチング機構の解明

^○由良翔¹，山崎隆浩³，中田謙吾¹，石井晃¹，岸田悟^1,2，木下健太郎^1,2 (鳥取大工¹，TEDREC　²，物質材料研究機構³)

11:30 〜 11:45

△ [18a-D3-8] HfO₂-CB-RAMのフィラメント形成における水の役割II

^○長谷川祥¹，吉原正人¹，片田直伸¹，岸田悟^1,2，木下健太郎^1,2 (鳥取大¹，TEDREC²)

11:45 〜 12:00

△ [18a-D3-9] フィラメント動作型抵抗変化メモリにおけるフィラメント物性の抽出

^○森山拓洋¹，小石遼介¹，木村康平¹，岸田悟^1,2，木下健太郎^1,2 (鳥取大工¹，TEDREC²)

12:00 〜 12:15

[18a-D3-10] ナノスケールプレーナー型抵抗変化メモリを用いた雰囲気がフィラメント物性に及ぼす直接的影響の解明

^○澤居優圭¹，高相圭¹，岸田悟^1,2，木下健太郎^1,2 (鳥取大工¹，TEDREC²)

12:15 〜 12:30

[18a-D3-11] Pr_1-xCa_xMnO₃薄膜の光学特性と抵抗スイッチング特性との相関

^○山田昌樹¹，酒井道¹，中村敏浩² (京都大工¹，大阪電気通信大工²)

一般セッション(口頭講演)

[18p-D3-1~17] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2013年9月18日(水) 14:00 〜 19:00 D3 (MK 2F-201)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
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昼食　（12:30 〜 14:00）

14:00 〜 14:30

[18p-D3-1] 「応用物理学会解説論文賞受賞記念講演」（30分）セラミックス素材の電子機能を探る：透明酸化物の特徴と可能性

^○細野秀雄 (東工大)

14:30 〜 14:45

[18p-D3-2] 「応用物理学会論文奨励賞受賞記念講演」（15分）High-Mobility Thin-Film Transistors with Polycrystalline In–Ga–O Channel Fabricated by DC Magnetron Sputtering

^○江端一晃 (出光興産)

14:45 〜 15:00

[18p-D3-3] GaおよびN添加ZnO薄膜の電気伝導特性

^○（M2）荒木拓海，岩田純一，平野祐，勝俣裕 (明大理工)

15:00 〜 15:15

[18p-D3-4] Ag/MgZnO-DMD紫外域透明導電性材料の作製

^○白崎慎也¹，菊池昭彦^1,2 (上智大・理工¹，上智大ナノテクノロジー研究センター²)

15:15 〜 15:30

[18p-D3-5] 水熱合成法によって作製されたZnOナノロッドのアトムプローブ分析

^○（M2）長縄陽介¹，岩田達夫²，永井滋一^1,2，梶原和夫^1,2，畑浩一^1,2，酒井智啓³，廣芝伸哉³，市川洋³ (三重大院工¹，三重大極限ナノエレセ²，名工大院工³)

15:30 〜 15:45

[18p-D3-6] Si基板上に成長したZnOナノワイヤの発光特性

^○（M1）藤井努，石山武，石井佑弥，福田光男 (豊橋技術科学大)

15:45 〜 16:00

[18p-D3-7] 結晶性In-Ga-Zn-Oを用いた不揮発性プログラマブルロジックエレメント

^○池田匡孝，岡本佑樹，中川貴史，青木健，上妻宗広，長多剛，黒川義元，池田隆之，山出直人，岡崎豊，宮入秀和，小山潤，山崎舜平 (半導体エネルギー研究所)

16:00 〜 16:15

[18p-D3-8] 酸化スズ中の電子輸送・物質輸送への水素添加効果

^○大橋直樹^1,2,3，渡邊賢¹，坂口勲^1,3，安達裕¹，菱田俊一¹，高橋涼介^1,3，Oliver Bierwagen^4,5，James Speck⁴，羽田肇¹，Alex Brian¹ (物・材機構¹，東工大・元素²，九大・量プロ³，ＵＣサンタバーバラ⁴，ＰＤＩベルリン⁵)

休憩　（16:15 〜 16:30）

16:30 〜 16:45

△ [18p-D3-9] PLD法によるZnIn₂O₄薄膜における相安定化と結晶構造

^○井澤涼太¹，種村和幸¹，坂本尚紀¹，篠崎和夫²，鈴木久男¹，脇谷尚樹¹ (静岡大¹，東工大²)

16:45 〜 17:00

△ [18p-D3-10] 電気化学成長Cu₂O薄膜の空乏層容量解析による伝導特性評価

^○佐藤俊祐，芦田淳，吉村武，藤村紀文 (阪府大院工)

