一般セッション(ポスター講演)

[27p-PB1-1~11] 10.1 新物質創成（酸化物・ホイスラー・金属磁性体等）

2013年3月27日(水) 13:30 〜 15:30 PB1 (第二体育館)

ポスター掲示時間13:30〜15:30(PB会場)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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[27p-PB1-1] TEMによる積層構造ZnFeO/ZnO膜の微細構造解析 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○安本正人¹，中山浩²，木下量介²，坂本勲²，小池正記¹，本多茂男³ (産総研¹，法政大²，島根大³)

[27p-PB1-2] ▲Pt/Co/α-Cr₂O₃薄膜における垂直交換バイアス磁場とバーティカルシフトの温度依存性 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○白土優¹，若津康平¹，武智雄一郎¹，西村隆志¹，中村哲也²，三俣千春³，中谷亮一¹ (阪大¹，高輝度光科学研究センター/SPring-8²，物質・材料研究機構³)

[27p-PB1-3] The interlayer exchange coupling in CoFe2O4/Cr/Fe systems (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○川井智博，平谷俊悟，長浜太郎，島田敏宏 (北大)

[27p-PB1-4] Fabrication of Fe₃O₄/Al₂O₃/Fe and Fe₃O₄/CoCr₂O₄/Fe tunnel junctions (1:30 PM ～ 3:30 PM)

松田悠弥，楯和也，^○高橋望，長浜太郎，島田敏宏 (北大)

[27p-PB1-5] ▲Evaluation of Perpendicular Magnetic Anisotropy in Fe-rich Cobalt Ferrite Epitaxial Thin Film Grown by a Reactive Magnetron Sputtering Technique (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○新関智彦¹，内海優二¹，井浦真¹，柳原英人¹，喜多英治¹，中尾裕則²，雨宮健太²，酒巻真粧子² (筑波大¹，高エネ研²)

[27p-PB1-6] ▲Structural and magnetic properties of full Heusler alloys Co₂Fe_0.4Mn_0.6Si grown on glass substrate (1:30 PM ～ 3:30 PM)

Kangkang Meng，^○大兼幹彦，永沼博，安藤康夫 (東北大院工)

[27p-PB1-7] ▼ZnO系障壁をベースしたMTJの実現に向けてMBE法を用いた強磁性金属薄膜上のZnO薄膜の成膜に関する調査 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○（DC）Mohamed Belmoubarik，野崎友大，佐橋政司 (東北大工)

[27p-PB1-8] 低温成長ハーフホイスラーLaPtBi薄膜の電気伝導特性 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

新美陽平¹，杉本望実¹，^○宮脇哲也¹，深谷直人¹，吉原健彦¹，伊藤孝寛¹，田中信夫²，浅野秀文¹ (名大院工¹，名大エコトピア研²)

[27p-PB1-9] 半導体上への垂直磁化膜の作製と評価(2) (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○平木隆浩，石倉丈継，小西敬太，崔志欣，陽完治 (北大量子集積センター)

[27p-PB1-10] 単層グラフェン/Ni(111)薄膜に於ける界面スピン再配列 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○松本吉弘，圓谷志郎，大伴真名歩，Pavel Avramov，楢本洋，境誠司 (原子力機構先端)

[27p-PB1-11] MBEにより成長した希薄磁性半導体(ZnFe)Teの結晶構造と磁気特性 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○（M1）石塚智史¹，土門武¹，秋山了太¹，金澤研¹，黒田眞司¹，三留正則²，板東義雄²，大渕博宣³ (筑波大院数理物質¹，物材機構²，高輝度光科学研究センター³)

一般セッション(口頭講演)

[29a-A7-1~9] 10.1 新物質創成（酸化物・ホイスラー・金属磁性体等）

2013年3月29日(金) 09:30 〜 12:00 A7 (K1号館 3F-306)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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[29a-A7-1] ▲YAlO₃(100)基板上に成長したマルチフェロイックBi(Fe_0.9Co_0.1)O₃エピタキシャル膜の構造と磁気特性 (9:30 AM ～ 9:45 AM)

^○一ノ瀬智浩，永沼博，大兼幹彦，安藤康夫 (東北大工)

[29a-A7-2] △様々なバッファ層を持つBi₃Fe₅O₁₂薄膜のガラス基板上への作製 (9:45 AM ～ 10:00 AM)

^○池原成拓¹，中川裕輝¹，松栄智章¹，小林司²，吉田和彦²，石橋隆幸²，西敬生¹ (神戸高専¹，長岡技科大²)

