一般セッション(口頭講演)

[17a-E15-1~6] 14.2 超薄膜・量子ナノ構造

2014年3月17日(月) 10:15 〜 11:45 E15 (E303)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

10:15 〜 10:30

[17a-E15-1] ZnO微小光共振器における共振器ポラリトン状態の高感度観測

^○長谷川尊之¹，岸本良¹，川瀬稔貴²，金大貴²，中山正昭² (兵庫県大院物質理¹，阪市大院工²)

10:30 〜 10:45

[17a-E15-2] GaAs/AlAs結合共振器によるテラヘルツ波発生への膜厚不均一の影響

^○北田貴弘，加藤翔，原山千穂，大柄根斉宣，井須俊郎 (徳島大院フロンティア)

10:45 〜 11:00

[17a-E15-3] 超高速波長変換素子に向けたInAs量子ドットを有するGaAs/AlAs多層膜三結合共振器の作製

^○大柄根斉宣¹，安長千徳¹，中河義典^1,2，森田健¹，北田貴弘¹，井須俊郎¹ (徳島大院フロンティア¹，日亜化学²)

11:00 〜 11:15

[17a-E15-4] InAs 量子ドットを利得媒質とするGaAs/AlAs結合共振器による等強度の二波長発振

^○原山千穂¹，加藤翔¹，中河義典^1,2，北田貴弘¹，井須俊郎¹ (徳島大院フロンティア¹，日亜化学²)

11:15 〜 11:30

[17a-E15-5] THz周波数間隔を持つ量子ドット2波長レーザ

^○赤羽浩一¹，山本直克¹，菅野敦史¹，梅沢俊匡¹，川西哲也¹，兼森敦²，高井裕司² (情通機構¹，東京電機大²)

11:30 〜 11:45

▲ [17a-E15-6] Hybrid SiO2/Si-InP micropillar cavity with submicrometer diameter for single-photon sources in 1.55-μm-wavelength telecommunication band

^○宋海智¹，竹本一矢¹，宮澤俊之²，高津求¹，岩本敏^1,3，江川満²，山本剛之²，荒川泰彦^1,3 (東大ナノ量子機構¹，富士通研究所²，東大生産研³)

一般セッション(口頭講演)

[17p-E15-1~15] 14.2 超薄膜・量子ナノ構造

2014年3月17日(月) 13:15 〜 17:30 E15 (E303)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

昼食 11:45〜13:15 （11:45 〜 13:15）

13:15 〜 13:45

[17p-E15-1] 「第4回女性研究者研究業績・人材育成賞(小舘香椎子賞)受賞記念講演」（30分）半導体量子ドットにおける核磁場揺らぎのスピンデコヒーレンスへの効果

^○鍜治怜奈 (北大)

13:45 〜 14:00

[17p-E15-2] 量子ドット集合体を用いた広帯域フォトンエコー量子インターフェースの量子状態トモグラフィー

^○鈴木一将¹，赤羽浩一²，小西広一郎¹，早瀬潤子¹ (慶大理工¹，情通機構²)

14:00 〜 14:15

△ [17p-E15-3] InAs量子ドットの位相緩和時間における歪補償積層構造の影響

^○末森亮介¹，赤羽浩一²，早瀬潤子¹ (慶大理工¹，情通機構²)

14:15 〜 14:30

△ [17p-E15-4] InP(311)B基板上低密度InAs量子ドットの発光ダイナミクス

^○小西広一郎¹，髙熊享¹，赤羽浩一²，小島磨³，早瀬潤子¹ (慶大理工¹，情通機構²，神戸大院工³)

14:30 〜 14:45

[17p-E15-5] InP(311)B面基板上InAs量子ドットの均一幅

^○高熊亨¹，小西広一郎¹，細井響子¹，末森亮介¹，林怜¹，赤羽浩一²，早瀬潤子¹ (慶應大¹，情報通信研究機構²)

14:45 〜 15:00

▼ [17p-E15-6] Effect of Vertical Miniband on the Photovoltaic Performance of a Solar Cell with Quantum Dot Superlattice Fabricated by Using Bio-Template and Neutral Beam Etching Technology

^○Maksudur Mohammad Rahman^1,4，五十嵐誠⁵，岡田健¹，星裕介²，宇佐美徳隆²，寒川誠二^1,3,4 (東北大流体研¹，名大工²，東北大WPI³，JST-CREST⁴，東京エレクトロン⁵)

15:00 〜 15:15

△ [17p-E15-7] バイオテンプレート極限加工による高密度10 nm Geナノディスクの作製と光学特性

^○エルマンモハマド^1,5，岡田健¹，藤井拓也^1,6，遠藤広孝⁶，伊藤公平^3,5，山下一郎^4,5，寒川誠二^1,2,5 (東北大流体研¹，東北大WPI²，慶大³，奈良先端大⁴，JST-CREST⁵，本田技術研究所⁶)