17:00 〜 17:15

[18p-D3-11] Cu₂Oシート型ヘテロ接合太陽電池の光起電力特性に及ぼすn形半導体層形成条件の影響

^○宮田俊弘，西祐希，南内嗣 (金沢工大)

17:15 〜 17:30

[18p-D3-12] 透明太陽電池に向けたp型CuGaO₂薄膜の成長

^○森山和眞，松本靖弘，張紹偉，川出大佑，杉山睦 (東理大理工/総研)

17:30 〜 18:00

[18p-D3-13] 「応用物理学会優秀論文賞受賞記念講演」（30分）Enhanced Photocurrent in Rh-Substituted α-Fe₂O₃ Thin Films Grown by Pulsed Laser Deposition

^○関宗俊，山原弘靖，田畑仁 (東大)

18:00 〜 18:15

△ [18p-D3-14] 雰囲気熱処理したFe₃O₄ (111)薄膜の微細構造と磁気輸送特性

^○松崎功佑¹，Leonardo Lari²，Vlado Lazarov²，細野秀雄¹，須崎友文¹ (東工大応セラ研¹，York大²)

18:15 〜 18:30

△ [18p-D3-15] SrFeO_2.5/DyScO₃ヘテロ接合界面における特異な構造

^○平井慧¹，麻生亮太郎¹，菅大介¹，市川能也¹，倉田博基^1,2，島川祐一^1,2 (京大化研¹，JST-CREST²)

18:30 〜 18:45

△ [18p-D3-16] トポタクティック反応によるSrFeO_x薄膜のフッ素置換

^○片山司¹，近松彰^1,2，廣瀬靖^1,2,3，高木亮介¹，神坂英幸^1,2，福村知昭^1,2，長谷川哲也^1,2,3 (東大¹，JST-CREST²，KAST³)

18:45 〜 19:00

△ [18p-D3-17] ポリフッ化ビニリデンを用いたRNiO₃ (R=La, Nd)薄膜へのフッ素ドープ

^○小野塚智也¹，近松彰^{1, 2}，片山司¹，福村知昭^{1, 2}，長谷川哲也^{1, 2, 3} (東大院理¹，JST-CREST²，KAST³)

一般セッション(ポスター講演)

[19a-P3-1~27] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2013年9月19日(木) 09:30 〜 11:30 P3 (デイヴィス記念館 )

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:30 〜 11:30

[19a-P3-1] 2nm厚さタンタル酸化膜を持つ抵抗変化型スイッチ素子

^○大野武雄¹，寒川誠二^1,2 (東北大AIMR¹，東北大流体研²)

09:30 〜 11:30

[19a-P3-2] 分子軌道計算と光電子分光によるアモルファスNbOxの短距離構造の検討

^○桟敷剛¹，紅野安彦²，難波徳郎²，岡野寛¹ (香川高専¹，岡山大²)

09:30 〜 11:30

△ [19a-P3-3] 原子層堆積法による光触媒TiO₂薄膜の作製

^○田仲史弥¹，清水貴裕¹，西村幸姫²，三納清司²，浜部薫²，上田一輝³，加藤宏太³，小林久芳³，實野孝久⁴，稲田貢¹，齊藤正¹ (関西大システム理工¹，EMATEC²，京都工繊大院³，阪大レーザー研⁴)

09:30 〜 11:30

▲ [19a-P3-4] 水熱合成法によるメゾポーラスアナターゼ酸化チタンナノ結晶の合成と色素増感太陽電池特性

^○Archana Jayaram，Navaneethan Mani，小山忠信，早川泰弘 (静岡大電子研)

09:30 〜 11:30

[19a-P3-5] 金属単結晶基板上に成膜したLiCoO2エピタキシャル薄膜の構造評価

^○白木将¹，高木由貴¹，熊谷明哉¹，清水亮太¹，鈴木竜¹，春田正和¹，大澤健男¹，佐藤生²，幾原雄一^2,3，一杉太郎¹ (東北大WPI-AIMR¹，東大総研²，ファインセラミックセンター³)

09:30 〜 11:30

[19a-P3-6] Pt/BaTiO3/SrRuO3強誘電トンネル接合の作製と評価

^○山田浩之，福地厚，豊崎喜精，澤彰仁 (産総研)

09:30 〜 11:30

[19a-P3-7] Znフェライト薄膜の電気輸送特性におけるイオン液体ゲーティングの効果

^○藤原宏平，市村昂士，堀竜也，田中秀和 (阪大産研)

09:30 〜 11:30

[19a-P3-8] SrTiO₃表面空乏層に吸着した水の影響

^○侯秀一，高橋竜太，ミックリップマー (東大物性研)