[29a-A7-3] △エピタキシャルSm-Ni合金薄膜の形成と構造解析 (10:00 AM ～ 10:15 AM)

^○堀田裕介¹，柳川貴人¹，大竹充¹，桐野文良²，二本正昭¹ (中央大理工¹，東京藝大²)

[29a-A7-4] △UHVスパッタリング法によるエピタキシャルSm(Co,Cu)5合金薄膜の形成 (10:15 AM ～ 10:30 AM)

^○山田真¹，柳川貴人¹，大竹充¹，桐野文良²，二本正昭¹ (中央大理工¹，東京藝大²)

[29a-A7-4.1] 休憩(15分)

[29a-A7-5] 規則型二重ペロブスカイトSrLaVMoO₆ (10:45 AM ～ 11:00 AM)

^○新野貴士¹，三宝勝利²，宮脇哲也³，植田研二⁴，浅野秀文⁵ (名大院工¹，名大院工²，名大院工³，名大院工⁴，名大院工⁵)

[29a-A7-6] ホイスラー強磁性/反強磁性積層膜における構造と界面磁性 (11:00 AM ～ 11:15 AM)

深谷直人，^○榊原英樹，稲垣圭真，宮脇哲也，植田研二，浅野秀文 (名大院工)

[29a-A7-7] 超伝導NbN薄膜上に作製した交換結合膜の磁気特性 (11:15 AM ～ 11:30 AM)

吉原健彦，^○高木涼真，深谷直人，宮脇哲也，植田研二，浅野秀文 (名大院工)

[29a-A7-8] InP基板上閃亜鉛鉱型MnAsの熱処理効果 (11:30 AM ～ 11:45 AM)

^○（DC）大前洸斗，島崎矩行，豊田英之，内富直孝 (長岡技大)

[29a-A7-9] △GaAs(100)単結晶基板上に形成したCo薄膜の構造に及ぼす膜厚と基板温度の影響 (11:45 AM ～ 12:00 AM)

^○皆川成行¹，大竹充¹，稲葉信幸²，二本正昭¹ (中央大理工¹，山形大工²)

一般セッション(口頭講演)

[30a-A7-1~11] 10.1 新物質創成（酸化物・ホイスラー・金属磁性体等）

2013年3月30日(土) 09:00 〜 12:00 A7 (K1号館 3F-306)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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[30a-A7-1] 正方晶及び立方晶ホイスラー型(Mn_3-δCo)-Ga 薄膜の結晶構造、磁気・伝導特性のCo組成依存性 (9:00 AM ～ 9:15 AM)

^○窪田崇秀¹，Siham Ouardi²，水上成美²，Gerhard Fecher²，Claudia Felser²，安藤康夫³，宮﨑照宣¹ (東北大WPI-AIMR¹，Max-Plank研究所²，東北大院工³)

[30a-A7-2] ▲垂直磁化Mn_3+xGe合金薄膜の構造と磁気特性 (9:15 AM ～ 9:30 AM)

^○水上成美，窪田崇秀，今藤由喜雄，宮崎照宣 (東北大WPI-AIMR)

[30a-A7-3] ▲A first-principles study on tunneling magnetoresistance of magnetic tunnel junctions with D0₂₂-type Mn₃Ga and Mn₃Ge (9:30 AM ～ 9:45 AM)

^○三浦良雄，白井正文 (東北大, 通研・CSIS)

[30a-A7-4] ▼Pt buffer層の挿入によるCr₂O₃/Co₃Pt薄膜の垂直交換結合の変化 (9:45 AM ～ 10:00 AM)

^○芦田拓也，佐藤祐司，野崎友大，佐橋政司 (東北大工)

[30a-A7-5] ▼Cr₂O₃酸化物層によるCo₃Ptの界面垂直磁気異方性 (10:00 AM ～ 10:15 AM)

^○笈田陸弘，芦田拓也，野崎友大，佐橋政司 (東北大)

[30a-A7-5.1] 休憩(15分)

[30a-A7-6] △(001)単結晶基板上に形成したエピタキシャルFePt合金膜の構造と磁気特性 (10:30 AM ～ 10:45 AM)

^○沼田裕介¹，板橋明¹，大竹充¹，桐野文良²，二本正昭¹ (中央大学理工¹，東京藝大²)

[30a-A7-7] ▲Enhanced interface perpendicular magnetic anisotropy in nitrogen doped Ta underlayer with CoFeB|MgO (10:45 AM ～ 11:00 AM)

^○ジャイバルダンシンハ¹，林将光¹，小塚雅也¹，山ノ内路彦²，深見俊輔³，三谷誠司¹，宝野和博¹，大野英男² (物材機構¹，東北大通研²，東北大CSIS³)

