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シンポジウム

[27p-G4-1~11] GaN系材料表面・界面評価の進展 -基礎物性から出発するデバイス性能向上へのアプローチ-

2013年3月27日(水) 13:40 〜 17:45 G4 (B5号館 1F-2104)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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[27p-G4-1] GaN系材料表面・界面評価の進展～基礎物性から出発するデバイス性能向上へのアプローチ～（5分） (1:40 PM ～ 1:45 PM)

^○塩島謙次¹，中村成志² (福井大院工¹，首都大東京²)

[27p-G4-2] ＳＲＨモデルの役割：サイドゲート効果から電流コラプスまで（30分） (1:45 PM ～ 2:15 PM)

^○大野泰夫 (徳島大STS研究部)

[27p-G4-3] DLTS法によるGaN中の点欠陥の評価（30分） (2:15 PM ～ 2:45 PM)

^○徳田豊 (愛知工大)

[27p-G4-4] Ⅲ族窒化物およびⅢ-Ⅴ族化合物半導体中のプラズマ照射誘起欠陥（30分） (2:45 PM ～ 3:15 PM)

^○奥村次徳，中村成志 (首都大理工)

[27p-G4-4.1] 休憩(15分)

[27p-G4-5] 低Mgドープp形GaNショットキー接触の評価（30分） (3:30 PM ～ 4:00 PM)

^○塩島謙次 (福井大院工)

[27p-G4-6] InAlN/GaN ヘテロ構造の表面・界面の評価と制御（30分） (4:00 PM ～ 4:30 PM)

^○赤澤正道¹，橋詰保^1,2 (北大量集センター¹，JST-CREST²)

[27p-G4-7] プラズマ照射によるn型GaNの電気特性劣化のガス種依存性 (4:30 PM ～ 4:45 PM)

本郷直樹，^○瀧本拓真，中村成志，奥村次徳 (首都大理工)

[27p-G4-8] △AlGaN/GaNヘテロ接合におけるピエゾ効果と荷電表面準位 (4:45 PM ～ 5:00 PM)

^○保木井美和，榊裕之，秋山芳広，大森雅登 (豊田工大)

[27p-G4-9] ECRスパッタ法SiN保護膜を用いたGaN HEMTのコラプス改善 (5:00 PM ～ 5:15 PM)

^○水江千帆子，市川弘之，井上和孝 (住友電工　伝送デバイス研)

[27p-G4-10] △プラズマアシスト原子層堆積法によるGaN MISゲート絶縁膜用Al₂O₃の絶縁特性 (5:15 PM ～ 5:30 PM)

^○吉嗣晃治¹，堀田昌宏^1,2，石河泰明^1,2，浦岡行治^1,2 (奈良先端大¹，ＣＲＥＳＴ²)

[27p-G4-11] △ALD-Al₂O₃を用いた絶縁ゲート型GaN-HEMTの閾値シフト低減 (5:30 PM ～ 5:45 PM)

^○尾崎史朗，多木俊裕，金村雅仁，今田忠紘，中村哲一，岡本直哉，宮島豊生，吉川俊英 (富士通研)