一般セッション(口頭講演)
13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術
2016年9月15日(木) 09:00 〜 12:15 B10 (展示控室1)
△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし
09:00 〜 09:15
〇田牧 祥吾1、寺脇 功士1、木元 雄一朗1、鎌田 航平1、大参 宏昌1、垣内 弘章1、安武 潔1 (1.阪大院工)
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09:15 〜 09:30
〇中島 涼介1、新 良太1、花房 宏明1、東 清一郎1 (1.広大院先端研)
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09:30 〜 09:45
〇水上 隆達1、竹島 真治1、山下 知徳1、東 清一郎1 (1.広大院先端研)
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09:45 〜 10:00
〇葉 文昌1 (1.島根大総合理工)
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10:00 〜 10:15
〇東 英実1、中野 茉莉央1、工藤 康平1、藤田 裕一1、山田 晋也1、金島 岳1、角田 功2、中島 寛3、浜屋 宏平1 (1.阪大基礎工、2.熊本高専、3.九大産学連携センター)
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10:15 〜 10:30
〇大澤 弘樹1、原 明人1 (1.東北学院大工)
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10:30 〜 10:45
〇菱谷 大輔1、石河 泰明1、池上 浩2、Trifunovic Miki3、石原 良一3、下田 達也4、浦岡 行治1 (1.奈良先端大、2.九大シス情、3.デルフト工大、4.北陸先端大)
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10:45 〜 11:00
〇鈴木 仁1、楊 天熙1、岡田 竜弥1、野口 隆1、河本 直哉2 (1.琉大工、2.山口大工)
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11:00 〜 11:15
〇鈴木 貴博1、横川 凌1、高橋 和也2、小森 克彦2、森本 保3、澤本 直美1、小椋 厚志1 (1.明治大理工、2.東京エレクトロン東北(株)、3.東京エレクトロン(株))
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11:15 〜 11:30
〇横川 凌1、鈴木 貴博1、鈴木 涼太1、高橋 和也2、小森 克彦2、森本 保3、澤本 直美1、小椋 厚志1 (1.明治大理工、2.東京エレクトロン東北㈱、3.東京エレクトロン㈱)
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11:30 〜 11:45
〇沼田 幸展1、平松 大典1、中野 賢明1 (1.株式会社 アルバック)
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11:45 〜 12:00
〇石塚 典男1、佐久間 憲之1 (1.日立研開)
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12:00 〜 12:15
〇(D)Haochun Tang1、Chun-Yi Chen1,2、Tso-Fu Mark Chang1,2、Daisuke Yamane1,2、Katsuyuki Machida1,2,3、Kazuya Masu1,2、Masato Sone1,2 (1.IIR Tokyo Tech、2.CREST JST、3.NTT AT Corp.)
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