[30a-A7-8] ▲MgO/FeCo薄膜垂直磁気異方性のCo組成比依存性の第一原理計算 (11:00 AM ～ 11:15 AM)

^○（BC）辻川雅人¹，三浦良雄^2,1，白井正文^2,1 (東北大CSIS¹，東北大RIEC²)

[30a-A7-9] ▲垂直磁気異方性を有するFe/Ni超格子のダンピング定数 (11:15 AM ～ 11:30 AM)

荻原美沙子，^○関剛斎，小嶋隆幸，水口将輝，高梨弘毅 (東北大金研)

[30a-A7-10] Fe-B合金薄膜の磁気緩和定数 (11:30 AM ～ 11:45 AM)

^○川井哲郎¹，浅井雄悟¹，大竹充¹，武田茂²，二本正昭¹ (中大理工¹，Magnontech²)

[30a-A7-11] ▲Tunnel Magnetoresistance Effect in Magnetic Tunnel Junctions with L1₀-ordered MnAl electrode (11:45 AM ～ 12:00 AM)

猿山陽鏡，栗本雄太，^○大兼幹彦，永沼博，安藤康夫 (東北大院工)

一般セッション(口頭講演)

[30p-A7-1~8] 10.1 新物質創成（酸化物・ホイスラー・金属磁性体等）

2013年3月30日(土) 13:00 〜 15:00 A7 (K1号館 3F-306)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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[30p-A7-0] 昼食(60分)

[30p-A7-1] MBE法により作製したエピタキシャルCo₃FeN薄膜のXMCD測定 (1:00 PM ～ 1:15 PM)

^○伊藤啓太¹，佐内辰徳¹，安富陽子¹，都甲薫¹，竹田幸治²，齋藤祐児²，今井庸二³，木村昭夫⁴，末益崇¹ (筑波大数理物質¹，原子力機構²，産総研³，広島大理学⁴)

[30p-A7-2] MBE法により作製したエピタキシャルCo₃FeN薄膜の負のAMR効果 (1:15 PM ～ 1:30 PM)

^○佐内辰徳¹，伊藤啓太¹，都甲薫¹，鹿原和樹²，角田匡清²，末益崇¹ (筑波大院電物¹，東北大院電情応物²)

[30p-A7-3] MBE法によるMn₄N薄膜の成長 (1:30 PM ～ 1:45 PM)

^○安富陽子，佐内辰徳，伊藤啓太，都甲薫，末益崇 (筑波大院数理電物)

[30p-A7-4] △スピンクラスター形成の熱力学的考察 (1:45 PM ～ 2:00 PM)

^○劉カン，伊藤治彦 (東工大総理工)

[30p-A7-5] 白金超薄膜の異常ホール効果 (2:00 PM ～ 2:15 PM)

^○高橋圭¹，清水直²，川崎雅司^1,2,3，岩佐義宏^2,3，十倉好紀^1,2,3 (理研　CMRG¹，理研　CERG²，東大工³)

[30p-A7-6] インジウム・スズ酸化物におけるスピンホール角及び拡散長 (2:15 PM ～ 2:30 PM)

^○邱志勇，安藤和也，内田健一，梶原瑛祐，安東秀，藤川安仁，齊藤英治 (東北大)

[30p-A7-7] ▼Influence of interface termination layer on temperature dependence of tunneling magnetoresistance of Co₂MnSi/MgO-based magnetic tunnel junctions (2:30 PM ～ 2:45 PM)

^○劉宏喜¹，本田佑輔¹，松田健一¹，植村哲也¹，山本眞史¹，石峰源²，Paul Voyles² (北大情報¹，Univ. of Wisconsin-Madison²)

[30p-A7-8] ▲Tunnel magnetoresistance effect in Fe/MgO/Fe₂O₃/Fe/IrMn junctions (2:45 PM ～ 3:00 PM)

^○野崎隆行^1,2，久保田均^1,2，福島章雄^1,2，湯浅新治^1,2 (産総研　ナノスピントロニクス研究センター¹，CREST-JST²)

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[27p-PB1-1~11] 10.1 新物質創成（酸化物・ホイスラー・金属磁性体等）

[29a-A7-1~9] 10.1 新物質創成（酸化物・ホイスラー・金属磁性体等）

[30a-A7-1~11] 10.1 新物質創成（酸化物・ホイスラー・金属磁性体等）

[30p-A7-1~8] 10.1 新物質創成（酸化物・ホイスラー・金属磁性体等）