休憩 15:15〜15:30 （15:15 〜 15:30）

15:30 〜 15:45

△ [17p-E15-8] バイオテンプレート極限加工による高密度GaAsナノディスクの作製プロセスの最適化

^○田村洋典^1,5，肥後昭男²，セドリックトーマス^1,5，吉川憲一¹，岡田健¹，王云鵬³，杉山正和⁴，中野義昭⁴，寒川誠二^1,2,5 (東北大流体研¹，東北大WPI-AIMR²，東大先端研³，東大院工⁴，JST-CREST⁵)

15:45 〜 16:00

[17p-E15-9] バイオテンプレート極限加工によるGaAs量子ナノディスクの狭帯域フォトルミネッセンス特性

^○肥後昭男¹，田村洋典^2,7，木場隆之^3,7，セドリックトーマス^2,7，王云鵬⁴，山下一郎^5,7，杉山正和⁶，中野義昭^4,6，村山明宏^3,7，寒川誠二^1,2,7 (東北大WPI¹，東北大流体研²，北大院情報科学³，東大先端研⁴，奈良先端大⁵，東大工⁶，JST-CREST⁷)

16:00 〜 16:15

[17p-E15-10] 高均一GaAs量子ナノディスクにおけるピコ秒キャリアダイナミクス

^○木場隆之^1,4，田中亨¹，田村洋典^2,4，肥後昭男³，寒川誠二^2,3,4，村山明宏^1,4 (北大院・情報科学¹，東北大・流体研²，東北大・WPI-AIMR³，JST-CREST⁴)

16:15 〜 16:30

△ [17p-E15-11] バイオテンプレート極限加工によるInGaAs量子ナノディスクの作製

^○吉川憲一¹，李昌勇^1,4，田村洋典^1,4，肥後昭男²，CedricThomas^1,4，山下一郎^3,4，寒川誠二^1,2,4 (東北大流体研¹，東北大WPI²，奈良先端大³，JST-CREST⁴)

16:30 〜 16:45

▼ [17p-E15-12] GaNAs/AlGaAs with Close-to-Ideal Absorption Energies for Intermediate Band Solar Cell Application

^○（PC）MartinElborg¹，野田武司¹，間野高明¹，佐久間芳樹¹，迫田和彰^1,2，韓礼元¹ (物材機構¹，筑波大²)

16:45 〜 17:00

[17p-E15-13] InAs量子構造を利用した中間バンド型太陽電池におけるフェムト秒時間分解光伝導測定

^○山田泰裕¹，DavidTex^1,2，神谷格³，金光義彦^1,2 (京大化研¹，JST-CREST²，豊田工大³)

17:00 〜 17:15

[17p-E15-14] テンプレート法を用いたPbS量子ドット超格子構造の作製

^○（M1）清水雄大¹，森本伊織¹，中嶋聖介^1,2，向井剛輝¹ (横浜国大工¹，理研²)

17:15 〜 17:30

△ [17p-E15-15] シリコン・テンプレートによるPbS量子ドットの位置制御

^○広田章展¹，酒井鉄平¹，中嶋聖介^1,2，向井剛輝¹ (横国大工学府¹，理研²)

一般セッション(口頭講演)

[18a-E15-1~9] 14.2 超薄膜・量子ナノ構造

2014年3月18日(火) 09:15 〜 11:45 E15 (E303)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

09:15 〜 09:30

[18a-E15-1] 分子線エピタキシーによる(001)と(113)B GaAs基板上に成長したInAs量子ドットのフォトルミネッセンスに与えるAlAsキャップの影響

^○盧翔孟¹，松原修三¹，中河義典^1,2，北田貴弘¹，井須俊郎¹ (徳島大¹，日亜化学²)

09:30 〜 09:45

[18a-E15-2] 単一CdSe/ZnSナノ粒子の発光明滅：発光スペクトルと発光寿命の同時測定

^○井原章之，金光義彦 (京大化研)

09:45 〜 10:00

[18a-E15-3] 通信波長帯InGaAs量子井戸中のスピン緩和

^○森田健^1,2，小田達也²，石谷善博¹，北田貴弘²，井須俊郎² (千葉大工¹，徳島大²)

10:00 〜 10:15

[18a-E15-4] InGaAs/GaAs多重量子井戸のスピン緩和の観測

^○山本直輝¹，浅香尚洋¹，原澤遼¹，HaoWu¹，ShulongLu²，竹内淳¹ (早大先進理工¹，SINANO-CAS²)

10:15 〜 10:30

[18a-E15-5] 微小リッジ構造による自然放出光の指向性制御：PLによる観測

^○王学論，戸田直也，?国棟 (産総研)