09:30 〜 11:30

[19a-P3-9] SrZnO薄膜の光触媒効果2

^○岡本透¹，荻田太郎¹，原子進¹，小室修二²，趙新為¹ (東理大理¹，東洋大理工²)

09:30 〜 11:30

[19a-P3-10] 基板表面形状が及ぼすZnOナノロッドの配向性への影響

^○奥村竜二，酒井智啓，廣芝伸哉，市川洋 (名工大)

09:30 〜 11:30

[19a-P3-11] 熱処理法によるSrAl2O4: Eu, Dy薄膜の酸化Al下地膜の検討

^○北田誠，小林和晃，清水英彦，岩野春男，福嶋康夫，川上貴浩 (新潟大)

09:30 〜 11:30

[19a-P3-12] ジルコニアの酸素イオン伝導におけるアニオンドープの効果と電荷状態の第一原理計算

^○岡真悠子¹，神坂英幸^1,2，福村知昭^1,2，長谷川哲也^1,2,3 (東大院理¹，JST-CREST²，KAST³)

09:30 〜 11:30

[19a-P3-13] 銅酸化物の多孔膜電極の作製と光蓄電池への応用

^○（M2）吉田智仁，野見山輝明，堀江雄二 (鹿児島大院理工)

09:30 〜 11:30

[19a-P3-14] CuO/ZnOエピタキシャルp-n接合の作製

^○世古良太，春日充，二宮善彦，佐藤厚，山田直臣 (中部大工)

09:30 〜 11:30

[19a-P3-15] 透明導電膜の母材となるMg/C交互積層薄膜の表面エネルギー緩和

^○千葉雅史¹，後藤祐斗¹，清田英夫² (東海大開発工¹，東海大基盤工²)

09:30 〜 11:30

[19a-P3-16] 可視光透過型太陽電池に向けたNiO:Na₂O 薄膜の作製と評価Ⅱ

^○山口竜典¹，田中翔太¹，小畑努¹，手塚琢朗¹，李彤¹，原子進¹，小室修二²，趙新為¹ (東理大理¹，東洋大理工²)

09:30 〜 11:30

[19a-P3-17] 液相PLA法による複合酸化物微粒子薄膜作製評価と半導体ガスセンサー応用

^○楊洪権¹，永井豊¹，小野洋¹，田中勝己¹ (電通大情報理工¹)

09:30 〜 11:30

[19a-P3-18] NiO薄膜と様々な半導体・金属とのバンドアライメントの検討

^○川出大佑¹，森山和眞¹，秩父重英²，杉山睦¹ (東理大理工/総研¹，東北大多元研/院工²)

09:30 〜 11:30

△ [19a-P3-19] 室温レーザーMBEによる酸化コバルト薄膜の相制御と評価

^○松田晃史¹，金子智^1,2，吉本護¹ (東工大総理工¹，神奈川産技セ²)

09:30 〜 11:30

[19a-P3-20] Ga-Mn共添加ZnO薄膜の磁気特性

^○岡本純平，原子進，趙新為 (東理大理)

09:30 〜 11:30

[19a-P3-21] 可視光透過型太陽電池に向けたGZO薄膜の作製と評価Ⅱ

^○田中翔太¹，小畑努¹，手塚琢朗¹，山口竜典¹，原子進¹，小室修二²，趙新為¹ (東理大理¹，東洋大理工²)

09:30 〜 11:30

[19a-P3-22] 遷移金属酸化物抵抗変化型メモリにおけるスイッチング速度のフィラメント温度依存性

^○小石遼介¹，森山拓洋¹，木村康平¹，岸田悟^1,2，木下健太郎^1,2 (鳥取大工¹，TEDREC²)

09:30 〜 11:30

[19a-P3-23] AZO薄膜による有機ELの作製

^○本多広和，押木友裕，清水英彦，岩野春男，川上貴浩 (新潟大)

09:30 〜 11:30

[19a-P3-24] Strongly correlated (La,Pr,Ca)MnO₃ nanobox array structures constructed by 3D nanotemplate PLD technique and their conductive properties

^○あいんぬうえん¹，服部梓¹，藤原康司¹，上田茂典²，田中秀和¹ (阪大産研¹，NIMS²)

09:30 〜 11:30

[19a-P3-25] 金属酸化膜中に形成された導電性フィラメントの抵抗温度依存性

^○浜田佳典，大塚慎太郎，伊藤大介，清水智弘，新宮原正三 (関西大)

09:30 〜 11:30

[19a-P3-26] ポーラスアルミナにエッチング処理を用いた抵抗変化メモリ電流電圧特性

^○谷本優輔¹，渡辺忠孝¹，高野良紀¹，高瀬浩一¹，浜田佳典²，大塚慎太郎²，清水智弘²，新宮原正三² (日大理工¹，関大システム理工²)

