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[15p-B9-1~17] 13.3 絶縁膜技術

2016年9月15日(木) 13:15 〜 17:45 B9 (展示ホール内)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:15 〜 13:30

▲ [15p-B9-1] [Young Scientist Presentation Award Speech] Effects of nitrogen bonding on para-/ferroelectric transition of HfO₂

〇Lun Xu¹、Tomonori Nishimura¹、Shigehisa Shibayama¹、Takeaki Yajima¹、Shinji Migita²、Akira Toriumi¹ (1.The Univ. of Tokyo、2.AIST)

13:30 〜 13:45

△ [15p-B9-2] 強誘電性HfO₂膜における局所内部電界に起因する分極の不均質性

〇柴山茂久^1,2、徐倫¹、田璇¹、右田真司³、鳥海明¹ (1.東大院工、2.学振特別研究員、3.産総研)

13:45 〜 14:00

▲ [15p-B9-3] Study of polarization uniformity in N-doped ferroelectric HfO₂ by piezo-response force microscopy

〇(D)Lun Xu¹、Shigehisa Shibayama¹、Tomonori Nishimura¹、Takeaki Yajima¹、Shinji Migita²、Akira Toriumi¹ (1.The Univ. of Tokyo、2.AIST)

14:00 〜 14:15

[15p-B9-4] TiNメタル中の不純物酸素が強誘電体Hf_0.5Zr_0.5O₂生成へ与える影響

〇太田裕之¹、右田真司¹、黒澤悦男¹、鳥海明² (1.産総研、2.東大院工)

14:15 〜 14:30

[15p-B9-5] 液相堆積法による(Ba, Sr)TiO₃の堆積条件検討

〇(M2)國光俊作¹、羽路伸夫¹ (1.横国大院工)

14:30 〜 14:45

△ [15p-B9-6] 極薄InGaAs界面層を有するGaAsSb MOS界面特性の評価

〇(D)後藤高寛^1,3、満原学^2,3、星拓也^2,3、杉山弘樹^2,3、竹中充^1,3、高木信一^1,3 (1.東大院、2.NTT研、3.CREST)

14:45 〜 15:00

△ [15p-B9-7] Al₂O₃/In_xGa_1-xAs MOS界面特性に与える前処理の効果のIn組成依存性

〇(B)横山千晶¹、張志宇^1,2,3、竹中充^1,2,3、高木信一^1,2,3 (1.東京大工、2.東京大院工、3.JST-CREST)

15:00 〜 15:15

▲ [15p-B9-8] Carrier Trapping Properties in La₂O₃/InGaAs MOSFETs

〇(D)ChihYu Chang^1,2、Mitsuru Takenaka^1,2、Shinichi Takagi^1,2 (1.The Univ. of Tokyo、2.JST-CREST)

15:15 〜 15:30

▲ [15p-B9-9] Energy Distribution of Slow Trap Density at La₂O₃/InGaAs MOS Interfaces

〇(D)ChihYu Chang^1,2、Mitsuru Takenaka^1,2、Shinichi Takagi^1,2 (1.The Univ. of Tokyo、2.JST-CREST)

15:30 〜 15:45

△ [15p-B9-10] HfO₂/Al₂O₃/InGaAsゲート構造における移動度の成膜温度およびAl₂O₃膜厚依存性

〇大澤一斗¹、木瀬信和¹、宮本恭幸¹ (1.東工大)

16:00 〜 16:15

▲ [15p-B9-11] GeO₂ reduction and Si oxidation at SiGe/GeO₂ interface in UHV annealing

〇(D)Woojin Song¹、Akira Toriumi¹ (1.The Univ. Tokyo)

16:15 〜 16:30

[15p-B9-12] X線光電子分光法による熱酸化SiO₂およびGeO₂薄膜の誘電関数評価

〇山本泰史¹、大田晃生¹、池田弥央¹、牧原克典¹、宮崎誠一¹ (1.名大院工)

16:30 〜 16:45

[15p-B9-13] CVD法により作製したGeO₂/Ge構造に対するPost Metallization Annealingの効果

〇羽田野拓己¹、岩崎好孝¹、上野智雄¹ (1.農工大工)

16:45 〜 17:00

[15p-B9-14] Ge-MIS構造に対する水素処理の効果に関する検討

〇関谷陽介¹、岩崎好孝¹、上野智雄¹ (1.農工大院工)

17:00 〜 17:15

△ [15p-B9-15] Al/SiO₂/GeO₂/Geゲートスタックに於ける界面ダイポールの生成と消失

〇永冨雄太¹、建山知輝¹、坂口大成¹、山本圭介¹、王冬¹、中島寛¹ (1.九大)

17:15 〜 17:30

▲ [15p-B9-16] Reduction of slow trap density in Al₂O₃/n-Ge MOS interfaces by insertion of GeO_xN_y

〇Mengnan Ke^1,2、Xiao Yu^1,2、Mitsuru Takenaka^1,2、Shinichi Takagi^1,2 (1.Tokyo Univ.、2.JST-CREST)

17:30 〜 17:45

[15p-B9-17] HfO₂/GeO₂/Geスタック構造におけるGeO脱離の調査

〇大竹博義¹、上野智雄¹、岩崎好孝¹ (1.農工大院工)

セッション情報

[15p-B9-1~17] 13.3 絶縁膜技術

▲ [15p-B9-1] [Young Scientist Presentation Award Speech] Effects of nitrogen bonding on para-/ferroelectric transition of HfO₂