休憩 10:30〜10:45 （10:30 〜 10:45）

10:45 〜 11:00

[18a-E15-6] 「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）(111)A面上量子ドットを用いた量子もつれ光子対生成：高忠実度化への制御

^○中島秀朗^1,2,3，黒田隆¹，熊野英和²，間野高明¹，迫田和彰¹，末宗幾夫² (物材機構¹，北大電子研²，学振DC³)

11:00 〜 11:15

[18a-E15-7] 単一量子ドット励起子分子-励起子カスケード過程における励起機構の制御

^○原田拓弥¹，中島秀朗^1,2，小田島聡¹，熊野英和¹，末宗幾夫¹ (北大電子研¹，学振DC²)

11:15 〜 11:30

[18a-E15-8] 単一モード光ファイバー直接接合型半導体量子ドットからの双方向単一光子干渉

^○（M1）石田峻之¹，笹倉弘理²，村上大輔¹，中田義昭¹，武藤俊一¹ (北大院工¹，北大創成機構²)

11:30 〜 11:45

[18a-E15-9] 室温動作GaNナノワイヤ量子ドット単一光子源

^○Mark Holmes¹，崔琦鉉¹，加古敏²，有田宗貴¹，荒川泰彦^1,2 (東大ナノ量子¹，東大生研²)

一般セッション(ポスター講演)

[18p-PG2-1~7] 14.2 超薄膜・量子ナノ構造

2014年3月18日(火) 13:30 〜 15:30 PG2 (G棟2階)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

13:30 〜 15:30

[18p-PG2-1] Si/CaF₂共鳴トンネル構造を用いた抵抗スイッチング素子のパルス応答特性

^○桑田友哉，須田慶太，傳田純也，越田悠太，渡辺正裕 (東工大院総理工)

13:30 〜 15:30

[18p-PG2-2] Al/CaF₂/Si MIS構造のトンネル電流評価

^○（D）須田慶太，傳田純也，桑田友哉，越田悠太，渡辺正裕 (東工大)

13:30 〜 15:30

[18p-PG2-3] Si/CaF₂共鳴トンネル量子井戸構造の高ピーク電流密度抵抗スイッチング特性

^○越田悠太，須田慶太，桑田友哉，傳田純也，渡辺正裕 (東工大院総理工)

13:30 〜 15:30

[18p-PG2-4] 単一発光中心の共鳴励起による単一光子発生

^○池沢道男¹，張遼¹，佐久間芳樹²，迫田和彰²，舛本泰章¹ (筑波大物理¹，物材機構²)

13:30 〜 15:30

[18p-PG2-5] コロイド合成法によるCdSe量子ドットの励起子スピン緩和ダイナミクス

^○田原一彬，奥畑智樹，玉井尚登 (関学大理工)

13:30 〜 15:30

[18p-PG2-6] Si(111)表面へのフェロセニルポリエチレングリコールの接合

^○杉浦慎太郎，一井崇，杉村博之 (京大院工)

13:30 〜 15:30

[18p-PG2-7] PbS量子ドットとシリカガラスのハイブリッド化と光導波路の形成

^○（M1）田中智也¹，中嶋聖介^1,2，向井剛輝¹ (横国大¹，理研²)

セッション一覧

14．半導体B（探索的材料・物性・デバイス） » 14.2 超薄膜・量子ナノ構造

[17a-E15-1~6] 14.2 超薄膜・量子ナノ構造

▲ [17a-E15-6] Hybrid SiO2/Si-InP micropillar cavity with submicrometer diameter for single-photon sources in 1.55-μm-wavelength telecommunication band

[17p-E15-1~15] 14.2 超薄膜・量子ナノ構造

△ [17p-E15-3] InAs量子ドットの位相緩和時間における歪補償積層構造の影響

△ [17p-E15-4] InP(311)B基板上低密度InAs量子ドットの発光ダイナミクス

▼ [17p-E15-6] Effect of Vertical Miniband on the Photovoltaic Performance of a Solar Cell with Quantum Dot Superlattice Fabricated by Using Bio-Template and Neutral Beam Etching Technology

△ [17p-E15-7] バイオテンプレート極限加工による高密度10 nm Geナノディスクの作製と光学特性

△ [17p-E15-8] バイオテンプレート極限加工による高密度GaAsナノディスクの作製プロセスの最適化

△ [17p-E15-11] バイオテンプレート極限加工によるInGaAs量子ナノディスクの作製

▼ [17p-E15-12] GaNAs/AlGaAs with Close-to-Ideal Absorption Energies for Intermediate Band Solar Cell Application

△ [17p-E15-15] シリコン・テンプレートによるPbS量子ドットの位置制御

[18a-E15-1~9] 14.2 超薄膜・量子ナノ構造

[18p-PG2-1~7] 14.2 超薄膜・量子ナノ構造