09:30 〜 11:30

[19a-P3-27] スパッタおよびイオンアシスト斜め入射堆積法によるTiO2膜の作製

^○星陽一，安田洋司，北原直人 (東京工芸大)

セッション一覧

06．薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[16a-D3-1~11] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[16p-D3-1~13] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[17a-D3-1~13] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [17a-D3-1] アナターゼ型TixTa1-xO1+yN1-z薄膜のエピタキシャル成長

△ [17a-D3-2] ダイナミックオーロラPLD法で作製したSrTiO3薄膜の自発的超格子構造生成と格子整合の関係

△ [17a-D3-3] 非化学量論組成SrTiO3薄膜における強誘電性

△ [17a-D3-4] 各種透明導電膜上へのアナターゼTiO2ナノワイヤーの成長

△ [17a-D3-5] XASスペクトルに見られるTiO2薄膜のエッチングダメージ回復現象の条件評価

△ [17a-D3-6] FM-AFMによる光触媒SrTiO3上の水和構造観察

[18a-D3-1~11] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [18a-D3-3] 原子間力顕微鏡カンチレバーを用いた高ドリフト耐性を有する微細抵抗変化メモリ(ReRAM)の抵抗スイッチング特性

△ [18a-D3-5] NiO薄膜の膜質がPt/NiO/Pt抵抗変化素子のフォーミング電圧に及ぼす影響

△ [18a-D3-6] p-CuOx/SiOx/n-SiC/n-Si ダイオード構造抵抗変化型メモリ

△ [18a-D3-7] 第一原理分子動力学法を用いたConducting-Bridge Memoryにおける微視的抵抗スイッチング機構の解明

△ [18a-D3-8] HfO2-CB-RAMのフィラメント形成における水の役割II

△ [18a-D3-9] フィラメント動作型抵抗変化メモリにおけるフィラメント物性の抽出

[18p-D3-1~17] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [18p-D3-9] PLD法によるZnIn2O4薄膜における相安定化と結晶構造

△ [18p-D3-10] 電気化学成長Cu2O薄膜の空乏層容量解析による伝導特性評価

△ [18p-D3-14] 雰囲気熱処理したFe3O4 (111)薄膜の微細構造と磁気輸送特性

△ [18p-D3-15] SrFeO2.5/DyScO3ヘテロ接合界面における特異な構造

△ [18p-D3-16] トポタクティック反応によるSrFeOx薄膜のフッ素置換

△ [18p-D3-17] ポリフッ化ビニリデンを用いたRNiO3 (R=La, Nd)薄膜へのフッ素ドープ

[19a-P3-1~27] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [19a-P3-3] 原子層堆積法による光触媒TiO2薄膜の作製

▲ [19a-P3-4] 水熱合成法によるメゾポーラスアナターゼ酸化チタンナノ結晶の合成と色素増感太陽電池特性

△ [19a-P3-19] 室温レーザーMBEによる酸化コバルト薄膜の相制御と評価

△ [17a-D3-1] アナターゼ型Ti_xTa_1-xO_1+yN_1-z薄膜のエピタキシャル成長

△ [17a-D3-2] ダイナミックオーロラPLD法で作製したSrTiO₃薄膜の自発的超格子構造生成と格子整合の関係

△ [17a-D3-3] 非化学量論組成SrTiO₃薄膜における強誘電性

△ [17a-D3-4] 各種透明導電膜上へのアナターゼTiO₂ナノワイヤーの成長

△ [17a-D3-5] XASスペクトルに見られるTiO₂薄膜のエッチングダメージ回復現象の条件評価

△ [17a-D3-6] FM-AFMによる光触媒SrTiO₃上の水和構造観察

△ [18a-D3-8] HfO₂-CB-RAMのフィラメント形成における水の役割II

△ [18p-D3-9] PLD法によるZnIn₂O₄薄膜における相安定化と結晶構造

△ [18p-D3-10] 電気化学成長Cu₂O薄膜の空乏層容量解析による伝導特性評価

△ [18p-D3-14] 雰囲気熱処理したFe₃O₄ (111)薄膜の微細構造と磁気輸送特性

△ [18p-D3-15] SrFeO_2.5/DyScO₃ヘテロ接合界面における特異な構造

△ [18p-D3-16] トポタクティック反応によるSrFeO_x薄膜のフッ素置換

△ [18p-D3-17] ポリフッ化ビニリデンを用いたRNiO₃ (R=La, Nd)薄膜へのフッ素ドープ

△ [19a-P3-3] 原子層堆積法による光触媒TiO₂薄膜の作製