△ [15p-B9-2] 強誘電性HfO₂膜における局所内部電界に起因する分極の不均質性

▲ [15p-B9-3] Study of polarization uniformity in N-doped ferroelectric HfO₂ by piezo-response force microscopy

[15p-B9-4] TiNメタル中の不純物酸素が強誘電体Hf_0.5Zr_0.5O₂生成へ与える影響

[15p-B9-5] 液相堆積法による(Ba, Sr)TiO₃の堆積条件検討

△ [15p-B9-6] 極薄InGaAs界面層を有するGaAsSb MOS界面特性の評価

△ [15p-B9-7] Al₂O₃/In_xGa_1-xAs MOS界面特性に与える前処理の効果のIn組成依存性

▲ [15p-B9-8] Carrier Trapping Properties in La₂O₃/InGaAs MOSFETs

▲ [15p-B9-9] Energy Distribution of Slow Trap Density at La₂O₃/InGaAs MOS Interfaces

△ [15p-B9-10] HfO₂/Al₂O₃/InGaAsゲート構造における移動度の成膜温度およびAl₂O₃膜厚依存性

▲ [15p-B9-11] GeO₂ reduction and Si oxidation at SiGe/GeO₂ interface in UHV annealing

[15p-B9-12] X線光電子分光法による熱酸化SiO₂およびGeO₂薄膜の誘電関数評価

[15p-B9-13] CVD法により作製したGeO₂/Ge構造に対するPost Metallization Annealingの効果

[15p-B9-14] Ge-MIS構造に対する水素処理の効果に関する検討

△ [15p-B9-15] Al/SiO₂/GeO₂/Geゲートスタックに於ける界面ダイポールの生成と消失

▲ [15p-B9-16] Reduction of slow trap density in Al₂O₃/n-Ge MOS interfaces by insertion of GeO_xN_y

[15p-B9-17] HfO₂/GeO₂/Geスタック構造におけるGeO脱離の調査

認証

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[15p-B9-1~17] 13.3 絶縁膜技術

▲ [15p-B9-1] [Young Scientist Presentation Award Speech] Effects of nitrogen bonding on para-/ferroelectric transition of HfO2

△ [15p-B9-2] 強誘電性HfO2膜における局所内部電界に起因する分極の不均質性

▲ [15p-B9-3] Study of polarization uniformity in N-doped ferroelectric HfO2 by piezo-response force microscopy

[15p-B9-4] TiNメタル中の不純物酸素が強誘電体Hf0.5Zr0.5O2生成へ与える影響

[15p-B9-5] 液相堆積法による(Ba, Sr)TiO3の堆積条件検討

△ [15p-B9-6] 極薄InGaAs界面層を有するGaAsSb MOS界面特性の評価

△ [15p-B9-7] Al2O3/InxGa1-xAs MOS界面特性に与える前処理の効果のIn組成依存性

▲ [15p-B9-8] Carrier Trapping Properties in La2O3/InGaAs MOSFETs

▲ [15p-B9-9] Energy Distribution of Slow Trap Density at La2O3/InGaAs MOS Interfaces

△ [15p-B9-10] HfO2/Al2O3/InGaAsゲート構造における移動度の成膜温度およびAl2O3膜厚依存性

▲ [15p-B9-11] GeO2 reduction and Si oxidation at SiGe/GeO2 interface in UHV annealing

[15p-B9-12] X線光電子分光法による熱酸化SiO2およびGeO2薄膜の誘電関数評価

[15p-B9-13] CVD法により作製したGeO₂/Ge構造に対するPost Metallization Annealingの効果

[15p-B9-14] Ge-MIS構造に対する水素処理の効果に関する検討

△ [15p-B9-15] Al/SiO2/GeO2/Geゲートスタックに於ける界面ダイポールの生成と消失

▲ [15p-B9-16] Reduction of slow trap density in Al2O3/n-Ge MOS interfaces by insertion of GeOxNy

[15p-B9-17] HfO₂/GeO₂/Geスタック構造におけるGeO脱離の調査

認証

▲ [15p-B9-1] [Young Scientist Presentation Award Speech] Effects of nitrogen bonding on para-/ferroelectric transition of HfO₂

△ [15p-B9-2] 強誘電性HfO₂膜における局所内部電界に起因する分極の不均質性

▲ [15p-B9-3] Study of polarization uniformity in N-doped ferroelectric HfO₂ by piezo-response force microscopy

[15p-B9-4] TiNメタル中の不純物酸素が強誘電体Hf_0.5Zr_0.5O₂生成へ与える影響

[15p-B9-5] 液相堆積法による(Ba, Sr)TiO₃の堆積条件検討

△ [15p-B9-7] Al₂O₃/In_xGa_1-xAs MOS界面特性に与える前処理の効果のIn組成依存性

▲ [15p-B9-8] Carrier Trapping Properties in La₂O₃/InGaAs MOSFETs

▲ [15p-B9-9] Energy Distribution of Slow Trap Density at La₂O₃/InGaAs MOS Interfaces

△ [15p-B9-10] HfO₂/Al₂O₃/InGaAsゲート構造における移動度の成膜温度およびAl₂O₃膜厚依存性

▲ [15p-B9-11] GeO₂ reduction and Si oxidation at SiGe/GeO₂ interface in UHV annealing

[15p-B9-12] X線光電子分光法による熱酸化SiO₂およびGeO₂薄膜の誘電関数評価

△ [15p-B9-15] Al/SiO₂/GeO₂/Geゲートスタックに於ける界面ダイポールの生成と消失

▲ [15p-B9-16] Reduction of slow trap density in Al₂O₃/n-Ge MOS interfaces by insertion of GeO_xN_y